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公开(公告)号：CN118315490A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202211739536.6
申请日：2022-12-29
申请人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , C23C28/00
摘要： 一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在晶体硅的表面依次形成本征非晶硅层、掺杂层、透明导电层、金属电极，所导电层包括透明导电氧化层和金属网格层。其中，所述金属网格层用于辅助载流子的传输，降低横向传输的串阻损失，等效降低透明导电氧化层的方阻；因此可以在沉积透明导电氧化层时，提高氧的含量来提高光学透射率。
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公开(公告)号：CN118231514A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211635207.7
申请日：2022-12-19
申请人： 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352
摘要： 本发明提供一种太阳能电池制备方法，包括如下步骤：选用N型硅片，在其正面制绒；在制绒后的硅片正面形成选择性发射极，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差；在所述重掺杂区的正面形成正面金属电极。该方法中，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE提效效果好。
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公开(公告)号：CN107895699B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201711340622.9
申请日：2017-12-14
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及电池片生产技术领域，尤其是涉及一种花篮检测装置以及电池片生产系统。该花篮检测装置包括：检查机构；所述检查机构包括：升降装置和安装于所述升降装置的至少一个检查装置，所述检查装置的一端能够插入至所述花篮的装片槽，且在所述升降装置的带动下进行升降移动。该花篮检测装置用于检测花篮放置面是否形变、移位，将原有人为判断方式变为利用机械结构的方式进行判断，减少人为误差，从而保障机台上下料及硅片中转减少污染、碎片风险。
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公开(公告)号：CN114765231A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011612170.7
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , B23K26/362
摘要： 本发明公开了一种光伏电池及其制备方法，所涉及光伏电池的制备方法包括：扩散制结步骤，激光划线步骤，刻槽步骤，去杂质玻璃步骤，正、背面钝化步骤，电极形成步骤，以及裂片步骤，本发明中基于激光划线步骤与刻槽步骤的设置，在获取分片电池时，其裂片位置处与pn结相对应的边缘结区会被第一钝化层覆盖而不会直接暴露于外界环境中，如此能够有效抑制分片电池的边缘复合，进而提高分片电池的FF、VOC、JSC及效率。
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公开(公告)号：CN113130700B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010033393.1
申请日：2020-01-13
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供的一种太阳能电池的电注入方法及装置、电注入设备，通过获取欲进行电注入的太阳能电池片的堆叠结构中太阳能电池片的数量；根据太阳能电池片的数量，控制进行电注入的电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第一预设电流，且在第一预设电流下太阳能电池片上的电压小于该太阳能电池片的导通电压；在太阳能电池片的堆叠结构的温度达到第一预设温度时，控制电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第二预设电流，以使太阳能电池片的堆叠结构在第二预设电流下进行电注入，且该第二预设电流大于第一预设电流。本发明实施例能够提高太阳能电池片的电注入效率和产量。
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公开(公告)号：CN112993068B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201911275555.6
申请日：2019-12-12
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/66 , G01N27/04 , G01R27/02
摘要： 本发明实施例提供的一种光伏电池片及其制备方法、接触电阻率的测量方法，该的半导体衬底一侧的第一钝化层，另一侧设置有的电极层；电极层包括多条沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列的金属电极线，且每条金属电极线均横跨第一测量区和第二测量区；以及位于半导体衬底靠近电极层一侧依次设置的遂穿氧化层、半导体层和第二钝化层；金属电极线与半导体层接触，且半导体层与遂穿氧化层接触；其中，第二钝化层包括开口结构，且开口结构两侧的半导体层互不连接；开口结构位于第一测量区的相邻两条所述金属电极线之间；且半导体层的掺杂浓度大于所述半导体衬底的掺杂浓度。本发明实施例的光伏电池片结构简单，制备成本低。
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公开(公告)号：CN114695593A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011611034.6
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层，然后，去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，然后，去除第二区域背面的掺杂多晶硅层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到背接触电池。上述制备方法在第一掺杂层及掺杂多晶硅层的去除过程中，通过氧化层对第二区域进行保护，避免第二区域背面的第一掺杂层出现损伤，无需另行制备保护层，后续清洗亦较为方便，简化工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113130700A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010033393.1
申请日：2020-01-13
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供的一种太阳能电池的电注入方法及装置、电注入设备，通过获取欲进行电注入的太阳能电池片的堆叠结构中太阳能电池片的数量；根据太阳能电池片的数量，控制进行电注入的电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第一预设电流，且在第一预设电流下太阳能电池片上的电压小于该太阳能电池片的导通电压；在太阳能电池片的堆叠结构的温度达到第一预设温度时，控制电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第二预设电流，以使太阳能电池片的堆叠结构在第二预设电流下进行电注入，且该第二预设电流大于第一预设电流。本发明实施例能够提高太阳能电池片的电注入效率和产量。
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公开(公告)号：CN112993072A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911293686.7
申请日：2019-12-12
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种PERC双面电池及其制作方法，所涉及的PERC包括硅片、形成于硅片背面的钝化层、设置于硅片背面的背电场及背电极，背电场包括若干平行间隔设置于硅片背面的第一副栅，第一副栅呈断续状设置且沿双面perc电池厚度方向穿透钝化层以与硅片背面形成电性连接；背电极包括若干设置于钝化层背面与第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与第二副栅垂直连接的主栅，第二副栅的电阻率小于第一副栅的电阻率，第二副栅与相应第一副栅的背面相连以串接相应第一副栅若干间隔设置的部分；本发明所提供的PERC双面电池可有效降低电池背面的少子复合，而且在具体光伏组件的应用场景中具有较小的串联电阻，能可靠的提高相应光伏组件的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN112928180A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911236922.1
申请日：2019-12-05
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/223
摘要： 本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法，其特征在于，在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛，使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40～50nm厚的磷硅玻璃，所述降温氧化之后还进行后氧化步骤，且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合，进而提升Voc和Isc，另一方面，降低重掺区方阻，进而改善/金属接触，从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上，降低电池的Rs和FF损失，最大化提升电池的Eff。
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