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公开(公告)号：CN117156941A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311433904.9
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法。本发明包括提供N型双抛硅片；在N型双抛硅片的表面制备一层有序六方密排PS球阵列层；采用反应离子刻蚀对N型双抛硅片表面进行蚀刻，形成衬底空腔，同样，采用反应离子刻蚀对有序六方密排PS球阵列层进行蚀刻，使其PS球的形状从球形变成椭球体，从而得到PS椭球体阵列层；在衬底空腔中填充PS树脂球；在PS椭球体阵列层上覆盖一层六方密排SIO层；在六方密排SIO层上覆盖一层氮化硅支撑层；在氮化硅支撑层表面分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件以及中心热源。该衬底使MEMS热式流量传感器具有优良的稳定性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN116659599B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310909750.X
申请日：2023-07-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法。本发明包括提供硅衬底；沉积一层多晶硅层，形成P型多晶硅半导体层；对P型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源，并暴露出第二氧化硅支撑层；制作一层第一绝缘层进行电绝缘隔离；对第一绝缘层进行光刻并形成冷热端连接通孔；在第一绝缘层表面沉积一层导电层，形成上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构；在硅衬底的两端制作微流道通道集成凹槽，得到MEMS气体流量芯片本体；将SOI衬底与MEMS气体流量芯片本体进行倒装集成。本发明微流量检测的灵敏度高、测量范围广以及抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN116539109B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310825114.9
申请日：2023-07-06
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请提供一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法，其可以基于较简单的工艺达到更高的灵敏度，同时可以基于较小尺寸实现芯片结构。在第一衬底的上表面设置了两组加热元件与热电堆，两个加热元件的温度场叠加，第一热电腿、互联金属区与第二热电腿共同构成的热电堆，热电堆和磁性薄膜组成了测温元件；测温元件与加热元件共同构成了MEMS热温差型气体流量传感器芯片。
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公开(公告)号：CN116659599A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310909750.X
申请日：2023-07-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法。本发明包括提供硅衬底；沉积一层多晶硅层，形成P型多晶硅半导体层；对P型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源，并暴露出第二氧化硅支撑层；制作一层第一绝缘层进行电绝缘隔离；对第一绝缘层进行光刻并形成冷热端连接通孔；在第一绝缘层表面沉积一层导电层，形成上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构；在硅衬底的两端制作微流道通道集成凹槽，得到MEMS气体流量芯片本体；将SOI衬底与MEMS气体流量芯片本体进行倒装集成。本发明微流量检测的灵敏度高、测量范围广以及抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN115497857A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110678490.0
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于传感器芯片的半导体封装结构，包括外箱，所述外箱内设有放置块，所述放置块表面设有卡槽，所述卡槽内设有第一锥形齿轮，所述放置块上方设有驱动电机，所述驱动电机通过卡合机构与第一锥形齿轮连接，所述放置块内设有多个活动腔，多个所述活动腔内均转动连接有往复丝杠。本发明通过设置多个存放槽、卡合机构、转动机构与往复机构，能利用驱动电机带动第一锥形齿轮转动，从而利用第二锥形齿轮带动多根往复丝杠转动，从而通过丝杠套与连接杆推动推板，推板可以将存放在存放槽内的芯片推至出料板，从而送入封装机内进行封装，实现机械式且有节奏式送料，相较于传统的人工传递与拿取节省人力与时间。
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公开(公告)号：CN115493700A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110678478.X
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了一种数字化红外温度传感系统，包括数据处理中心，所述数据处理中心通过放大电路与计时电路连接有采集模块，所述采集模块包括温度采集模块、颗粒物采集模块与防护模块；所述防护模块内包括显示面板，所述显示面板的左侧侧壁上贯穿设有监测口，所述显示面板内设有安装槽，所述监测口连通安装槽，所述安装槽的内底部通过螺栓固定连接有控制面板，所述安装槽内转动连接有红外传感器。本发明通过设置驱动机构，利用舵机驱动带动传感器旋转，在对所处环境中温度数据采集过程中，实现了多点采集，同时可以采集的数据以及信息进行整合与处理，提高了红外温度监测装置监测得出的数据的准确性与可信性。
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公开(公告)号：CN115493667A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110679837.3
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
IPC分类号： G01F15/00
摘要： 本发明公开了一种基于流量传感器的气液监测控制系统，包括控制箱，所述控制箱内径直穿过有进液管与进气管，所述进液管与进气管内均转动连接有转轴，所述转轴外壁轴向分布有多块扇叶，所述控制箱内设有挤压腔。本发明通过设置弹性机构、挤压机构与循环机构，在进液管流通液体的时候能利用扇叶带动转轴转动，转轴转动的时候能利用其外壁的凸轮往复挤压两侧的推杆，利用推杆可以推动活塞在泵液腔内移动，在通过弹簧的弹力带动活塞恢复原位，因此可以将冷却箱内的冷却液利用吸液管吸入，利用出液口与出液管送回冷却箱内，可以将出液管缠绕在需要降温的设备外部，实现换热降温功能，从而保证设备工作温度的正常，避免高温短路事故发生。
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公开(公告)号：CN114577288A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210203610.6
申请日：2022-03-02
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01F1/69
摘要： 本申请公开了一种热式流量传感器及气体流量检测方法，所述热式流量传感器包括：测流单元，形成在基底的表面，所述测流单元包括依次分立布置的上游热敏元件、加热电阻和下游热敏元件；补偿单元，形成在所述基底的表面，所述补偿单元包括位于所述测流单元上游的上游环境电阻及和位于所述测流单元下游的下游环境电阻；所述加热电阻用于通电加热所述上游热敏元件和所述下游热敏元件；所述加热电阻还用于通电发热，以通过流动气体加热所述上游环境电阻和所述下游环境电阻中的一个。本申请的热式流量传感器可以克服现有热式流量传感器无法对反向气流进行温度补偿的缺陷，同时，可以进行自检测判断，验证传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN111076856A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910763759.8
申请日：2011-11-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN101854578B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010196722.0
申请日：2010-06-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明涉及一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其包括如下步骤：a、提供连接板与背极板；b、将背极板与连接板键合固定；c、对背极板进行减薄；d、减薄后的背极板上生长绝缘键合层；e、提供基板；f、在基板上生长有绝缘支撑层；g、在基板淀积振膜；h、得到安装槽内的振膜；i、将背极板与基板键合固定；j、刻蚀基板上方的连接板与氧化层；k、在背极板上得到下电极孔；l、在上述背极板上淀积电极层；m、得到位于背极板与振膜上的电极；n、得到位于背极板上的若干声孔；o、刻蚀上述基板对应于设有背极板的另一端，得到位于振膜下方的声腔。本发明灵敏度高、噪声低、频带宽、成品率高，制备工艺简单。
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