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公开(公告)号：CN200976574Y
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200620163357.2
申请日：2006-12-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本实用新型公开了一种单端输入的迟滞比较电路，包括用于产生阈值电压的阈值电压产生环路，以及用于产生迟滞电压的正反馈支路；正反馈支路由电流源I3和开关SW串联构成；阈值电压产生环路包括PMOS管P1、P2，NMOS管N3、N4，电流源I1、I2；PMOS管P1的栅极作为输入端，其漏极接地，源极与NMOS管N3的源极相接并连接到正反馈支路的开关SW，开关SW的另一端接电流源I3的输出端；NMOS管N3的栅极与漏极相连并连接到NMOS管N4的栅极和电流源I1的输出端；NMOS管N4的漏极接电流源I2的输出端，源极与PMOS管P2的源极相连；PMOS管P2的栅极和漏极接地；电流源I1、I2、I3的输入端均与电源VDD相接。本迟滞比较电路是为检测芯片中某电压是否过低而设计，电路只有一个输入端用于输入待测电压。
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公开(公告)号：CN201041642Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200720085112.7
申请日：2007-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 带负反馈的电源偏置电路包括偏置产生电路，镜像支路，反馈支路和电流输出支路。偏置产生电路由电流源I1，I2，NMOS管n1，n2组成，用于产生与电源无关的偏置电流。镜像支路由PMOS管p1和NMOS管n3组成，用于镜像偏置产生电路中的电流，并将电流镜像到电流输出支路。反馈支路由电流源I3和等效开关SW组成，用于产生电流反馈量，调整偏置产生电路中的偏置电流大小。电流输出支路由PMOS管p5组成，用于输出稳定的偏置电流。本实用新型将与电源无关的偏置稳定在固定的值，比现有的电源偏置电路能更好的稳定输出的偏置电流，降低对电源电压的敏感度。本实用新型引入负反馈概念，通过对偏置产生电路中的电流的调节使电流保持在一定值，使得输出的偏置电流有更高的精度。
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公开(公告)号：CN201011715Y
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200620157551.X
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本实用新型公开了一种迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。它包括电流源I1、二个输入MOS管、三个负载MOS管和用于调节比较器的阈值的迟滞调节器。当输入MOS管为NMOS管时，负载MOS管采用PMOS管，反之亦然。电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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公开(公告)号：CN200983267Y
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200620163365.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2，检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本实用新型利用了MOS管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本实用新型特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN201122951Y
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200720088903.5
申请日：2007-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种可动态配置自重构自适应编码调制器，包括加扰模块、编码模块、交织模块、调制模块和自适应控制模块。采用一种组合控制方式，分别对扰码模块、编码模块和调制模块进行控制，可以简单地得到多种编码调制方式。其中，扰码模块、编码模块和调制模块都支持多种工作模式，利用寄存器控制的方式控制这三个模块的工作模式，可以得到大量不同的编码调制工作模式。本实用新型的优点在于利用有限的硬件资源，实现大量的编码调制功能，可以替代目前广泛使用的多种编码调制器。同时，本实用新型还带有自动关断功能，对于不起作用的硬件可以自动断电，确保整个系统的低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201097250Y
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200720087102.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种高电源抑制的带隙基准源，包括自偏置电路、调整电路、带隙核心电路和启动电路。带隙核心电路中的IPTAT产生电路通过运放的负反馈调整其静态工作点，使NPN管Q1、Q2的集电极电流精确相等，产生的IPTAT电流与恒流源电路中具有负温度系数的NPN晶体管Q8的VBE进行温度一阶补偿来降低温度系数。恒流源电路自身可产生偏置，为IPTAT产生电路提供偏置电流。运放电路为两级运放以提高增益，补偿电路为两级运放进行频率补偿。调整电路通过负反馈作用来消除基准输出VREF对电源电压的依赖，以提高PSRR。启动电路可消除“简并”偏置点，并驱动自偏置电路工作。自偏置电路为调整电路提供偏置电压。本实用新型电路结构简单新颖，不需要外接偏置，电路所占面积小，具有良好的温度系数。
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公开(公告)号：CN201018470Y
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200620163635.4
申请日：2006-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K5/24
Abstract: 本实用新型公开了一种电压电平转换电路。它包括第一电压/电流变换电路、第二电压/电流变换电路、第三电压/电流变换电路、第四电压/电流变换电路、反相器INV1和电流比较电路。反相器INV1用于将外接信号输入端X输入的电平信号的高低电平取反；电流比较电路用于比较其输入端电流的大小，输出对应的高低电平电压。第一、第三电压/电流变换电路作为低速变换通道，其工作电流很小，用于维持输出电平的稳定；第二、第四电压/电流变换电路作为高速变换通道，其工作电流较大，用于使电流比较电路有很快的翻转速度。第二、第四电压/电流变换电路只在输入信号电平翻转时才工作很短时间，等到电流比较电路完成电平翻转后，它们立即停止工作，尽可能地减少功耗。
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公开(公告)号：CN200976117Y
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200620157556.2
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F3/16
Abstract: 本实用新型公开了一种低电压参考源电路。该电路包括PTAT电流产生电路、启动电路和低压基准产生电路；PTAT电流产生电路用于产生一个正比于绝对温度电流，该电流为PN结的热电压与其中电阻的比值；该电流镜像到低压基准产生电路；启动电路用于简并零电流的工作点，上电后为低压基准产生电路提供非零初始电流，引导其进入稳定状态，实现电路的正常启动；低压基准产生电路镜像出一个正比于温度的电流，并通过电阻产生低压降，提供低压参考电压。本电压参考源电路基于双极结型晶体管的热电压，产生与该电压成一定比例的参考电压。本实用新型参考电压源电路简单，实现成本低，能在不同温度下和不同电源电压下给集成电路提供稳定的、可低至10mV级的参考电压。
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公开(公告)号：CN201191808Y
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200820067148.7
申请日：2008-05-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单周期前馈开关控制电路，包括跨导放大器，比较器，时钟，RS触发器，积分网络，电压电流转换电路，可控电压阈值模块，非门，和电阻分压网络；在一个开关周期内对开关电路的输出信号进行积分，并产生一个反馈信号代表输出信号在一个开关周期内的平均值。通过一个比较器比较这个反馈信号和参考电压，当反馈信号与参考电压的值相等时，此比较器产生一个开关控制信号调节开关电路的占空比以稳定输出电压。在反馈控制电路中，增加了采样输入电压的前馈通路。该模式下，控制电路采样输出信号的同时也对输入信号进行采样，并依据此采样信号改变开关电路的占空比。本实用新型能增强开关电源输出的抗扰动性并优化开关电源输出的动态特性。
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公开(公告)号：CN201041676Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200720084698.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K19/073 , H05F3/00
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路，该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1，P3和电阻R2，R3，用于检测和比较电压值；电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1，用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容，避免了出现高频信号的延时效应，并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况，提高了电路的稳定性。此外，本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用，仅用一个电路就实现了两种功能，特别适合应用于无源RFID标签芯片。本实用新型在减少面积降低功耗的同时，还提升了ESD保护电路的保护性能，进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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