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公开(公告)号：CN105386006A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510766400.8
申请日：2015-11-11
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/22
Abstract: 前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN105386005A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510764503.0
申请日：2015-11-11
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/22
Abstract: 一种制备组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN103326695A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245583.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉一种含MEMS开关的可重构匹配网络匹配器，包括六个MEMS桥单元、地线、信号线以及六个偏压垫，所述第地线、信号线依次平行设置于衬底上，所述六个MEMS桥单元依次垂直于所述两地线排列于衬底上，所述每个MEMS桥单元包括两个悬臂梁桥膜、一个支撑梁桥膜以及四个桥墩。其有益效果为：硅片上的MEMS开关替代传统的PIN开关二极管、变容二极管或FET等开关器件实现滤波器的频率重构；共面波导传输线替代了传统的PCB板上的共面波导传输线；结构紧凑简单、尺寸微小、控制电路功耗低、工作频率高；可与传统的IC工艺兼容，工艺成熟，成本低廉，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN102693411A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110074222.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于射频指纹的无线发射机的识别方法，包括：接收无线发射机发射的无线信号，无线信号是无线发射机在功率渐升的同时发射的前导序列；检测无线信号的参考时刻；根据检测到的参考时刻对无线信号进行前导信号的截取；把截取后的前导信号变换为射频指纹；对变换后的射频指纹进行特征提取，进行无线发射机的识别。本发明的基于射频指纹的无线发射机的识别方法利用功率斜升期间发送的前导信号变换得到的ramp-up RFF(Radio Frequency Fingerprints，简称RFF)，具有RFF可分性优并且所需采样率低的优势，ramp-up RFF可用于基于前导的无线设备的多RFF识别，从而实现无线网络物理层安全增强等目的。
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公开(公告)号：CN117405522A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311363547.3
申请日：2023-10-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供一种柔性微波薄膜器件的仿真环境下的弯曲、折叠、扭曲测试方法，在设定的湿度环境和温度、汗渍条件下，模拟真实穿戴时的不同条件，使用弯曲测试仪器对柔性微波薄膜器件样品进行弯曲、折叠、扭曲测试；对比不同测试条件下的测试结果，评估柔性微波薄膜器件的性能稳定性和可靠性；根据数据分析结果，得出柔性微波薄膜器件在不同湿度、温度、汗渍环境下的弯曲、折叠、扭曲性能评价结论。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117220608A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311196509.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种基于皮尔斯振荡器的低功耗晶振电路的工艺角测试方法，IPC分类号为G01R31/28，其特征在于：所述低功耗晶振电路包括上电复位电路、稳压电路、Pierce‑CMOS晶振电路、输出缓冲整形电路；将奇数个Pierce‑CMOS晶振电路串联构成环形振荡器，每一个Pierce‑CMOS晶振电路的输出端口作所述环形振荡器的输出端口，以输出振荡信号；在每个周期中以高电平和低电平测量振荡信号的周期和振荡信号的持续时间；和基于所述振荡信号的周期和所述振荡信号在每个周期中处于高电平和低电平的持续时间，确定所述Pierce‑CMOS晶振电路的工艺角，工艺角包括快NFET和快PFET(ff)、慢NFET和慢PFET(ss)、慢NFET和快PFET(sf)及快PFET和慢NFET(fs)。
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公开(公告)号：CN116435794A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210000749.0
申请日：2022-01-04
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及柔性微波天线/滤波器领域，具体涉及一种高耐弯曲性的柔性微波天线/滤波器的制造方法。两片聚酰亚胺薄膜外凸的一面、内凹的一面所制备得到的金属银导电层面对面地被拉伸平直状态下叠合热压成型，因此两个金属银导电层将紧密接触合并构成一个导电层，导电层位于热压后的聚酰亚胺薄膜的内部，因此，无论柔性微波天线/滤波器在弯曲、揉搓、褶皱、摩擦状态，金属银导电层都受到聚酰亚胺薄膜的保护，不会受到外界的摩擦而被减薄和开裂，进一步增强了其耐弯曲、耐磨的机械性能。
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公开(公告)号：CN116399911A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111608589.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种湿度传感器的丝网印刷制造方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上制造叉指电极；（2）在制造好叉指电极的柔性衬底上，采用丝网印刷工艺制备沿着叉指电极的叉指走线方向组分渐变的湿敏材料；（3）烘干、固化步骤（2）所得到的湿度传感器；在保持准确度的同时，只用一个湿度传感器就实现了较宽的湿度测量范围，并且还能进一步降低制造成本、降低湿度传感器的复杂度；通过印刷工艺，取得了比彩色打印更快的制造速度。
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公开(公告)号：CN116223571A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111458343.9
申请日：2021-12-02
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置，包括用于容置矩形衬底的腔体，腔体内部相对设置有第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴；第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴分别用于交替脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料；第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料的电阻率敏感依赖于环境湿度；第一雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料，衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低；第二雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低。第一雾化喷嘴、第二雾化喷嘴、第一射流式雾化器、第二射流式雾化器均为固定设置，避免了制造装置容易疲劳损坏的问题。
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公开(公告)号：CN116148316A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111384311.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种湿度传感器芯片的制造方法，其目的在于：实现宽湿度测量范围，并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为，采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造，湿度敏感材料沉积在衬底上，衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上，沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高，湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线，具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大，本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。
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