公开(公告)号：CN102170529A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110025464.4

申请日：2011-01-21

申请人： 索尼公司

发明人： 筱原武一

IPC分类号： H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H01L29/7813 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/374

摘要： 本发明涉及三维MOS晶体管、固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和包括该固体摄像器件的电子装置。该固体摄像器件包括：像素区域，其中布置有包括光电转换部和多个像素晶体管的多个像素，其中，所述像素晶体管的传输晶体管包括：延伸于基板表面中的传输栅极，其形成在半导体基板的表面上；及掩埋于所述基板中的传输栅极，其与所述延伸于基板表面中的传输栅极电绝缘，所述掩埋于基板中的传输栅极穿过所述延伸于基板表面中的传输栅极在垂直方向上嵌入到所述半导体基板的内部。本发明的固体摄像器件能够增加每单位面积的饱和电荷量。

公开(公告)号：CN101960600A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201080001170.1

申请日：2010-01-27

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 铃木久则 ,  米田康人 ,  高木慎一郎 ,  前田坚太郎 ,  村松雅治

IPC分类号： H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14818

摘要： 本发明的内建电子倍增功能型的固体摄像元件具备：由多个垂直移位寄存器构成的摄像区域(VR)；传送来自摄像区域(VR)的电子的水平移位寄存器(HR)；倍增来自水平移位寄存器(HR)的电子的倍增寄存器(EM)；及设置于摄像区域(VR)的电子传送方向的始点侧的端部的电子注入用电极(11A)。通过电子注入用电极(11A)被注入电子的特定的垂直移位寄存器(信道(CH1))位于半导体基板的厚板部，且被设定成相对于入射光被遮光。

公开(公告)号：CN101425527B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810177448.5

申请日：2005-07-27

申请人： 索尼株式会社

发明人： 神户秀夫

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H04N5/335 ,  H04N3/15 ,  H04N5/225 ,  G02B7/02

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14843

摘要： 本发明公开了一种固态成像装置，其能够减少在光接收部分的周边部分的入射光的光蚀(阻挡)且实现更大视角和高速驱动。采用了由一层多晶硅层形成第一传输电极和第二传输电极的单层传输电极结构。两条分路导线形成于在水平方向上连接的第一传输电极上，且例如四相传输脉冲通过低电阻分路导线供给到在传输沟道上的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：CN101834197A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010172632.8

申请日：2006-11-14

申请人： 松下电工株式会社

发明人： 桥本裕介 ,  高田裕司 ,  今井宪次 ,  常定扶美

IPC分类号： H01L27/148 ,  G01S7/491 ,  G01S17/36 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14812 ,  G01S7/4914 ,  G01S17/36 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3592

摘要： 提供一种空间信息检测装置，其能够减小环境光的影响所导致的饱和现象的可能性。该装置包括：光电转换部分，用于接收来自对象空间的信号光以生成电荷；电荷分离部分，用于从光电转换部分生成的电荷中分离出对应于恒定量的偏置成分的电荷作为不需要的电荷；电荷累积部分，用于累积残留电荷作为反映信号光的波动成分的有效电荷；垒控制电极，用于在电荷分离部分和电荷累积部分之间形成势垒；以及电荷取出部分，用于输出有效电荷作为接收光输出。通过控制对垒控制电极施加的电压以改变势垒的高度，有可能调节通过势垒从电荷分离部分流入电荷累积部分的电荷的量。

公开(公告)号：CN101692457A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910208191.X

申请日：2005-01-06

申请人： 索尼株式会社

发明人： 村上一朗

IPC分类号： H01L27/148 ,  H04N5/217 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14843 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/3572

摘要： 本发明涉及固态成像装置。该装置包括具有主表面的半导体衬底以及形成在沿半导体衬底主表面两个不同方向中至少一个方向上的三个或更多的像素区域。每个像素区域包括多个具有不同灵敏度的光电转换区域。在像素区域的外围像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域比在像素区域的中心像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域有着更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN101361190A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680051284.0

申请日：2006-12-06

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 新添真人 ,  平田和久 ,  山田彻

IPC分类号： H01L29/768 ,  H01L21/339 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L29/66954 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14831 ,  H01L29/76833

摘要： 在半导体衬底(101)上依序层叠第一氧化膜(102)及第一氮化膜(103)。多个第一栅电极(104)排列第一氮化膜(103)上，相互间留有规定的间隔。由第二氧化膜(105)覆盖各第一栅电极(104)的上部及侧壁。由第二氮化膜(106)覆盖第二氧化膜(105)、和各个第一栅电极(104)间的第一氮化膜(103)。至少在相邻的各个第一栅电极(104)间的第二氮化膜(106)上形成多个第二栅电极(107)。各个第二栅电极(107)与第一栅电极(104)由第二氧化膜(105)及第二氮化膜(106)隔开，同时，第二栅电极(107)与半导体衬底(101)由第一氧化膜(102)、第一氮化膜(103)及第二氮化膜(106)隔开。

公开(公告)号：CN101257034A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810050583.3

申请日：2008-04-10

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 翟林培 ,  丁亚林 ,  翟岩

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14806 ,  H01L29/765

摘要： 可提高分辨率的CCD像元的几何形状，属于CCD器件制造及应用技术领域，涉及的像元的几何形状。本发明要解决的技术问题是：提供可提高分辨率的CCD像元的几何形状。解决的技术方案是：用相交的两条直线或曲线，且交点在像元内，将传统的CCD像元划分出四个面积相等的子区，本发明所指的CCD像元的几何形状，是去掉其中任意一个子区后形成的像元的几何形状。具有这种几何形状的像元，可提高CCD器件的分辨率。

公开(公告)号：CN100407435C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN03136280.X

申请日：2003-05-15

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 纲井史郎

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14812

摘要： 一种电荷耦合装置(CCD)，包括：沿一传输通道交替设置的第一层传输电极和第二层传输电极，其中位于第一层传输电极之下的电荷存储部分的宽度大于位于第二层传输电极之下的势垒部分的宽度。第一和第二互接线向该传输电极提供两相驱动信号。把第一互接线连接到该传输电极的接触塞以及连接第二互接线的接触塞相对于传输通道的中心线设置在相对的侧部。

公开(公告)号：CN100407430C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200410031961.5

申请日：2004-03-31

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田徹

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14831

摘要： 提供了一种能同时降低读取电压和提高转移效率的固态成像装置。p型阱(507)形成于n型半导体基片(506)上，CCD通道区(102)形成于p型阱(507)的表面区域。栅极绝缘膜(510)形成于CCD通道区(102)的表面，第一电荷转移电极(503)形成于栅极绝缘膜(510)上。层间绝缘膜(511)形成于第一电荷转移电极的周围，第二电荷转移电极(504)形成于栅极绝缘膜(510)上的第一电荷转移电极之间。第二电荷转移电极(504)的电极长度(L1)比第一电荷转移电极(503)的电极长度(L2)长，通过注入p型杂质，n-型电平差区域(113)形成于第二电荷转移电极(504)下的CCD通道区域的上游一侧的区域。

公开(公告)号：CN1825624A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610004894.7

申请日：2006-01-12

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 大乡尚彦

IPC分类号： H01L29/765 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14636

摘要： 在相应于最终级传输电极(56－2)及OG(76)各自的沟道区域(60)的位置上形成朝水平方向突出的凸部，仅在该部分上使两电极间的重叠产生。在设置凸部以外部位上OG(76)和传输电极(56－2)之间形成间隙。特别是在将OG(76)、传输电极(56－2)分别面向配线(78)、(54)而比较长地拉伸延长了的部分上，两电极相互不重合。这样缓和两电极间的电容耦合。由此，解决了在CCD移位寄存器的输出端，通过输出栅电极(OG)和最终级传输电极的电容耦合，使OG的电位相应于传输时钟而变动的结果，在输出信号上容易产生噪音的课题。