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公开(公告)号：CN106944631B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710306900.2
申请日：2017-05-04
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种面心立方结构金属钴粉的制备方法，涉及从液体金属化合物开始用化学方法制造金属粉末，是采用甲酸钠为还原剂在常压下通过化学还原一步法制备钴粉，步骤为：配制钴盐前驱体溶液；配制还原液；配制反应溶液；制备面心立方结构金属钴粉。本发明克服了现有技术中存在的工序繁杂、流程长、成本高以及由还原剂还原性较强和稳定性差导致的反应过程难控制、颗粒团聚、杂相产生以及释放有害气体的缺陷。
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公开(公告)号：CN108004457A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711396363.1
申请日：2017-12-21
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明高速钢用铁基孕育剂的制备方法，涉及用熔炼法制造铁基合金，是一种高速钢用NbC-VC-Yb2C3/Fe纳米二维原位自生铁基复合材料的薄带状孕育剂，该孕育剂是通过原位自生法和金属快速凝固技术制得，克服了现有技术制得的孕育剂的润湿性较差，孕育效果不均匀及增强颗粒尺寸较大，不具备消除或削弱钢中硫元素的有害作用的功能的缺陷。
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公开(公告)号：CN107916348A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711253655.X
申请日：2017-12-02
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明细晶CuAlMn形状记忆合金的制备方法，涉及改变铜基合金的物理结构，步骤是：制备Al基LaScB孕育剂薄带；制备细晶CuAlMn形状记忆合金。本发明通过设计新的Al基LaScB孕育剂，利用其孕育细化的作用，制备一种在保持高阻尼特性的同时显著提高其力学性能的细晶CuAlMn形状记忆合金，克服了现有技术对铜基形状记忆合金进行晶粒细化的效果仍然不足，不能满足当今机械设备发展趋向于高速、高效、智能化和自动化要求的缺陷。
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公开(公告)号：CN107705980A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710910387.8
申请日：2017-09-29
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种Nd-Fe-Co三元合金磁性纳米线的制备方法。该方法包括以下步骤：（1）将氯化钕（NdCl3·6H2O）、氯化亚铁（FeCl2·4H2O）、氯化钴（CoCl2·6H2O）和去离子水混合，配制NdxFeyCoz沉积液，（2） 然后以石墨为阳极，AAO模板为阴极，以上一步制得的Nd-Fe-Co沉积液为电解液，利用直流稳压电源，在1.5 V~2 V直流电压下，进行电化学沉积；沉积电流为0.5 mA~20 mA，沉积时间为1 h~2 h，最后得到Nd-Fe-Co三元合金磁性纳米线。本发明所得纳米线数量巨大，沉积率高。纳米线平行排列，高度有序，线径均一，长径比很大。
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公开(公告)号：CN107170543A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710456082.4
申请日：2017-06-16
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01F1/0552 , B22F9/04 , C22C19/07 , H01F1/0557 , H01F41/0266
摘要： 本发明Sm‑Co基合金块状磁体的制备方法，涉及稀土钴基永磁合金，是一种具有明显磁晶各向异性的纳米晶Sm‑Co基合金块状磁体的制备方法，通过对Sm‑Co基合金快淬薄带进行高能球磨制备出Sm‑Co基合金全非晶粉末，随后在液压机下压制成块体，最后将压制好的Sm‑Co基合金块体放入磁场热处理炉中进行磁场热处理，使非晶相在加热过程中沿磁场方向重结晶，从而制得具有明显磁晶各向异性的纳米晶Sm‑Co基合金块状磁体，克服了现有技术只能对晶粒尺寸在微米级的Sm‑Co基合金块状磁体进行取向，而无法制备出具有明显择优取向的纳米晶Sm‑Co基合金块状磁体的缺陷。
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公开(公告)号：CN107008905A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710222633.0
申请日：2017-04-07
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： B22F3/11
CPC分类号： B22F3/114 , B22F3/1103 , B22F2003/1106
摘要： 本发明TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法，涉及阻尼材料的制造，通过制备多孔TiNiCu形状记忆合金并在其孔洞中填充金属Mg制得TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料即Mg/TiNiCu，克服了现有的多孔TiNiCu形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制、现有的将Mg引入多孔合金中的技术不可用于Mg对多孔TiNiCu合金的填充、以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷。
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公开(公告)号：CN105132954B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201510519191.7
申请日：2015-08-20
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C25D3/56
摘要： 本发明Sm‑Co/Fe‑Co系双相耦合磁性纳米线阵列的制备方法,涉及自溶液的金属粉末的电解生产，通过单槽双液直流电化学沉积法得到高沉积率的Sm‑Co/Fe‑Co系双相耦合磁性纳米线阵列，并对该双相纳米线阵列进行退火处理，最后得到具有较高综合磁性能的Sm‑Co/Fe‑Co系双相耦合磁性纳米线阵列产品，克服了现有技术制备Sm‑Co/Fe‑Co系双相纳米耦合材料的条件要求高，Sm‑Co二元合金纳米线沉积率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN106847453A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710189336.0
申请日：2017-03-27
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01F1/0551 , C22C19/07 , C22C30/02 , H01F1/0557
摘要： 本发明一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法，涉及含稀土金属和磁性过渡金属的和Ⅲa族元素的硬磁材料的磁体，该SmCo4B基永磁薄带的元素组成式为SmCoxCuyFezB，采用熔体离心快淬技术制备，由此制得的SmCo4B基永磁薄带该薄带的厚度为39μm～62μm，在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe～54.1kOe，剩磁为23.1emu/g～28.1emu/g，饱和磁化强度为24.1emu/g～32.6emu/g，克服了现有技术在Fe和Cu元素同时加入Sm‑Co‑B系合金所制得的SmCo4B基永磁薄带中未形成高硬磁相，薄带磁性能仍然有待进一步提高的缺陷。
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公开(公告)号：CN105568019B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610099699.0
申请日：2016-02-24
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法，涉及改变铜基合金的物理结构，步骤是：制备孕育剂Cu51Zr14；取所需质量的成分配比为Cu‑11.9％Al‑2.5％Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化，然后移至井式坩埚炉内，并于1090～1100℃保温5～8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1～1.0％的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14，搅拌10～15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中，由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对CuAlMn形状记忆合金进行细化的效果有限的缺陷，使得现有CuAlMn形状记忆合金的力学性能及低温阻尼性能同时获得了显著提高。
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公开(公告)号：CN104988289B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510468871.0
申请日：2015-08-03
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明Fe‑Cr‑Co型合金薄带磁体的制备方法，涉及含铬和钴的铁基合金，是一种添加Si和/或Ti的Fe‑Cr‑Co型合金薄带磁体制备方法，步骤是：按照质量百分比(60.5‑0.5y+z)Fe‑(27.5‑x‑0.5y‑z)Cr‑12Co‑xSi‑yTi，其中x=0～1.5，y=0～1，z=0.5～2，x与y不能同时等于0，进行原料配制；制备Fe‑Cr‑Co型母合金铸锭；Fe‑Cr‑Co型合金薄带的制备；Fe‑Cr‑Co型合金薄带的多级时效处理，制得高矫顽力和高实用性微米级厚度的Fe‑Cr‑Co型合金薄带磁体。克服了现有技术制备毫米级厚度薄片生产难度大，成本高，效率低，产品硬磁性能较低的缺陷。
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