利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法

    公开(公告)号:CN104975343A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510304702.3

    申请日:2015-06-04

    Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法,它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂,并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题,方法为:一、金刚石籽晶清洗;二、焊接;三、放置籽晶;四、氢等离子体刻蚀/退火,即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷,提高结晶度,从而获得高质量的籽晶,并极大简化了操作,节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。

    使用铂族金属对金刚石进行表面直接金属化且增强与非浸润金属结合强度的方法

    公开(公告)号:CN119121153A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411039723.2

    申请日:2024-07-31

    Abstract: 使用铂族金属对金刚石进行表面直接金属化且增强与非浸润金属结合强度的方法,本发明为了解决非浸润金属在金刚石上附着力差易脱落,钛、钨等常用中间层需要后续退火等繁琐步骤的问题。增强与非浸润金属结合强度的方法:一、对金刚石片进行抛光,然后放入王水中煮沸处理;二、将预处理后的金刚石片放入氧化性酸液中,煮沸处理;三、采用真空物理气相沉积工艺或者湿法镀覆工艺在金刚石片镀覆铂族金属层;四、在金属化的金刚石片表面沉积或者镀覆非浸润金属层。本发明利用铂族金属易与金刚石相互扩散形成致密固溶体的倾向,直接沉积即可完成对金刚石的表面金属化,所制成的金刚石‑铂族金属结构具有较高结合强度、较低电阻与热阻。

    一种层状轻质高强金属材料制备装置及方法

    公开(公告)号:CN118926341A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410987268.2

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明属于金属复合材料制造技术领域,具体涉及一种层状轻质高强金属材料制备装置及方法。该装置包括真空热压机及设置于真空热压机内的热挤压模具,其中热挤压模具包括上模具、中模具及下模具,中模具上设有多个热挤压腔,各热挤压腔内均设有上下布置的上模具和下模具,真空热压机通过驱动下模具和上模具进行相对运动,实现热挤压腔内单片工业纯金属板的热挤压工艺,高通量获得工业纯金属片,及实现热挤压腔内多层工业纯金属片的热挤压工艺,高通量获得层状金属试验板。本发明能有效获得粗晶和细晶交替叠加的层状金属的微观组织,进而形成宏观具有高强和塑性兼备的高强塑层状构型材料。

    一种耐高温金属材料疲劳试验装置

    公开(公告)号:CN118883326A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410995258.3

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明属于材料疲劳测试技术领域,特别涉及一种耐高温金属材料疲劳试验装置。包括底座、运动驱动机构、真空腔体、加热套组件、试验件固定组件及变载荷机构,其中运动驱动机构和真空腔体均设置于底座上,运动驱动机构用于驱动真空腔体相对底座往复直线运动;真空腔体包括试验腔和变载荷腔,变载荷机构设置于变载荷腔内,加热套组件和试验件固定组件设置于试验腔内,试验件固定组件用于固定超高温试验件,且试验件固定组件与变载荷机构连接,加热套组件用于对超高温试验件进行加热及温控;变载荷机构随着真空腔体的往复直线运动,对超高温试验件被动加载交变载荷。本发明结构简单,体积小,密封性好,提高了疲劳试验的可靠性和准确性。

    一种叠层p-金刚石/n-β-Ga2O3异质结同位素电池

    公开(公告)号:CN118748097A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410801466.5

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 一种叠层p‑金刚石/n‑β‑Ga2O3异质结同位素电池,本发明要解决n型金刚石掺杂困难,金刚石的厚度难降低等问题。本发明异质结同位素电池由下至上依次由放射源正电极层A、半导体器件A、放射源背电极层B、半导体器件B和放射源正电极层C形成叠层结构,其中半导体器件A从下至上依次由p+‑金刚石帽子层A、p‑金刚石发射层A、n‑β‑Ga2O3基层A和n+‑β‑Ga2O3缓冲层A形成叠层结构;所述的半导体器件B从下至上依次由n+‑β‑Ga2O3缓冲层B、n‑β‑Ga2O3基层B、p‑金刚石发射层B、p+‑金刚石帽子层B形成叠层结构。本发明采用了叠层结构,提高了器件的能量密度,还兼具高功率、小体积等特点。

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