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公开(公告)号:CN101621085A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910183866.X
申请日:2009-08-03
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/06
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明公开了一种基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池,包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、N型黄铜矿半导体薄膜、P型晶体硅、P + 背表面场和背金属电极,形成NPP + 的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应,尤其是在紫外和可见光波段,从而可以提升短路电流;且在正面可形成梯度带隙,类似于多结的堆叠效应,大幅度地提升开路电压和填充因子;最终得到的太阳电池的转化效率在19%以上。
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公开(公告)号:CN101621084A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910183865.5
申请日:2009-08-03
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/06
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明公开了一种基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池,包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型黄铜矿半导体薄膜、N型晶体硅、N + 背表面场和背金属电极,形成PNN + 的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应,尤其是在紫外和可见光波段,从而可以提升短路电流;且在正面可形成梯度带隙,类似于多结的堆叠效应,大幅度地提升开路电压和填充因子;最终得到的太阳电池的转化效率在22%以上。
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公开(公告)号:CN101696991B
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN200910035771.3
申请日:2009-10-14
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: G01R27/08
摘要: 本发明公开了一种探针接触电阻的检测方法及其及检测装置,所述检测装置包括变阻模块、分压模块、第一测试电极、第二测试电极、电源和开关,所述变阻模块和分压模块串联,第一测试电极和第二测试电极分别连接于分压模块的两端;所述变阻模块具有至少3个可变的电阻值。本发明可以准确的测定测试装置的探针接触电阻,从而保证了测试装置的测量性能,为其精确测定打下了基础。
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公开(公告)号:CN101722155B
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN200910234467.1
申请日:2009-11-18
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
摘要: 本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法,包括如下步骤:(1)在氨水溶液中超声清洗;(2)在纯水中超声清洗至少2次;(3)在稀盐酸溶液中超声清洗;(4)纯水喷淋;(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质,防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。
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公开(公告)号:CN101621084B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200910183865.5
申请日:2009-08-03
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/06
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明公开了一种基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池,包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型黄铜矿半导体薄膜、N型晶体硅、N+背表面场和背金属电极,形成PNN+的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应,尤其是在紫外和可见光波段,从而可以提升短路电流;且在正面可形成梯度带隙,类似于多结的堆叠效应,大幅度地提升开路电压和填充因子;最终得到的太阳电池的转化效率在22%以上。
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公开(公告)号:CN101621085B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200910183866.X
申请日:2009-08-03
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/0749
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明公开了一种基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池,包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、N型黄铜矿半导体薄膜、P型晶体硅、P+背表面场和背金属电极,形成NPP+的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应,尤其是在紫外和可见光波段,从而可以提升短路电流;且在正面可形成梯度带隙,类似于多结的堆叠效应,大幅度地提升开路电压和填充因子;最终得到的太阳电池的转化效率在19%以上。
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公开(公告)号:CN101728459A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200910234466.7
申请日:2009-11-18
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: H01L31/18
CPC分类号: Y02P70/521
摘要: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法,包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺,还包括如下步骤:在电池的背面形成单层钝化层;利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料,然后烘干腐蚀钝化层,清洗去除浆料,形成局部接触的窗口;然后在其上利用丝网印刷形成背面接触。本发明得到了背面钝化局部接触的太阳电池结构,试验证明,该钝化结构可以有效地提高了太阳电池的长波响应以及背面反射,提高了太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号:CN101696991A
公开(公告)日:2010-04-21
申请号:CN200910035771.3
申请日:2009-10-14
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号: G01R27/08
摘要: 本发明公开了一种探针接触电阻的检测方法及其及检测装置,所述检测装置包括变阻模块、分压模块、第一测试电极、第二测试电极、电源和开关,所述变阻模块和分压模块串联,第一测试电极和第二测试电极分别连接于分压模块的两端;所述变阻模块具有至少3个可变的电阻值。本发明可以准确的测定测试装置的探针接触电阻,从而保证了测试装置的测量性能,为其精确测定打下了基础。
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公开(公告)号:CN101624700A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200910183867.4
申请日:2009-08-03
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
摘要: 本发明公开了一种多晶硅太阳电池表面织构的制备方法,采用酸腐蚀溶液制成,所述酸腐蚀溶液由氢氟酸、氧化剂和改性剂组成;所述氢氟酸的浓度范围为13~17摩尔/升;所述氧化剂为高锰酸钾溶液,浓度范围为0.01~0.5摩尔/升;所述改性剂为亚硝酸钠,浓度范围为0.05~0.2摩尔/升;腐蚀温度为10~30℃,酸腐蚀时间为10~45分钟。本发明降低了电池的反射率,且方法本身对环境的污染较小。
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公开(公告)号:CN101722155A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200910234467.1
申请日:2009-11-18
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
摘要: 本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法,包括如下步骤:(1)在氨水溶液中超声清洗;(2)在纯水中超声清洗至少2次;(3)在稀盐酸溶液中超声清洗;(4)纯水喷淋;(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质,防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。
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