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公开(公告)号：CN104086091B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410297048.3
申请日：2014-06-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法，利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，在ITO玻璃衬底上，原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层，随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺，最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用原位生长技术，因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好，该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用，实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布，进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能，因此，在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103633304B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310650049.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管为核制备同轴复合纳米材料的方法，以碳纳米管为核生长由内到外依次为碳纳米管、氧化锰、无定形碳的纳米复合材料，即无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其中锰的氧化物为MnO2、Mn3O4和MnO，简写为MnOx。本发明运用以碳纳米管为核制备出一维无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其制备工艺简单，设备要求低、并且所制备的材料具有大比表面积、高稳定性、高容量、高导电率，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104992982A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510281290.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/78687
Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的薄膜晶体管及其制备工艺，其结构包括衬底、栅绝缘层、有源层、漏区、源极、漏极及栅极，其特征在于：所述有源层采用超晶格结构。超晶格结构层的生成方式为分子束外延方式或金属有机化合物气相沉积方式，根据X射线实验计算得出所述超晶格结构生长速率和阱层厚度，阱层厚度≤100nm。其降低了各层的晶体缺陷密度和压电极化效应，提高了各层膜之间的致密性，使电子在平面内能自由运动而具有更高的迁移率；超晶格材料具有选择广泛，制备方法能够精确地控制薄层的厚度，生长薄层单晶材料的温度低等优点。
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公开(公告)号：CN104900709A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510302257.7
申请日：2015-06-04
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/1037 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法。所述高性能底栅型TFT器件结构包括基板，栅电极，栅电极绝缘层，具有图案化表面的半导体有源层，源电极，漏电极，所述图案化半导体有源层指采用压印、光刻、刻蚀、激光加工等方法，在半导体有源层的上表面全部或部分区域制作一些各向同性或各向异性形状的图案，使得半导体有源层上表面起伏图案。该结构TFT一方面增加源、漏极与半导体层的接触面积，另一方面减少载流子流动所需经过的低导电性区域厚度，既可以提高开启电流，又增大其开关比。
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公开(公告)号：CN102929039B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210435141.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/13357 , G02F1/133 , G09G3/36
Abstract: 本发明涉及一种LCD-FED双屏结构高动态显示系统，包括一LCD液晶面板，其特征在于：所述LCD液晶面板设置于一FED面板的上方。FED是一种主动发光型的全固体化的平面光源器件，具有亮度高、屏显均匀、可扫描、功耗低、寿命长、重量轻、厚度薄、环保无汞污染、响应速度快、视角宽广以及可工作于较宽的温度范围等优点。基于LCD-FED结构开展高动态范围视频显示方面的研究，充分利用其亮度高、可高速动态扫描的特点，克服算法研究和显示器性能提升两方面的片面性，重点提升显示的时空连续性，在双屏显示技术方面获得技术创新成果，具有重要的科学和社会意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104401003A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237619.4
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印的反射性偏光膜制备方法，包括以下步骤：1、建立反射性偏光膜的三维数字模型，并转换为控制3D打印设备工作的工作指令，包括打印反射性偏光膜的第一折射率薄膜的第一指令和打印反射性偏光膜的第二折射率薄膜的第二指令；2、将第一原料和第二原料分别放入3D打印设备的进料腔中，转化为液态；3、3D打印设备交替执行第一指令和第二指令，打印头交替向成型区内喷洒液态的第一原料和第二原料，并使喷洒出的原料快速固化，喷洒一层固化一层，层层堆叠，形成第一折射率薄膜和第二折射率薄膜交替层叠的具有数百层以上薄膜的反射性偏光膜。该方法及装置可以简化反射性偏光膜的制备工艺，提高工作生产效率。
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公开(公告)号：CN104399986A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237585.9
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: B22F3/22
Abstract: 本发明公开了一种用于制备贱金属或合金构件3D打印的方法，包括打印浆料的制备以及打印的具体步骤。所述浆料包括贱金属或合金粉体和黏合剂，所述贱金属或合金粉体上包覆有石墨烯薄膜防护层，制造贱金属或合金粉体的方法是利用CVD或PECVD法在贱金属或合金粉体表面制备石墨烯薄膜防护层。所述贱金属或合金粉体与黏合剂混合制成浆料。采用喷墨黏粉式打印技术成形贱金属或合金构件。在不影响金属材料自身的导电导热性能情况下，能够大大提高金属粉体的抗氧化和抗腐蚀能力，该材料制备简单，价格低廉，既简化3D打印工艺，又可降低打印成本，适合在3D打印领域推广应用。
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公开(公告)号：CN104051275A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410297058.7
申请日：2014-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66568 , B82Y40/00 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，利用先进的量子点组装技术，在硅/二氧化硅衬底上，组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道，随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，随后，通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道，可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应，从而有效提高了晶体管的灵敏度，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103880001A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410112147.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开一种图形化石墨烯的制备方法，首先以固态物质为碳源，对固态碳源进行图形化，然后生长高质量图形化石墨烯，具体包括以下步骤：（1）在设置有催化剂的基底上均匀涂覆一层固态碳源物质；（2）对固态碳源物质进行图形化；（3）图形化的固态碳源物质经高温反应形成图形化的石墨烯。该方法直接生长图形化石墨烯，不会对石墨烯造成污染和损伤，且制备工艺简单，图形化精度高。
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公开(公告)号：CN102929039A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210435141.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/13357 , G02F1/133 , G09G3/36
Abstract: 本发明涉及一种LCD-FED双屏结构高动态显示系统，包括一LCD液晶面板，其特征在于：所述LCD液晶面板设置于一FED面板的上方。FED是一种主动发光型的全固体化的平面光源器件，具有亮度高、屏显均匀、可扫描、功耗低、寿命长、重量轻、厚度薄、环保无汞污染、响应速度快、视角宽广以及可工作于较宽的温度范围等优点。基于LCD-FED结构开展高动态范围视频显示方面的研究，充分利用其亮度高、可高速动态扫描的特点，克服算法研究和显示器性能提升两方面的片面性，重点提升显示的时空连续性，在双屏显示技术方面获得技术创新成果，具有重要的科学和社会意义。
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