-
公开(公告)号：CN116915325A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310911212.4
申请日：2023-07-21
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及一种基于量子阱二极管器件的光通信网络结构及其控制方法。所述基于量子阱二极管器件的光通信网络结构包括多个网络节点，网络节点包括：光源，包括量子阱二极管器件，量子阱二极管器件能够向外界发射第一光信号，量子阱二极管能够接收来自于外界的第二光信号并将第二光信号转换为光生电流信号；发射结构，用于驱动光源中的量子阱二极管器件向外界发射第一光信号；接收结构，用于接收光生电流信号；模式切换结构；控制组件，包括信息处理结构和组网协议结构，信息处理结构包括发射处理电路和接收处理电路，组网协议结构中存储有全部的网络节点的地址信息。本发明扩展了光通信技术的应用领域。
-
公开(公告)号：CN116835402A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310146937.9
申请日：2023-02-21
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： B66B1/46
摘要： 本发明涉及一种基于光电子芯片的非接触式电梯感控装置。所述基于光电子芯片的非接触式电梯感控装置包括：光电子芯片，用于向外界发射光信号、并接收经外界物体反射后的所述光信号，且能够将接收到的经外界物体反射后的所述光信号转换为光电流信号；单片机，连接所述光电子芯片，用于在确认所述光电流信号的大小在第一阈值范围内且同时所述光电流信号的持续时间在第二阈值范围内之后，向与所述单片机连接的电梯发出第一控制信号。本发明通过检测光信号来实现对电梯的非接触式感控，且采用两级防误触机制，减少了误触发的情形，提高了非接触式感测的准确度和可靠性。
-
公开(公告)号：CN114975649A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210512124.2
申请日：2022-05-11
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/12 , H01L31/18
摘要： 本发明提出了半导体领域内的一种用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片，以硅衬底氮化物晶圆为载体，包括硅衬底层和氮化物外沿层，所述氮化物外延层的顶层设有发射器和接收器，所述发射器和接收器交替排列并且以阵列形式分布，所述发射器为带有亚波长超构表面的微型光源，所述接收器为带有亚波长超构表面的光电探测器，所述氮化物外延层带有连接发射器的正电极和负电极，所述氮化物外延层带有连接接受器的正电极和负电极，所述硅衬底层与电路板进行引线连接并结合构成芯片整体，本发明体积小，具有高度的集成性，检测精度高，可应用于无接触式光学传感器，提升周围复杂环境感知的准确度并促进无人驾驶、移动机器人等场景的发展。
-
公开(公告)号：CN114649451A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210541767.X
申请日：2022-05-19
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明提供了一种红光Micro‑LED及其制备方法，所述红光Micro‑LED以LED外延片为载体，包括自下而上依次连接设置的衬底层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格层、所述InGaN/GaN多量子阱层、所述AlGaN电子阻挡层和所述p型GaN层形成所述红光Micro‑LED的p‑n结。本发明能够提高红光Micro‑LED的发光效率和偏振度，在高分辨率显示、增强现实/虚拟现实和军事航天等领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114400262A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210054170.2
申请日：2022-01-18
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/12 , H01L31/18 , H01L33/44
摘要： 本发明涉及一种氮化镓光电子集成芯片及其制备方法。所述氮化镓光电子集成芯片包括：衬底；能源器件，位于所述衬底表面，用于将自外界环境中接收到的光能转换为电能；LED器件，位于所述衬底表面，所述能源器件用于将所述电能传输至所述LED器件，以驱动所述LED器件向外界发射第一光信号；透明防水层，包覆所述衬底、所述能源器件和所述LED器件。本发明使得所述LED器件实现照明和中继无线光通信功能无需设置额外的外部电路，简化了氮化镓光电子集成芯片的结构，且使得氮化镓光电子集成芯片能够在水、酒精、油等液体环境中正常工作。
-
公开(公告)号：CN114361313A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210004743.0
申请日：2022-01-04
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。所述发光滤光集成光电子芯片包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，所述透明LED器件至少能够沿所述背面指向所述正面的方向发射具有第一波长的发射光信号；滤光器件，位于所述透明衬底的背面，用于透过第二波长的激发荧光信号、并阻挡所述发射光信号，所述第二波长大于所述第一波长。本发明简化了荧光分析过程中的光路结构，并有助于提高荧光分析结果的准确度和可靠性。
-
公开(公告)号：CN114337818A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210008896.2
申请日：2022-01-05
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/556 , H04B10/66
摘要： 本发明涉及一种可见光数字音频通信装置。所述可见光数字音频通信装置包括电源单元、主控单元、FPGA信号处理单元、发送单元和接收单元；所述FPGA信号处理单元连接所述发送单元和所述接收单元，用于将第一音频数据信号进行2FSK调制处理后加载至所述发送单元，并用于将所述接收单元接收到的第二音频数据信号进行2FSK解调；所述发送单元包括线性稳压器、功率晶体管和发光二极管，所述线性稳压器用于将经2FSK调制处理后、且加载有所述第一音频数据信号的TTL电平转换为CMOS电平，所述功率晶体管将所述CMOS电平传输至所述发光二极管，驱动所述发光二极管发射第一光信号。本发明提高了可见光通信的传输速度，并实现了码元速率在250kbps‑2Mbps范围内可调。
-
公开(公告)号：CN112563302B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110222859.7
申请日：2021-03-01
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。
-
公开(公告)号：CN109994578B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910018312.8
申请日：2019-01-09
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法。所述垂直结构蓝光发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型GaN层，所述氮化物外延层的厚度小于蓝光波长；N型电极，位于所述N型GaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。
-
公开(公告)号：CN109841714B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910018370.0
申请日：2019-01-09
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
192 条记录 (耗时 0.035 秒)
