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公开(公告)号：CN110828663A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911049301.2
申请日：2019-10-31
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于镧氧化物的RRAM，包括由下至上依次层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括透明玻璃层和下电极层；所述阻变氧化层为La2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。采用溶液法工艺制造阻变氧化层，实现低成本RRAM的制备，并且得到的RRAM阻变效果好，设备和原料投资较少，可用于大面积RRAM器件的制备，实现大规模工业应用。
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公开(公告)号：CN110648914A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910836553.3
申请日：2019-09-05
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
摘要： 本发明属于半导体制造领域，本发明公开了一种提升氮化镓晶体管击穿电压的方法。该方法包括以下步骤：在衬底生长氮化镓外延层；刻蚀形成有源区台面；形成源、漏欧姆接触电极；刻蚀栅极下方的AlGaN势垒层；刻蚀栅极到漏极之间的AlGaN势垒层；器件表面淀积钝化层；形成双栅极区的金属电极。本发明可以将漏极高压产生的电场更均匀的分布在栅极与漏极之间，使栅极靠近漏极端的电场强度降低，提升氮化镓晶体管的耐压性能。另外，本方法中的双栅极结构可以降低氮化镓晶体管导电沟道的电阻，提升晶体管的输出性能。
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公开(公告)号：CN110534568A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910794979.7
申请日：2019-08-27
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种柔性纳米纤维氧化锌锡的场效应晶体管及其制备方法，包括上至下设置的顶部源电极层、顶部漏电极层，纳米纤维结构的载流子沟道层、介电层、底栅电极层和基底；所述纳米纤维结构的载流子沟道层为采用溶胶法制备的直径约100~300 nm的氧化锌锡细丝簇；制备方法包括：a）基底清洗；b）制备底栅电极层；c）制备氧化铪介电层；d）制备纳米纤维结构的载流子沟道层；e）制备顶部源电极层、顶部漏电极层。本案采用溶胶法制备纳米纤维（NF）细丝，操作简单方便，易控制分布与方向，成本低，有较高的均一性，可大规模工业应用；具有环保、高迁移率等优点；可应用于柔性可穿戴电路领域；整个器件呈透明色，具有较好的光学领域应用潜力。
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公开(公告)号：CN110416310A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910559526.6
申请日：2019-06-26
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件及制备方法，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极；制备方法具体步骤包括：a）制备得到前驱体溶液；b）制备双氧水前驱体溶液；c）将双氧水前驱体溶液超声震荡15-60分钟；d）清洗高掺硅衬底；e）将配备好的双氧水前驱体溶液旋涂在清洗好的高掺硅衬底上；f）将旋涂好双氧水前驱体溶液的高掺硅衬底置于热板上退火形成介电层；g）制备半导体层；h）沉积上金属电极和栅电极。本案提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
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公开(公告)号：CN110137247A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910292495.2
申请日：2019-04-12
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明属于本发明属于半导体技术领域，特别涉及薄膜晶体管技术。本发明要求保护一种全水溶液法双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及制备方法。该薄膜晶体管包括：绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极，漏电极。其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，自下而上依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分别地位于双层金属氧化物半导体异质结之上。本发明的栅极绝缘层和双层金属氧化物半导体异质结有源层采用简单的无机水溶液法制备，整个工艺温度控制在300℃以内。本发明可提高水溶液法制备的TFT及后续器件的电学性能，且制备工艺简单，生产成本低廉。
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公开(公告)号：CN105807097B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610145493.7
申请日：2016-03-15
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： G01Q60/10
摘要： 本发明公开了一种用石墨烯电极构筑分子节的方法及测量分子电导的方法，通过扫描隧道显微镜的控制器控制金针尖往返接近石墨烯基底，同时收集在此过程中形成的金‑分子‑石墨烯分子节的电流信号，然后对采集到的大量曲线进行数据分析，最终得到分子的电导数值。本发明通过替换传统金基底为新型石墨烯二维材料，继而探究石墨烯作为基底构建分子结的可行性。结果得出，石墨烯在作为电极材料进行分子电导的测量时产生了清晰可辨的电导平台，相对应的电导统计直方图也具有明显的特征峰，说明了分子和基底之间的相互作用力非常稳定，相应的分子节也具有稳定且可靠的特点。
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公开(公告)号：CN109767989A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811591079.4
申请日：2018-12-25
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L21/02 , H01L29/786
摘要： 本发明属于微电子器件领域，具体要求保护一种利用溶液法与异质结导电原理的低成本薄膜晶体管及其制备方法。该器件以柔性材料为基底，在上面设置有基于溶液法制备的栅极、绝缘层、异质结半导体层与源、漏电极。其中栅、源、漏三电极成份皆为由水溶液法制备的ITO材料，并且利用改变亲水性方法来将栅极图案化。绝缘层成份为水溶液法制备的Al2O3/ZrO2叠层，并且通过掺杂Li元素来提高介电常数，起到提高整个器件性能的作用。半导体层为ZnO/In2O3叠层，这种结构可以形成异质结，基于二维电子气原理来提高电子迁移率。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行，并且温度不超过200度，生产成本较低，同时全器件为透明器件，可在光学领域中有重要应用。
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公开(公告)号：CN109686902A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811442542.9
申请日：2018-11-29
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/052
CPC分类号： H01M2/1613 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M2/1686 , H01M10/052
摘要： 一种电化学能源技术领域的锂硫电池用复合隔膜、其制备方法及应用，包括锂硫电池隔膜及附着在锂硫电池隔膜一侧表面上的多硫化物阻隔层，所述多硫化物阻隔层为多孔碳纳米颗粒与导电高聚物的复合物。本发明利用多硫化物阻隔层能够阻止锂硫电池正极产生的多硫化物向锂负极的迁移，大大提高了锂硫电池正极活性材料的利用率，从而提高了锂硫电池的比容量以及循环稳定性。
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