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公开(公告)号：CN117685924A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311702842.7
申请日：2023-12-12
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种评估切割机的切割线与轮槽端面夹角的方法，包括：S1、获取切割线行进距离x，获取切割线在行进行进距离x中的发生旋转角度α’，测量切割线在近轮的离开点至切割线在远轮接触点之间的BC距离l；S2、通过行进距离x、旋转角度α’、BC距离l、切割线的半径r0，计算出关于切割线与轮槽端面的夹角γ的三角函数；S3、通过三角函数，计算出夹角γ。通过S1、S2和S3即可计算出切割线与轮槽端面的夹角γ，相对于传统方法，该方法以切割线自身为基准，不容易受到外部因素对评估结果的影响，特别适用于参考平面不平整、操作环境复杂等直尺测量方法受限的工作环境。
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公开(公告)号：CN117733731A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311807445.6
申请日：2023-12-26
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种双面抛光机及其除胶装置，该除胶装置包括：除胶机构、除胶介质存储箱和控制开关；除胶机构用于设置于双面抛光机的磨盘的外侧，且相对于磨盘能够活动，具有可切换的第一工位和第二工位，除胶机构在第一工位时位于磨盘内且同磨盘的盘面接触配合，并能够向磨盘的盘面喷射除胶介质，在第二工位时位于磨盘外；除胶介质存储箱用于向除胶机构提供除胶介质；控制开关用于控制除胶机构的活动，以使得除胶机构在第一工位和第二工位切换，和控制除胶介质存储箱的开闭，从而有助于实现磨盘残胶的自动化清除，不仅使得磨盘残胶的清除效率提高，还可避免对磨盘的盘面造成损伤，确保磨盘的盘面的平整度。
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公开(公告)号：CN114393512A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210113488.3
申请日：2022-01-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/08
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片表面加工的方法，包括以下步骤，将碳化硅晶片经过双面研磨后，再经过电感耦合等离子体刻蚀后，得到表面加工后的碳化硅晶片。本发明提供的是一种新型的双面研磨方法和电感耦合等离子体加工工艺。整个加工过程中先对晶片进行双面研磨，在双面研磨的过程中，采用固结磨料的金属研磨盘进行双面研磨加工，并且加入大粒径的磨料，更有利于控制加工温度和带走研磨屑。然后对晶片进行ICP刻蚀，通过控制刻蚀气体的组成，比例和流量达到控制晶片表面的刻蚀深度，从而能能够去前道工序造成的表面损伤和金属残留，得到无损伤层的碳化硅加工表面。
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公开(公告)号：CN118024054A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311842290.X
申请日：2023-12-28
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：将UV固化有机硅/SiO2杂化涂料涂敷在碳化硅晶片A表面，固化，得到树脂膜；固定A表面，对碳化硅晶片B表面打磨；去除树脂膜，固定打磨后的B表面，并对A表面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片。采用上述方法加工的碳化硅单晶片，表面翘曲度小于35μm，‑5μm＜弯曲度
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公开(公告)号：CN114734333A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210481041.1
申请日：2022-05-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒角方法，包括以下步骤：根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型；将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上；将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作；在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向，同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向；根据待加工晶片的不同材质，设置砂轮的转速为不同转速；根据待加工晶片的不同的轮廓形貌，在倒角装置上设置不同的加工参数，对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角；以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角。上述倒角方法可加工出不同的待加工晶片的不同的轮廓形貌，减少砂轮的更换频率，提升加工效率，而避免端面毛刺的现象出现。
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公开(公告)号：CN114290132A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111660362.X
申请日：2021-12-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片的表面处理方法，碳化硅晶片包括A表面和B表面；其表面处理方法包括：A)将碳化硅A表面涂覆树脂膜，得到平整的A表面的碳化硅；B)将A表面固定，将B表面进行打磨；C)去除碳化硅A表面的树脂膜，固定打磨后的B面，将A面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片；D)将双面打磨的碳化硅晶片抛光，即得。采用上述方法制备的碳化硅单晶抛光片，表面翘曲度小于20μm,弯曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。
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公开(公告)号：CN117758357A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311788322.2
申请日：2023-12-22
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体晶棒的生长系统及生长半导体晶棒的方法，该生长系统包括：具有生长腔室的加热体，生长腔室包括：第一区域，第一区域用于放置原料；第二区域，第二区域位于第一区域的上方；第二区域的顶部内侧具有籽晶固定区域；设置在生长腔室外侧的线圈组件，线圈组件包括：第一线圈，第一线圈围绕在第一区域的侧壁外侧；第二线圈，第二线圈围绕在第二区域的侧壁外侧；其中，在第一工作阶段，第一线圈与第二线圈处于第一功率，以对生长腔室内的原料进行加热；在第二工作阶段，第二线圈维持处于第一功率，第一线圈从第一功率开始逐渐增大，以增大第一区域内原料的升华速率，从而有效的提高原料的利用率，同时增大生长的晶棒的厚度。
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公开(公告)号：CN117506708A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311780132.6
申请日：2023-12-21
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种SiC晶片的抛光方法，该抛光方法包括：利用磨轮分别对待加工SiC晶片的Si面和C面进行磨削处理，当待加工SiC晶片的温度大于85℃时，加入研磨液对待加工SiC晶片的Si面和C面进行抛光处理；由于采用磨轮进行磨削处理时会因为摩擦产生热量使得待加工SiC晶片的两个表面形成氧化层，影响抛光效果，因此加入研磨液不仅可以控制待加工SiC晶片的温度，避免形成氧化层的厚度增大，并且氧化层和研磨液中的磨粒也会参与到抛光处理的过程，以降低两个表面的粗糙度；并且由于这种抛光方法可以对待加工SiC晶片一边减薄一边抛光，加工完成后无需双面抛光工序，直接送至单抛工序，降低了加工成本，提高了加工效率。
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公开(公告)号：CN116408720A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111642211.1
申请日：2021-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B49/00 , B24B37/34 , B24B41/00 , B24B53/017 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种抛光设备，包括加压模块和承载盘，所述承载盘设置有研磨区，所述加压模块用于将晶圆压紧在所述研磨区上；所述研磨区与所述加压模块的施力部之间形成凹陷结构，以将所述加压模块施加于晶圆的力分散至所述施力部的中心或者边缘。本发明提供的抛光设备，在加压模块通过施力部压紧晶圆至承载盘上的研磨区时，将研磨区与施力部之间形成凹陷结构，压力会由于凹陷结构的存在而分散至施力部的中心或边缘，从而使施力部从晶圆四周对晶圆施加压力，解决了晶圆由于一侧受力大而在加工过程产生偏斜的问题。本发明还公开了一种抛光设备的加工方法。
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公开(公告)号：CN116024664A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211663903.9
申请日：2022-12-21
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/36
摘要： 本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的厚度小于400微米，弯曲度bow值不大于‑1微米，且满足Y＝‑A/X，其中，X为厚度，Y为弯曲度bow值，A为300～8000，warp值不大于bow值绝对值的3倍。与现有技术相比，本发明一方面可提供更薄厚度的衬底，从而增加同等厚度SiC晶体产出晶片的数量，降低成本；另一方面，通过特定的几何外形及结晶的原子面弯曲保证下游外延、器件对晶片制作过程中的要求；第三方面提供低厚度衬底同时外形翘曲变化可以满足整个产业链的要求，也极大降低器件环节的减薄成本。
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