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公开(公告)号：CN116084060A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310225113.0
申请日：2023-03-10
Applicant: 长春理工大学中山研究院 , 途格科技(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种聚丙烯腈基碳纤维激光预氧化方法和装置，采用2μm～5μm波段或9μm～11μm波段的红外激光加热，该预氧化方法和装置能够精准调控聚丙烯腈纤维丝束预氧化加热温度曲线和加热区域，实时监测聚丙烯腈纤维丝束预氧化的程度和状态；该聚丙烯腈基碳纤维激光预氧化装置包括展丝模块(1)、预氧化装置机体(2)、补气模块(3)、激光模组(4)、尾气回收模块(5)、红外测温模组(6)、图像监测模块(7)、控制模块(8)和上位机(9)。该聚丙烯腈基碳纤维激光预氧化装置具有能量利用率高、设备体积小，加热区域和加热温度曲线可以精准控制等优点。
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公开(公告)号：CN112421375B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011298766.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件，涉及半导体器件技术领域，包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层；过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y，其中，0
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公开(公告)号：CN113155279A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110625100.3
申请日：2021-06-04
Applicant: 长春理工大学
IPC: G01J1/00
Abstract: 本发明公开了一种激光器光束质量单点测量方法，通过对四波横向剪切干涉图进行变换获取x/y向差分相位和光强信息，采用差分zernike算法重构待测相位信息，根据相位信息和光强信息重构复振幅，分别采取角谱算法、二阶矩法获取不同轴向位置的复振幅和光斑尺寸ω(z)，进而拟合出激光传输曲线方程，从而获得激光束的远场发散角θ0、束腰光斑尺寸ω0和光束质量因子M2。该测量方法能够实现对激光光束质量的实时监测，还能够适用于脉冲激光束光束质量的测量，具有测量方法简单及测量效率高等优点。
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公开(公告)号：CN111618730A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010617396.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种磨粒流抛光弯头设备，由弯头、水平定位装置、齿轮轴夹紧装置、导向元件、第一夹具体、第二夹具体、快速接头、夹紧微调装置、机架和底板组成的，其特征在于机架安装在底板上，齿轮轴夹紧装置安装在机架上，第一夹具体和第二夹具体端部孔分别安装在齿轮轴夹紧装置的上下两端的轴上，快速接头安装在第一夹具体和第二夹具体一侧，导向元件安装在快速接头一侧，弯头端部嵌在导向元件中，水平定位装置安装在底板上，弯头安装在水平定位装置上，夹紧微调装置安装在底板上并与齿轮轴夹紧装置接触。该设备可以有效的引导磨粒流对弯头内壁进行抛光处理，密封性好，装夹效率高。
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公开(公告)号：CN107069423B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710352038.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105019027B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410165012.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后，关闭Sb束流，使GaSb表面形成Ga富集区，形成新的纳米线生长界面，然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb，由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长，从而形成纳米线结构，制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
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公开(公告)号：CN107069423A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710352038.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
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公开(公告)号：CN103499871B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201310389943.3
申请日：2013-09-02
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于激光束发散角测量的超消色差光学系统，该光学系统包括第一镜片（1）、第二镜片（2）、第三镜片（3）、第四镜片（4）、第五镜片（5）和第六镜片（6），第一镜片（1）、第二镜片（2）、第三镜片（3）、第四镜片（4）、第五镜片（5）和第六镜片（6）依次设置在同一水平光轴上。该光学系统在350nm‑1600nm工作波段范围内实现了超消色差；口径为φ150mm，焦距为900mm，总长度为660mm，实现了摄远型光学系统的设计，体积小、重量轻、加工成本低，光学传递函数接近衍射极限。该系统用于激光束发散角的测量可以简化测量的步骤，提高测量精度。
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公开(公告)号：CN105390423A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510756730.9
申请日：2015-11-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67121
Abstract: 本发明提供了一种液体毛细键合装置，包括载物台（1）、一维滑轨（2）、滑块（3）、联接块（4）、高压气体喷枪（5）、电磁阀门（6）、气体容器（7）、图像采集单元（8）、成像光学系统（9）和上位机（10）。该装置采用图像采集与处理系统实时判断键合完成状况来替代操作人员目测主观判断的方式，有效提高了判断的准确性；在键合工艺完成后自动关闭高压喷枪喷射气体，节约了惰性气体资源，且在整个键合工艺过程中无需操作人员值守。
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公开(公告)号：CN104928653A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410099591.2
申请日：2014-03-18
Applicant: 长春理工大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术制备p型Cu2O薄膜的方法，该方法是在PEALD系统中以NH3作为掺杂，通过δ掺杂方式，首先在衬底上沉积一层NH3，在沉积的NH3基础上再层积一层CuI，紧接着层积一层O2，生成一分子层氮气，n分子层Cu2O的，完成一个周期，根据需要生长N个这样的周期。所获得的p型Cu2O薄膜具有高的电学性能和良好的均匀性。通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜。可根据需要简单精确的对薄膜进行掺杂控制。
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