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公开(公告)号：CN118883378A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953157.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种四面硅微米柱三电极电离式气溶胶传感器及制备方法，包括内置于封装结构中的传感器结构；包括从上至下依次分布的第一、第二、第三和第四电极，第一、第四电极为单电极，第二、第三电极为上下叠合后构成的双电极；在第一电极设有扩散孔；第二电极和第三电极背靠背连结在一起，设有分布相同且贯通的引出孔；扩散孔和引出孔周边附着有硅微米柱阵列；第四电极的内表面设有凹槽，凹槽中和凹槽外周覆盖有硅微米柱阵列；通过极板间的玻璃绝缘片控制极间距；电极上引出有金线；四电极之间硅微米柱阵列分布密度和高度相同、分布面积不同，硅微米柱上下尖端正对。该传感器具有高灵敏度、宽量程、高分辨率和快速响应的特点，可以对不同粒径的气溶胶浓度进行检测。
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公开(公告)号：CN115196582B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210822045.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高压MEMS压力传感器封装结构和封装方法，采用玻璃浆料烧结将台阶式压力敏感单元与可伐合金基座进行密封连接，可伐合金基座与不锈钢基座进行焊接密封，外部压力通过不锈钢基座通孔直接作用在压力敏感芯片背部的敏感膜片上。通过本发明提出的台阶式封装结构和封装方法，使得玻璃浆料在压力载荷作用下承受压应力，进而使压力敏感芯片在承受背部载荷的能力大大提升，解决了传统背进气压力传感器中封装结构承受拉应力时存在耐压能力不足的问题。该封装结构和封装方法相比充油封装，具有体积小、成本低等优点，可适用于多种的压力介质甚至导电性介质。
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公开(公告)号：CN112897456B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110082943.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种兼容MEMS工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，在硅片正面制备SiO2和Si3N4，退火、光刻得到敏感材料图形；溅射敏感材料；剥离退火光刻，得到加热丝及引线盘、测试电极及引线盘图形；蒸镀Cr粘接层和Au层，热处理匀涂光刻胶；再在硅片背部悬膜采用干法刻蚀Si3N4—湿法腐蚀SiO2—干法刻蚀Si的工艺制备，完成背部悬膜气体传感器的制备。该方法在背部悬膜结构释放掉导热好的Si，在气体传感器工作时极大的减少了热量散失，低功耗下即可工作，节能环保，降低了使用成本，易于封装，解决低功耗气体传感器与MEMS工艺不兼容的问题。
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公开(公告)号：CN116131659A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310000160.5
申请日：2023-01-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请实施例提供了一种框架式碰撞发电装置及无线传感装置。该框架式碰撞发电装置包括：外壳、内壳、振动片、压电发电件以及质量块；外壳具有第一容纳腔，振动片的一端固定在第一容纳腔的腔壁上，内壳固定在振动片上；内壳具有第二容纳腔，压电发电件的一端固定在第二容纳腔的腔壁上，质量块连接在压电发电件的另一端，电源管理模块位于第一容纳腔或第二容纳腔中，电源管理模块与压电发电件电连接，电源管理模块用于与待供电件电连接；在外壳晃动的情况下，振动片带动内壳振动，以使压电发电件晃动，且压电发电件弯曲以产生电能，电能传递至电源管理模块。
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公开(公告)号：CN115196582A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210822045.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高压MEMS压力传感器封装结构和封装方法，采用玻璃浆料烧结将台阶式压力敏感单元与可伐合金基座进行密封连接，可伐合金基座与不锈钢基座进行焊接密封，外部压力通过不锈钢基座通孔直接作用在压力敏感芯片背部的敏感膜片上。通过本发明提出的台阶式封装结构和封装方法，使得玻璃浆料在压力载荷作用下承受压应力，进而使压力敏感芯片在承受背部载荷的能力大大提升，解决了传统背进气压力传感器中封装结构承受拉应力时存在耐压能力不足的问题。该封装结构和封装方法相比充油封装，具有体积小、成本低等优点，可适用于多种的压力介质甚至导电性介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111689459B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010414092.3
申请日：2020-05-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法，以硅酸钙材料作为基底，将加热丝溅射其上，使其中心与硅酸钙基底重合，呈三阶双曲螺旋形，然后将测温电阻、敏感材料和测试电极依次溅射到硅酸钙基底材料上。加热丝通电后，由于硅酸钙具有极低的导热系数，极大地溅射了热量通过热传导方式散失，使用更小的电压即可将气敏材料加热到指定的工作温度。本发明结构简单，在保持低功耗特性的同时极大地降低了制造工艺的复杂度，无需对基底背面进行加工，提高了成品率，局部高温，外围近于常温，易于封装。
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公开(公告)号：CN113740786A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111022979.9
申请日：2021-09-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种单光束SERF原子磁强计及碱金属原子密度测量方法，所述方法包括以下步骤：首先，将单光束SERF原子磁强计中心位置三个方向的磁场强度补偿到零，加热碱金属气室，使碱金属原子达到SERF态；然后沿一个敏感轴方向施加恒定的直流磁场，沿另一个敏感轴方向施加带调制的偏置磁场，连续变化且过零点的偏置磁场，记录磁强计的输出信号，会得到具有色散线型的磁场共振曲线，进而得到沿X轴方向上不同直流磁场下的磁场共振线宽大小；通过二次函数拟合得到磁场共振线宽与直流磁场大小的关系；最后利用二次函数的二次项系数计算得到碱金属原子密度，从而实现碱金属原子密度的原位测量。
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公开(公告)号：CN112964905A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110150381.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式双轴加速度传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括键合的传感芯片和玻璃衬底，传感芯片包括芯片外框架、固定半岛、质量块、支撑梁、压阻微梁和铰链梁；芯片外框架的内壁分别设置有一个固定半岛，芯片外框架内部设置有八个质量块，相邻的质量块之间设有运动间隙，连接至同一个固定半岛上的两个质量块之间通过铰链梁连接为一个整体；质量块与固定半岛之间连接有压阻微梁；每个压阻微梁上均制作有压敏电阻，八个压敏电阻通过金属引线与焊盘相连构成两个惠斯通全桥。本发明将支撑元件与敏感元件分离，降低了面内双轴加速度检测中的交叉灵敏度干扰，能够满足对加速度的高灵敏度和高谐振频率测量要求。
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公开(公告)号：CN111579426B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010333818.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高品质因子压电悬臂梁密度传感器芯片及其工作方法和制备方法，包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器，其中硅微悬臂梁谐振器包括微悬臂梁悬空结构、固支梁结构、压阻梁结构以及压阻衔接梁结构。通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜，双压电电极用于通入一定频率的交变电压并基于逆压电效应产生压电驱动力，四根压阻梁上的四个敏感电阻条通过压阻衔接梁上的金属引线连接构成惠斯通全桥，用于检测谐振应力并通过布置惠斯通电桥将其转化为电压信号输出，通过压电激励方式可以得到悬臂梁面外振动模态，该密度传感器芯片在流体中具备高灵敏度、高品质因子，能够显著提升流体密度测量的使用范围，测量精度与灵敏度高。
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公开(公告)号：CN109879239B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910064334.8
申请日：2019-01-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括谐振层和承压膜片，谐振层包括谐振梁和平衡梁，四根谐振梁组成一组H型梁，H型梁共有两组且对称设置，谐振梁端部均固定在平衡梁上，两根平衡梁通过谐振梁的延伸部分与刚性质量块连接，相邻的谐振梁之间设置有质量块，质量块中部设置有耦合梁，耦合梁中部设置有拾振电阻，位于外侧的两个质量块分别与两个可动电极固定连接。当压力施加在承压膜片加载时，谐振梁受压产生形变，导致谐振梁的固有频率发生改变，同时通过固定电极激励谐振梁振动，谐振状态时，耦合梁上拾振电阻分别循环处于受压/受拉状态，基于压阻效应使得拾振电阻值发生变化，从而拾取谐振梁固有频率。
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