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公开(公告)号：CN110061149B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910347313.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性OLED器件薄膜封装方法。所述薄膜封装方法采用无机/有机交叠封装结构，并且在封装结构的有机层表面进行修饰，使得表面变得疏水，针孔变小和变少，提高封装结构的水氧阻隔性能，同时减少无机/有机层之间的应力；所述周期性重复，并且在封装结构中设置牺牲层，进一步提高封装结构的水氧阻隔性能。本发明工艺程序简单，封装效果好。
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公开(公告)号：CN108258058B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810061249.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN108190959B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810061274.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，熔融碱金属（锂、钠、钾）为溶剂，在高纯氩气的保护下，将碱金属离子嵌入到MoS2层之间，通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号：CN108557837A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810061817.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA-15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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公开(公告)号：CN105523554B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610078743.X
申请日：2016-02-04
Applicant: 福州大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明涉及一种常温常压下利用激光快速制备石墨烯的方法，包括以下步骤：提供一催化剂金属；提供一液态碳源，将催化剂金属浸没在该液态碳源中；提供一激光光源，使其透过液态碳源照射于该催化剂金属上，使催化剂金属瞬间加热，液态碳源在催化剂金属的作用下在催化剂金属表面形成石墨烯薄膜。若使激光光源按一定的图案对催化剂金属进行扫描照射，还可以在催化剂金属表面形成图案化石墨烯薄膜；该方法升温与降温速度快，具有快速制备石墨烯的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108270008A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810061273.5
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层石墨烯的方法。这种单层结构的石墨烯纳米材料，是以石墨为前驱体，以熔融碱金属作为溶剂，通过溶剂热实现单层石墨烯的制备。本发明主要是利用在高纯氩气的保护下，利用溶剂热法，将碱金属离子嵌入到石墨层之间，得到碱金属嵌入的单层石墨烯材料，然后再依次通过正己烷、去离子水清洗，通过离心分离等工艺，制备出了高纯度的单层结构的石墨烯纳米材料。本发明的制备工艺简单，成本低廉，所制备的纳米材料具有高比表面积、良好的导电性。结构稳定性及电化学循环性能，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108102643A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810061802.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/025 , B29C41/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/664 , C09K11/883
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后再以其为模板，通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液，使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成，再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装，从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的孔道限域作用，可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号：CN104882383B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510281343.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/22
Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104882541B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510281075.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105047819B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510344794.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift‑off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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