兰姆波谐振器及制备方法、滤波器、射频模组、电子设备

    公开(公告)号:CN117639707A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202211036177.8

    申请日:2022-08-27

    IPC分类号: H03H9/02 H03H3/02 H03H9/54

    摘要: 本申请实施例提供一种兰姆lamb波谐振器及制备方法、滤波器、射频模组、电子设备。lamb波谐振器作为滤波器的元件,可以应用于射频器件中。lamb波谐振器包括:衬底、压电层、叉指换能器以及介质层。压电层设置在衬底上,叉指换能器和介质层设置在压电层远离衬底一侧。叉指换能器包括多个第一电极指和多个第二电极指,多个第一电极指和多个第二电极指沿第一方向依次交替排布;第一方向与第一电极指和第二电极指的延伸方向相交。介质层包括第一部分,第一部分设置在压电层的表面,且位于第一电极指和第二电极指的外围。

    振动元件的制造方法
    93.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117639698A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311104501.X

    申请日:2023-08-30

    IPC分类号: H03H3/02 H03H9/19

    摘要: 本发明提供振动元件的制造方法,能够抑制振动特性的劣化。振动元件的制造方法包括:准备石英晶片的工序,其中,所述石英晶片具备振动元件和保持部,所述振动元件具有沿着第一方向排列的支承部和振动部,所述保持部连接于支承部的与第一方向交叉的第二方向上的一个端部;粘接工序,经由粘接剂将石英晶片的至少支承部和保持部固定于膜;以及单片化工序,使膜沿着第二方向伸展,从而将振动元件从保持部分离来进行单片化。

    体声波滤波装置及其形成方法
    94.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117614413A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311466981.4

    申请日:2023-11-06

    摘要: 一种体声波滤波装置及其形成方法、体声波滤波装置,谐振装置包括:压电层,包括第一区和第二区;位于压电层第一侧的第一电极结构和第二电极结构,第二电极结构的厚度大于所述第一电极结构的厚度;位于压电层第二侧的第三电极结构和第四电极结构;第一电极结构包括第一电极层,第二电极结构包括第二电极层、阻挡层以及负载层,阻挡层位于第二电极层与负载层之间;负载层在压电层上的投影位于第二电极层在压电层上的投影内,负载层的第一负载边缘与对应的第二电极层的第一电极边缘之间具有第一间距,负载层的第二负载边缘与对应的第二电极层的第二电极边缘之间具有第二间距。体声波滤波装置性能得到提升。

    一种滤波器、形成滤波器的方法及相关设备

    公开(公告)号:CN117614411A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311672815.X

    申请日:2023-12-07

    发明人: 万晨庚

    摘要: 本申请实施例提供了一种滤波器、形成滤波器的方法及相关设备,其中,滤波器包括:滤波结构,所述滤波结构包括第一衬底,位于第一衬底上的支撑层,位于支撑层上的第一电极,位于第一电极上,且相互隔离的第一键合结构和压电功能层,位于压电功能层上的第二电极,位于第二电极上的第二键合结构,以及位于第一键合结构和第二键合结构上的第二衬底;贯穿第二衬底的硅通孔,和,位于硅通孔内且贯穿第一键合结构的第一绝缘通孔,以及,位于硅通孔内且贯穿第二键合结构的第二绝缘通孔;导电互连结构,所述导电互连结构包括电极连接结构和与电极连接结构相连的焊垫结构;位于导电互连结构一侧的表面的钝化层。本申请实施例提升了滤波器的端口阻值。

    振动元件的制造方法
    97.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117595814A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310986867.8

    申请日:2023-08-07

    IPC分类号: H03H3/02 H03H9/215

    摘要: 振动元件的制造方法。能够一并形成外形和槽。振动元件的制造方法包括:准备工序,准备具有第1基板面和第2基板面的石英基板;第1保护膜形成工序,在第1基板面中的第1槽形成区域形成第1保护膜;第2保护膜形成工序,在第1基板面中的第1振动臂形成区域以及第2振动臂形成区域的除了第1槽形成区域之外的区域形成第2保护膜;以及第1干蚀刻工序,隔着第1保护膜和第2保护膜从第1基板面侧对石英基板进行干蚀刻,形成第1面、第1槽以及第1振动臂和第2振动臂的外形,在设第1保护膜的蚀刻速率为r1、第2保护膜的蚀刻速率为r2时,满足r1>r2的关系。

    弹性波器件
    98.
    发明公开
    弹性波器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117544123A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202310940352.4

    申请日:2023-07-28

    IPC分类号: H03H9/02 H03H3/02 H03H3/08

    摘要: 本发明实施例提供一种弹性波器件,包括:器件芯片,具有第一表面;谐振器,形成于所述器件芯片的第一表面;支撑层,设置在所述第一表面上且包围所述谐振器;以及覆盖层,形成在所述支撑层上,与所述器件芯片和所述支撑层共同围合形成气密密封所述谐振器的空腔,并且使位于至少一个所述空腔上的所述覆盖层以所述谐振器的形成侧为弯曲内侧的方式弯曲。本发明实施例提供的弹性波器件能尽可能地防止该弹性波器件的覆盖层由于在将弹性波器件安装于模块基板之后在该模块基板形成密封树脂层时作用的力而与器件芯片的第一表面或谐振器接触。

    一种音叉晶圆的不规则折取方法及系统

    公开(公告)号:CN117410212B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311705585.2

    申请日:2023-12-13

    摘要: 本发明涉及晶体加工技术领域,尤其涉及一种音叉晶圆的不规则折取方法及系统,该折取方法包括如下步骤:获取原始晶圆的坐标数据,根据坐标数据建立矩形坐标系;修改对应固定边框位置的坐标数据的索引和使用状态;提取矩形坐标系中的纵坐标相同的坐标数据组成树形数据结构,将树形数据结构中对应每一音叉晶圆的坐标数据标记子节点;获取折刀机构中的折刀信息,根据树形数据结构、子节点和折刀信息分析折刀的使用情况,根据折刀的使用情况确定折刀的折取路径;控制折刀根据折取路径运行以折取原始晶圆,获取音叉晶圆。本发明提高了音叉晶圆的折取效率,提高了音叉晶圆折取后的合格率,降低了生产成本。

    压电基板的制造装置和压电基板的制造方法

    公开(公告)号:CN111034038B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN201880053663.6

    申请日:2018-09-27

    发明人: 崔弘毅

    IPC分类号: H03H3/02

    摘要: 压电基板的制造装置具备:第1电极(10);第2电极(20),其隔着压电基板而与第1电极(10)对置;罩(50),其将第2电极(20)包围成使第2电极部空间(51)供给处理气体;加工部(65),其在第1电极(10)与第2电极(20)之间施加电压,使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理;检测器(80),其设置于罩(50)的外侧,且与第2电极(20)的相对位置受到固定;测定部(63),其通过检测器(80)测定压电基板的厚度;驱动部(30),其使第1电极(10)与第2电极(20)间的相对位置变化;以及控制部(61),其对供给部(40)、加工部(65)、测定部(63)和驱动部(30)进行控制。(20)的顶端暴露;供给部(40),其对罩(50)的内