公开(公告)号：CN112485968B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010956244.2

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 石坂将畅 ,  今井伸治

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  H05K3/28

Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成不会使针对紫外线的高感光度受损而碱显影性、镀金性等镀覆性优异的光固化膜的感光性树脂组合物。一种感光性树脂组合物，其含有(A)含羧基感光性树脂、(B)抗氧化剂、(C)光聚合引发剂、(D)反应性稀释剂以及(E)环氧化合物，其中，所述(B)抗氧化剂含有选自(B1)具有酚羟基及磷的化合物以及(B2)具有酚羟基及硫的化合物构成的组中的至少1种化合物。

公开(公告)号：CN110942882B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201910789211.0

申请日：2019-08-26

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 大岛泰雄 ,  有间洋

IPC: H01F1/26 ,  H01F41/02 ,  H01F27/255

Abstract: 本发明提供一种成为磁特性优异的金属复合芯的材料的复合磁性材料、金属复合芯、电抗器、以及金属复合芯的制造方法。一种将磁性粉末与树脂混合而获得的复合磁性材料，并且磁性粉末包含第1磁性粉末、以及平均粒径比第1磁性粉末小的第2磁性粉末，并将第1磁性粉末的保磁力设为Hc＝0.70A/cm以下且将圆形度设为0.9以上。

公开(公告)号：CN117940248A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280008100.1

申请日：2022-08-24

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 岛崎贵则 ,  丸山大辅 ,  越智元气 ,  新井正也

IPC: B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02

Abstract: 一种软钎料合金，其为能形成具有热循环耐性和耐落下冲击性的接合部的软钎料合金，且所述软钎料合金包含：45质量％以上且63质量％以下的Bi、0.1质量％以上且低于0.7质量％的Sb和0.05质量％以上且1质量％以下的In，余量为Sn和不可避免的杂质，所述软钎料合金的液相线温度为170℃以下。

公开(公告)号：CN112913034B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980070323.9

申请日：2019-10-09

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  平林润 ,  佐佐木公平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供不容易发生由电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管包括：由氧化镓形成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟槽(10)。位于阳极电极(40)与外周沟槽(10)之间的漂移层(30)的表面被与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)覆盖。

公开(公告)号：CN117153890A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310632893.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 山口慎也 ,  内田悠贵 ,  胁本大树 ,  高冢章夫

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

Abstract: 提供具备包括氧化镓系半导体的半导体层的肖特基势垒二极管，其通过包括SiO2的钝化膜有效地抑制了表面漏电，且绝缘耐压有效地提高。作为一实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具备：n型半导体层(10)，其包括氧化镓系半导体；绝缘膜(11)，其包括SiO2，覆盖n型半导体层的上表面(101)的一部分；以及阳极电极(14)，其连接到n型半导体层的上表面，与n型半导体层形成肖特基接合，至少一部分边缘处于绝缘膜上，绝缘膜包含与n型半导体层接触的第1层(12)、以及第1层上的第2层(13)，第1层的折射率比第2层的折射率低，n型半导体层包含将与阳极电极的接合部包围的保护环(16)。

公开(公告)号：CN109727758B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201811251402.3

申请日：2018-10-25

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 植草易央 ,  山田贵大

IPC: H01F27/34 ,  H01F27/26 ,  H01F27/30 ,  H01F27/02 ,  H01F27/04 ,  H01F27/29 ,  H01F27/32

Abstract: 本发明提供一种电抗器，可抑制磁通朝外部的漏出，并可获得小型化且优异的散热效果。电抗器(100)具有：电抗器本体(1)，包括芯(10)与装设在芯(10)上的线圈(20)；外壳(3)，收容电抗器本体(1)，并且在一部分中具有开口(33)；端子台(4)，支撑与线圈(20)电性连接的导体(6)的一部分；以及屏蔽构件(5)，与端子台(4)一体地构成，并且一面维持开口(33)的开放一面抑制磁通从电抗器本体(1)中的漏出。

公开(公告)号：CN116810216A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310283155.X

申请日：2023-03-22

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 荣西弘 ,  小川泰贵 ,  中波一贵 ,  山下宣宏

IPC: B23K35/362 ,  H05K3/34 ,  B23K35/36

Abstract: 本发明涉及一种水溶性预焊剂，其含有(A)咪唑化合物、(B)胺化合物、(C)有机酸及(D)水，所述(B)成分含有选自(B1)受阻胺化合物及(B2)具有碳原子数10以上的烷基的胺化合物中的至少一者。

公开(公告)号：CN116666067A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310155504.X

申请日：2023-02-23

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 二宫亨和 ,  田村泰治 ,  山田将司

IPC: H01F27/28 ,  H01F41/06

Abstract: 本发明提供一种即便在利用自动绕线机进行卷绕的情况下，也可多层对齐缠绕、且可提高生产效率的线圈零件及线圈零件的制造方法。包括：多个线圈，将对齐配置的圆线缠绕多层；以及线轴，卷绕有线圈。线轴具有：卷绕部，卷绕有线圈；凸缘部，设置在卷绕部的两端；以及壁部，设置在邻接的线圈间，并从卷绕部立起。凸缘部具有朝向开口扩展的倾斜引导件。卷绕部具有：槽，供配置在第一层的圆线嵌入；以及阶差，设置在凸缘部与槽之间，并从卷绕部突出。壁部具有倾斜侧面。

公开(公告)号：CN111279490B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201880069554.3

申请日：2018-09-26

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 有马润 ,  平林润 ,  藤田实 ,  佐佐木公平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。

公开(公告)号：CN110919180B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910876005.3

申请日：2019-09-17

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 水野武见 ,  吉泽慎二 ,  岩渕充

IPC: B23K26/21

Abstract: 本发明提供一种激光焊接用焊料组合物，其含有焊剂组合物和(E)焊料粉末，所述焊剂组合物含有(A)松香类树脂、(B)活化剂、(C)溶剂及(D)触变剂，其中，所述(A)成分含有(A1)软化点为130℃以上、且酸值为200mgKOH/g以下的聚合松香。