多波长混合集成光发射阵列

    公开(公告)号:CN107026391A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710290251.1

    申请日:2017-04-27

    IPC分类号: H01S5/40

    CPC分类号: H01S5/4025 H01S5/4087

    摘要: 本发明提供了一种多波长混合集成光发射阵列,包括多个光处理单元,每个光处理单元包括:一有源光器件,包含第一衬底,所述第一衬底材料为III‑V族半导体材料,用于发射激光;一分束光波导,包含第二衬底,第二衬底的材料与第一衬底相同,用于将所述激光分束,形成分束激光。本发明中,有源光器件和分束光波导的衬底为同一III‑V族半导体材料,减少了不同材料耦合造成的光损耗,有利于降低光发射阵列的功耗,且改善了多波长混合集成光发射阵列的制备工艺和尺寸。

    光源装置
    95.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103703310B

    公开(公告)日:2017-05-03

    申请号:CN201280036373.3

    申请日:2012-07-26

    摘要: 光源装置具备:第1激励光源(10),射出具有第1波长区域的第1激励光;第2激励光源(12),射出具有与第1波长区域不同的第2波长区域的第2激励光;第1波长变换部件(22),在吸收了第1激励光时射出第1波长变换光;和第2波长变换部件(24),在吸收了第2激励光时射出第2波长变换光;第1及第2激励光源能够独立地进行光量设定而且能够同时发光,向第1及第2波长变换部件照射了第1激励光时射出的第1射出光的光谱形状与向第1及第2波长变换部件照射了第2激励光时射出的第2射出光的光谱形状相互不同,第1及第2波长变换部件都配置在第1及第2激励光的共同的照射区域内。