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公开(公告)号：CN104393117B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410673922.9
申请日：2014-11-21
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，包括如下步骤：(1)采用光诱导电镀法进行电镀，在硅片表面需要设置金属电极的位置形成金属预制层；(2)采用激光正面烧灼金属预制层，促进硅向金属预制层内扩散，形成含硅的金属种子层；(3)采用直接电镀法，在含硅的金属种子层上生长金属，即可形成金属电极。实验证明，与现有的直接电镀法相比，本发明得到的金属电极与硅片的结合力提高了3倍左右，取得了意想不到的技术效果；成功解决了本领域长期以来亟待解决却始终无法得到良好解决的难题，取得了显著的效果。
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公开(公告)号：CN104851925B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510271741.8
申请日：2015-05-25
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/049
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种局部背接触太阳能电池的背面开口结构，包括复数个形成于钝化层上的开口，且各个开口的大小相同；相邻开口之间的间距小于等于开口的尺寸。本发明通过将相邻开口之间的间距控制成小于等于圆形开口的直径，即可避免应是硅铝合金的区域形成空洞的现象，且取得了意想不到的技术效果。
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公开(公告)号：CN107369616A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710551875.4
申请日：2017-07-07
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L21/263 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种用于处理半导体基板的方法，所述方法包括升温阶段和缺陷处理阶段；所述缺陷处理阶段包括至少2个平台处理阶段，在每个平台处理阶段期间内，处理温度和激发载流子产生率恒定；同时，所述方法至少满足如下条件之一：(1)任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同；(2)任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率不同。本发明通过设置温度和/或激发载流子产生率不同的平台处理阶段，使得所述方法能够将不同形式的缺陷分开进行处理消除，降低相同处理条件造成的缺陷消除的抵消，提高了光致衰减的效果，改善半导体器件的体少子寿命，增加太阳电池的转换产生率。
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公开(公告)号：CN106784048A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611256324.7
申请日：2016-12-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述方法包括以下步骤：在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。本发明通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可有效避免高温下经过掺杂的硅和背面金属电极浆料的剧烈反应，进而使大部分第三主族元素或第五主族元素留在硅中，显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN104269466B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410521455.8
申请日：2014-09-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种硅片的硼掺杂方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面设置含硼掺杂剂；然后将表面已含有含硼掺杂剂的硅片送入加热炉管，在氮气气氛下进行热处理；(2)通入氧气或氧气与氮气的混合气体，在步骤(1)的温度下进行恒温氧化；(3)降温至800~890℃，在步骤(2)的气氛下再次进行氧化处理；(4)停止通入氧气，降温，出舟。本发明的整个方法只需进行热处理、高温氧化和第二次氧化（低温氧化）即可，且可以在加热炉管中一次性完成，避免了现有技术中需要进行2次加热炉管的启闭以及清洗去除硼硅玻璃和钝化的步骤，从而大大简化了工艺步骤和工艺时间，具有积极的现实意义。
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公开(公告)号：CN102800743B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110141575.1
申请日：2011-05-27
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本申请公开了一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括；在半导体基片表面进行开孔、制绒；在制绒后半导体基片表面上及通孔内壁上进行扩散；在扩散后半导体基片通孔内设置阻挡浆料；对设置阻挡浆料后半导体基片的进行刻蚀；去除刻蚀后半导体基片上的阻挡浆料；将去除阻挡浆料后半导体基片上的掺杂玻璃层去除；对去掺杂玻璃层后半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片。该方法在刻蚀前，通过在通孔内设置阻挡层，可以避免对通孔内的发射结刻蚀。与现有技术相比，该方法可以减少激光隔离工序，降低了电池片漏电风险，并且降低了碎片率。另外，减少激光隔离工序，使得工艺更加简单，减少了设备成本，有利于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102201480A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110123811.7
申请日：2011-05-13
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯(中国)投资有限公司
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0352 , H01L31/0328
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型碲化镉半导体薄膜、N型晶体硅、N+背表面场和背金属电极，形成PNN+的异质结结构。本发明采用P型碲化镉半导体薄膜与N型晶体硅形成异质PN结，得到的太阳电池具有更高的开路电压和填充因子，其光电转化效率在21%左右。
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公开(公告)号：CN101621085A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910183866.X
申请日：2009-08-03
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、N型黄铜矿半导体薄膜、P型晶体硅、P + 背表面场和背金属电极，形成NPP + 的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应，尤其是在紫外和可见光波段，从而可以提升短路电流；且在正面可形成梯度带隙，类似于多结的堆叠效应，大幅度地提升开路电压和填充因子；最终得到的太阳电池的转化效率在19％以上。
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公开(公告)号：CN101621084A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910183865.5
申请日：2009-08-03
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型黄铜矿半导体薄膜、N型晶体硅、N + 背表面场和背金属电极，形成PNN + 的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应，尤其是在紫外和可见光波段，从而可以提升短路电流；且在正面可形成梯度带隙，类似于多结的堆叠效应，大幅度地提升开路电压和填充因子；最终得到的太阳电池的转化效率在22％以上。
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公开(公告)号：CN216213312U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122696062.9
申请日：2021-11-05
申请人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种半片花篮，涉及太阳能电池制备技术领域。该半片花篮包括限位机构、第二限位杆及两个端板。限位机构包括两个第一限位杆，两个所述第一限位杆设置于两个所述端板之间，所述第一限位杆的两端分别沿水平方向滑动设置于两个所述端板；所述第二限位杆的两端分别固定设置于两个所述端板，所述第二限位杆位于两个所述第一限位杆之间，并与两个所述第一限位杆形成两个容纳空间，每个所述容纳空间的底部均设置有至少一个底杆，所述底杆的两端分别固定连接于两个所述端板；所述第一限位杆与所述第二限位杆相对的一侧沿长度方向排列设置有篮齿。该半片花篮能够容纳半片硅片并适用于不同尺寸的硅片。
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