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公开(公告)号：CN118906274A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411334885.9
申请日：2024-09-24
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70μm；所述砂浆切割处理采用的砂浆包括金刚石微粉与切削油；所述砂浆的粘度为5~50 mPa•s。与现有技术相比，本发明通过电镀有金刚石磨粒的切割线和含有金刚石微粉的砂浆液共同作用，再结合切割工艺参数的设置，确保切割后碳化硅晶片的总厚度变化和翘曲度变化，从而实现采用更细的切割线、更小粒度的磨粒达到降低切割损耗的目的，使将碳化硅晶体切割的单片损耗降低至100μm以内。
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公开(公告)号：CN118637622A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410617603.X
申请日：2024-05-17
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： C01B32/956
摘要： 本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的免洗处理方法，包括以下步骤：A）将碳化硅块状料使用碳化钨材质的破碎机进行破碎，得到碳化硅颗粒料；B）将碳化硅颗粒料平铺装入石英盘，在含氧气体氛围下进行加热，得到高纯的碳化硅粉料。本发明破碎掺入金属杂质单一，碳化硅粉料表金属杂质含量更低；本发明中的方法简便高效：本发明免洗方法加工高纯碳化硅粉料，不需要经过磁选、漂洗、酸洗等步骤，提高了制备效率，降低生产成本；本发明中的方法可以有效去除碳化硅粉料中的细微碳化物，增加长晶的良率；综上所述，相对于现有技术，本发明具有制备方法简便高效、纯度更高，长晶效果更好等优越性。通过本发明，可以提高碳化硅粉料的加工效率和质量。
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公开(公告)号：CN117761083A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311783499.3
申请日：2023-12-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G02B21/36 , G01N21/01
摘要： 本申请公开了一种碳包裹物的检测方法及装置，该检测装置包括：显微镜头、环形红外发光器、测试平台以及聚焦传感器；环形红外发光器的上方设置有显微镜头；环形红外发光器用于对待检测样品照射红光；显微镜头用于捕拍待检测样品的图像；环形红外发光器的光路路径上设置有测试平台；测试平台用于承载待检测样品；测试平台的下方设置有聚焦传感器；聚焦传感器用于获取待检测样品的最佳聚焦距离参数。通过显微镜头根据多层图像的最佳聚焦位置对照射红光的待检测样品进行捕拍，不同深度和不同尺寸的碳包裹物都能够被捕拍到，再对捕拍到目标图像中的碳包裹物进行抓取，实现了精准识别碳包裹物的目的。
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公开(公告)号：CN117301329A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311028043.6
申请日：2023-08-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶托粘接装置，包括：主体，包括用于放置底托的操作面；压紧部，包括压板、压力传感器和调节组件，压板包括供晶体嵌入设置的凹陷区，压板与操作面间隔设置，压力传感器用于反馈压板施加的压力值，调节组件与压板传动连接以调节压板与操作面之间的距离；限位部，包括转动设置于主体上的限位杆，限位杆在转动至锁定位置时与压板配合在垂直于晶体的方向上夹紧晶体。本发明通过位置可调且适配晶体结构的的压板对晶体实现压合动作，实现对晶体的均匀施力，并通过压力传感器调节压力值以保证压合效果。本发明还提供了一种适用于上述晶托粘接装置的粘接方法。
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公开(公告)号：CN116230570A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310118338.6
申请日：2023-02-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请公开了一种晶圆测厚系统及方法，该系统包括显示模块、工控机、电气控制模块、信号采集模块；信号采集模块包括拍照单元、气体控制单元和测厚单元。显示模块用于获取晶圆的初始厚度、目标厚度、预设阈值和时间频率，并显示测试结果。工控机根据时间频率向电气控制模块发送测试信号，向电气控制模块发送测试指令，接收并计算测试数据后向显示模块发送测试结果。电气控制模块根据测试信号控制拍照单元进行拍照后，向主控机发送图片数据，接收并根据测试指令控制气体控制单元和测厚单元进行测试后，向工控机发送测试数据。由此直接对晶圆进行测厚，不需要通过测量其他物体间接进行测厚，测量的可靠性高，提升了测量精确度。
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公开(公告)号：CN114280009A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111671279.2
申请日：2021-12-31
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片的综合缺陷检测装置及方法，单纯的采用光学检测方法，附带自动聚焦功能，通过多光合使用可同时检测碳化硅晶片正反面和内部多种缺陷；并配合智能算法程序自动识别和收集碳化硅晶片各种缺陷的统计信息。采用本发明可以快速、准确地自动识别和统计碳化硅晶片的多种缺陷，并且各种缺陷可以准确定位，便于晶片质量分析。
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公开(公告)号：CN110592672B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811533723.2
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程中，在温度保持在高温的条件下，通过控制生长室内的压力来调控SiC晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长，从而促使基面位错在中断后接长时转换为刃位错，从而获得低基面位错密度的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN217668714U
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202222115030.X
申请日：2022-08-11
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/34
摘要： 本申请实施例公开了一种抛光垫粘贴装置，包括压紧件、夹持舒展组件和驱动组件。夹持舒展组件在驱动组件的作用下贴合抛光垫的上下表面运动，使抛光垫处于舒展状态，压紧件在驱动组件的作用下沿着抛光垫的上表面运动，对粘贴在大盘上的抛光垫施加压紧力，使抛光垫平整粘贴在抛光机的大盘上。夹持舒展组件对抛光垫进行夹持舒展，舒展后的抛光垫粘贴在大盘上，压紧件同时对粘贴在大盘上的抛光垫进行压紧，使抛光垫在大盘上粘贴平整。本申请公开的抛光垫粘贴装置能够实现抛光垫在大盘上的自动粘贴，相对于现有技术中通过人工手动粘贴的方式，降低了抛光垫粘贴的人工劳动强度。
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公开(公告)号：CN221588752U
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202322941793.4
申请日：2023-10-31
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种用于制备碳化硅单晶的坩埚结构，包括：坩埚主体；所述坩埚主体包括原料腔与生长腔；所述原料腔与生长腔通过石墨过滤件分开；所述石墨过滤件设置有贯穿的、上窄下宽的锥形孔洞；所述原料腔与生长腔通过锥形孔洞相连通。与现有技术相比，本实用新型提供的坩埚结构中的石墨过滤结构可有效阻挡来自生长初期石墨被侵蚀产生的石墨颗粒和后期原料中的碳颗粒，在保证气流能够顺利通过的情况下，有效地提高了晶体生长全阶段的包裹质量；并且本实用新型通过石墨过滤件在气体传输区域对气流进行过滤，可在不减少装料量、不影响温场的情况下，有效减少晶体生长过程中产生的包裹，提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN220543850U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202322238652.6
申请日：2023-08-18
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种晶圆清洗装置。该晶圆清洗装置包括：第一槽体，设有溢流孔，且第一槽体内设置有能够承载待清洗晶圆的载台，第一槽体能够与第一气源导通；第二槽体，设有能够容纳第一槽体的容纳空间；水力空化器，连通第一槽体和第二槽体的容纳空间；清洗液循环组件，设置于容纳空间，用于将容纳空间内的清洗液泵入水力空化器；兆声发射器，设置于第一槽体的底部。该晶圆清洗装置采用水力空化器与兆声发射器协同工作，使水力空化器的流场和兆声发射器的兆声场域相重合，起到协同空化的作用，促进空化效应的增强；空化效应的增强，不仅提供湍流、微射流与冲击波，还产生强氧化性的羟基自由基，进一步去除晶圆表面的吸附污渍，提高清洗效果。
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