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公开(公告)号：CN118848781A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411355718.2
申请日：2024-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 侯磊
IPC分类号： B24B27/033 , B24B41/06 , B24B49/00 , B24B55/00
摘要： 本发明实施例提供了一种碳化硅晶锭去胶纸装置及晶锭去胶纸方法，涉及碳化硅晶锭去胶纸设备技术领域。晶锭去胶纸方法应用于碳化硅晶锭去胶纸装置，碳化硅晶锭去胶纸装置包括承载盘、调平装置及研磨装置。承载盘的承载面设置有用于承载晶锭的承载区，调平装置用于调节晶锭粘接面的水平度，调平装置包括第一气囊、导气装置及检测装置，检测装置用于检测晶锭粘接面的水平度，检测装置与导气装置通讯连接。研磨装置用于研磨晶锭粘接面。通过调平装置能将晶锭粘接面调平，进而能够保证晶锭的粘接面的水平度，能够提高研磨装置去除胶水和石墨纸的效果。
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公开(公告)号：CN117779178B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311825531.X
申请日：2023-12-26
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 张炜国
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置和方法，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置包括坩埚本体、坩埚盖、升降驱动组件、称重件和控制器，坩埚盖活动盖设在坩埚本体的顶端，升降驱动组件设置在坩埚盖上方，并与坩埚盖传动连接；称重件设置在升降驱动组件上，用于测量坩埚盖和碳化硅晶体的重量，并生成重量信息；控制器与升降驱动组件和称重件同时通信连接，用于依据重量信息控制升降驱动组件提升坩埚盖，以使碳化硅晶体的生长面与坩埚本体保持相对固定。相较于现有技术，本发明能够依据碳化硅晶体的生长情况来调整其生长面的位置，使得生长面的位置始终保持相对固定，避免轴向温度随时间成长有不同，保证晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN118529511A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410595327.1
申请日：2024-05-14
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 杨洲
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料自动装填设备及方法，属于碳化硅生产领域，碳化硅粉料自动装填设备包括坩埚、升降旋转装置、料仓、出料装置、高度传感器及控制装置，料仓连接于升降旋转装置，用于在升降旋转装置的驱动下升降和旋转，料仓的顶壁开设有进料孔，底壁开设有多个出料孔，出料装置设置于料仓，用于控制多个出料孔的打开或者关闭，高度传感器设置于料仓的上方，用于获取料仓的升降高度，控制装置用于控制升降旋转装置和出料装置的工况，以执行对应的碳化硅粉料自动装填方法。本碳化硅粉料自动装填设备及方法可以实现碳化硅粉料的自动装填，不但可以提高装填效率，而且可以减小装填误差。
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公开(公告)号：CN118456132A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410701224.9
申请日：2024-05-31
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体notch槽加工设备及方法，属于碳化硅生产领域，通过先采用砂轮加工装置对碳化硅晶体进行粗加工，以在碳化硅晶体上形成过渡槽，再通过超声波加工装置在过渡槽的基础上进行精加工，将过渡槽扩大形成notch槽。先砂轮加工后超声波加工的目的在于，砂轮加工相对超声波加工成本低廉，先用砂轮加工出过渡槽，可以有效减少后续超声波加工的切削量，从而减缓超声波加工装置的刀具磨损速率，降低超声波加工装置的维护成本，超声波加工对晶体产生的热损伤远小于砂轮，在砂轮加工过程中晶体受到热损伤的部位，后续会被超声波加工装置去除，如此即可兼顾加工成本和晶体质量。
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公开(公告)号：CN118448253A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410529186.3
申请日：2024-04-29
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 杨双泽
IPC分类号： H01L21/306 , H05B1/02 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种腐蚀炉及其控制方法，属于晶圆加工领域，腐蚀炉包括炉体、加热装置、多个腐蚀槽及控制器，炉体的底部设置有多个定位槽，加热装置包括输入支路、输出支路及多个并联的加热支路，多个加热支路两端分别连接于输入支路和输出支路，输入支路和输出支路分别用于连接电源，每个加热支路上均串联有加热电阻、可变电阻以及电子开关，多个加热电阻一一对应地设置于多个定位槽的底部，多个腐蚀槽能一一对应地放置于多个定位槽内以被对应的加热电阻加热，控制器同时与多个可变电阻和多个电子开关电连接，用于根据外部指令控制多个可变电阻和多个电子开关的工况，以控制多个加热电阻的加热功率，从而实现不同种类和尺寸的晶圆的同时腐蚀。
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公开(公告)号：CN118186589A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410537863.6
申请日：2024-04-30
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 邓欢
摘要： 本发明公开了一种可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长设备领域。该可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置包括长晶炉及容置于长晶炉内部的坩埚与加热器，加热器环设于坩埚的周侧，用于形成竖直向上递减的温度梯度；长晶炉的炉盖设置有第一风道，第一风道具有开设于炉盖内表面的第一进气口与第一出气口，在水平方向上，第一进气口处于加热器外侧，第一出气口处于加热器与坩埚之间；第一风道内设置有第一风机，第一风机用于将加热器外侧的炉内气体向上吸入第一进气口后，再由第一出气口向下吹入加热器与坩埚之间的间隙内。本发明提供的可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置能够有效维持温度梯度，保证碳化硅晶体持续正常生长。
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公开(公告)号：CN117966279A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410134213.7
申请日：2024-01-30
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法，涉及半导体技术领域。该籽晶粘接剂包括质量比为1：(0.1～1)的粘接剂主体和吸气剂；吸气剂为粉末状且分散于粘接剂主体中，吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的任意一种或多种的组合。通过在粘接剂主体中加入吸气剂，使得粘接剂主体在裂解产生气体时，吸气剂能够对产生的气体进行吸附，缓解粘接剂主体的缩聚和重排，减少气体聚集形成空洞，直至粘接剂主体彻底碳化形成稳定的碳结构，具有较佳的均匀性和稳定性。籽晶粘接方法使用了上述的籽晶粘接剂，有利于后续晶体生长的质量。
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公开(公告)号：CN117695973B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410166448.4
申请日：2024-02-06
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J19/08 , C01B32/963 , B01J8/08 , B07B7/01 , B07B7/06
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该碳化硅粉料合成装置包括反应坩埚、碳源供给仓、硅源供给仓、反应加热器和收集仓，通过碳源供给仓提供第一混合气流，通过硅源供给仓提供第二混合气流，第一混合气流和第二混合气流均流通至反应区，进而形成混合有碳化硅粉体的第三混合气流，第三混合气流穿过导流孔，分流板能够分选第三混合气流中符合粒径要求的碳化硅粉体，收集仓能够收集分流板上分选出的碳化硅粉体。相较于现有技术，本实施例通过设置分流板和导流孔，能够分选出符合粒径要求的碳化硅粉体，从而保证收集仓内收集的碳化硅颗粒尺寸更加均匀，满足大粒径要求，提高粉料合成反应的产出率，降低粉料成本。
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公开(公告)号：CN117737835A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311834845.6
申请日：2023-12-28
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 张炜国
摘要： 本发明提供了一种双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法，属于碳化硅生产领域，该装置包括保温筒、第一坩埚、第二坩埚、加热结构以及升降杆，保温筒包括筒体和隔板，隔板可开闭地设置于筒体，第一坩埚设置于筒体内且位于隔板的上方，第一坩埚内设置有第一石墨筒，第一石墨筒贯穿第一坩埚的底壁，第二坩埚设置于筒体内且位于隔板的下方，第二坩埚内设置有第二石墨筒，第二石墨筒位于第一坩埚的底壁，加热结构位于筒体内，用于加热第一坩埚和第二坩埚，升降杆的底部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶，当隔板打开时，籽晶能在升降杆的驱动下可选择地移动至第一坩埚或者第二坩埚内。本生长装置及方法可以制备大尺寸的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN117525157B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410022318.3
申请日：2024-01-08
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种双沟道沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该双沟道沟槽器件包括第一掺杂类型衬底、第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型屏蔽层、第一掺杂区以及第一掺杂类型拓展层，位于所述第二掺杂类型屏蔽层表面的第二掺杂区，位于所述第一掺杂类型拓展层表面的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区表面的第四掺杂区，所述第三掺杂区为第二掺杂类型，所述第四掺杂区为第一掺杂类型；栅氧层，第二掺杂区包裹栅氧层的底部拐角处，第一掺杂区包裹第二掺杂区的拐角处；与栅氧层接触的栅极多晶硅；源极金属以及漏极金属。本申请具有提升了器件电性能与可靠性的优点。
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