锂离子电池电极应力原位测量系统

    公开(公告)号:CN109671996B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201811442546.7

    申请日:2018-11-29

    IPC分类号: H01M10/42 G01L1/14

    摘要: 一种电化学能源技术领域锂离子电池电极应力原位测量系统,包括:充放电测试电路和高频电容测量电路;所述充放电测试电路设有第一电源,所述高频电容测量电路设有第二电源,第一电源和第二电源构成双通道电源,所述双通道电源与继电器切换模块电连接,通过继电器切换模块控制充放电测试电路或高频电容测量电路连通进行原位测量;控制模块控制充放电循环测试及高频电容测量进行;数据处理模块根据充放电循环测试数据和高频电容测量数据输出锂离子纽扣电池电极应力原位测量数据。本发明通过测量锂离子纽扣电池充放电后电容的变化推测电极应力的变化,采用的设备仪器简单,且降低了原位测量的难度,测量成本低。

    掺杂钾离子的薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112436060A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011319010.3

    申请日:2020-11-23

    摘要: 本申请涉及一种掺杂钾离子的薄膜晶体管及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:S1、提供绝缘衬底,对绝缘衬底进行预处理;S2、所示绝缘衬底具有相对的第一表面和第二表面,在第一表面上形成栅电极,并对栅电极和绝缘衬底进行表面处理;S3、在第二表面上制备绝缘层;S4、在绝缘层上制备金属氧化物半导体层,金属氧化物半导体层中掺杂钾离子;S5、在金属氧化物半导体层上形成源电极和漏电极。该掺杂钾离子的薄膜晶体管及其制备方法实现了薄膜晶体管低成本的制备,能实现大规模工业化生产的应用,同时,所制得的薄膜晶体管在突触特性测试中拥有更加优越的效果。

    基于锂掺杂透明氧化物的突触型薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112382573A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011261096.9

    申请日:2020-11-12

    摘要: 本发明涉及一种基于锂掺杂透明氧化物的突触型薄膜晶体管的制备方法,其包括:S1、提供衬底,对衬底进行清洗和亲水处理;S2、利用水溶液法,在衬底的一表面制备锂掺杂透明氧化物绝缘层;S3、对锂掺杂透明氧化物绝缘层亲水处理;S4、利用水溶液法,在锂掺杂透明氧化物绝缘层上制备氧化物半导体层;S5、利用热蒸发工艺,在氧化物半导体层上制备源电极和漏电极;S6、利用热蒸发工艺,在衬底远离锂掺杂透明氧化物绝缘层的一侧制备栅电极,该制备方法环保,低温,可大面积制备,制备中较低的温度使得制作流程简单高效,可大幅减少制备时长,制备成本较低且使得绝缘层具有空位缺陷,同时,绝缘层中掺杂了锂离子,使得器件具有很好的突触器件特性。

    自驱动摩擦纳米发电突触晶体管

    公开(公告)号:CN112201696A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011421752.7

    申请日:2020-12-08

    IPC分类号: H01L29/78 H01L51/05 H02N1/04

    摘要: 本发明涉及的自驱动摩擦纳米发电突触晶体管,包括摩擦纳米发电机和突触晶体管,其包括衬底;形成在衬底上的电极层;形成在电极层上的共享中间层;形成在共享中间层上的突触晶体管有源层、源电极和漏电极;以及形成在共享中间层上的正摩擦层和负摩擦层,共享中间层作为突触晶体管的介电层以及摩擦纳米发电机的中间层,提升了摩擦纳米发电机的输出电压并能够实现为突触晶体管的突触功能,电极层作为摩擦纳米发电机的输出电极以及突触晶体管的栅电极,结构简单,轻便且柔性,摩擦正摩擦层或负摩擦层,共享中间层产生脉冲电压,无需外部供电即在源电极和漏电极之间产生兴奋性后突触电流,能够自驱动实现仿生突触晶体管功能。

    一种优化氮化镓高电子迁移率晶体管钝化的方法

    公开(公告)号:CN110660643A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910836312.9

    申请日:2019-09-05

    摘要: 本发明属于半导体制造领域,本发明公开了一种优化氮化镓高电子迁移率晶体管钝化的方法。该方法包括以下步骤:在衬底生长氮化镓外延层;刻蚀形成有源区台面;形成源、漏欧姆接触电极;去除氮化镓材料表面天然氧化层;淀积氧化镓作为钝化层与GaN盖帽层的中间层;在氧化镓中间层上方淀积器件钝化层;形成栅极的金属电极。本发明可以降低氮化镓盖帽层与钝化层之间的界面缺陷,提升器件的钝化效果,有效地抑制氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌现象,提升器件击穿电压。

    一种使用栅介质去实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法

    公开(公告)号:CN110581068A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910836162.1

    申请日:2019-09-05

    IPC分类号: H01L21/335 H01L29/778

    摘要: 本发明公开一种使用栅介质去实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法,该氮化镓晶体管包括硅衬底;依次设于衬底上的氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层;与铝镓氮势垒层相接触的源极和漏极;设于铝镓氮势垒层上除源极漏极以外区域的钝化层;刻蚀掉栅下的钝化层和部分栅下铝镓氮势垒层后形成凹槽结构的栅极。栅极第一层为p型氧化锡,第二层为绝缘层,第三层为金属层。p型氧化锡作为栅介质,使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气,实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构,同时绝缘层可以阻挡p型氧化锡可能产生的栅极漏电,该结构氮化镓晶体管具有较低的漏电和较高的击穿电压。

    一种高稳定性的钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN110400851A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910700597.3

    申请日:2019-07-31

    摘要: 本发明公开了一种高稳定性的钙钛矿太阳能电池,包括基底,电子传输层,钙钛矿层,氧化锆层,空穴传输层和电极;所述基底上设置有电子传输层;所述电子传输层上设置有钙钛矿层;所述钙钛矿层上设置有空穴传输层;所述空穴传输层上设置有电极;所述氧化锆层设置在钙钛矿层和空穴传输层之间或空穴传输层和电极之间或电极顶部。本案氧化锆层保护钙钛矿层不受水汽入侵,进而提高稳定性;便于生产,实用性强。

    一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法

    公开(公告)号:CN110400837A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910559729.5

    申请日:2019-06-26

    摘要: 本发明公开了一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法,包括绝缘衬底,栅电极,溶液燃烧法制备的栅极绝缘层,金属氧化物半导体层,源电极和漏电极;绝缘衬底上依次设置有栅电极,溶液燃烧法制备的栅极绝缘层,金属氧化物半导体层;金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极;具体步骤包括:a)绝缘衬底的清洗处理;b)制备栅电极;c)表面处理;d)溶液燃烧法制备栅极绝缘层;e)等离子体处理栅极绝缘层;f)制备金属氧化物半导体层;g)源电极和漏电极的制备。本发明提供了一种成本低廉,工艺简单环保,产品性能优越的金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)的制备方法。

    微纳线制备装置及微纳结构

    公开(公告)号:CN109807907A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201910149242.X

    申请日:2019-02-28

    摘要: 一种微纳线制备装置及微纳结构,属于微电子技术领域。所述微纳线制备装置包括液相纳米材料存储装置和微纳线布施机构;所述液相纳米材料存储装置设有至少一个出液孔,微纳线布施机构与出液孔一一对应设置;所述微纳线布施机构包括至少两根柔性线材,柔性线材表面具有规则分布的微型结构,柔性线材根部固定在液相纳米材料存储装置上,两根柔性线材为一组、端部下垂落于衬底上并相互顶靠,端部顶靠的两根柔性线材在衬底上投影后的夹角范围为1°~5°。本发明基于液相纳米材料的重力、与柔性线材的拉普拉斯压力差和不对称保持力,能够实现微纳线的快速制备。