公开(公告)号：CN101923288B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201010289418.0

申请日：2010-06-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  田中启顺 ,  土门大将 ,  渡边聪 ,  大泽洋一 ,  大桥正树

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种聚合物，包含高比例的含芳环结构单元，且侧链上含芳香磺酸锍盐，该聚合物用于形成化学放大正性光致抗蚀剂组合物，该组合物对于形成具有高抗蚀性的抗蚀图案是有效的。所述聚合物克服了在用于聚合和纯化的溶剂中以及抗蚀剂溶剂中的溶解问题。

公开(公告)号：CN102081304B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010559623.4

申请日：2010-11-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田中启顺 ,  增永惠一 ,  土门大将 ,  渡边聪

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F1/48

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/0045

Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其特征在于：基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000，作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明，可提供一种不易于产生桥接，并且基板依存性较小，可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法，

公开(公告)号：CN102520581A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110442517.2

申请日：2009-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边聪 ,  田中启顺 ,  渡边武 ,  金生刚

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。

公开(公告)号：CN102221780A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110105553.X

申请日：2011-02-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永恵一 ,  渡边聪 ,  田中启顺 ,  土门大将

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/038

Abstract: 提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。在侧链上具有仲或叔胺结构的碱性聚合物用作组分(A)和(C)。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。

公开(公告)号：CN101666976A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910140185.5

申请日：2009-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 武田隆信 ,  渡边聪 ,  大泽洋一 ,  大桥正树 ,  金生刚

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物，其是化学增幅型光阻组合物，含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂，作为主要成分；该基质聚合物是，含有1种或2种以上以所述通式(1)等表示的单体单元，且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物，且在通过酸催化剂而被脱去保护后，会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术，需要有非常高的经时稳定性。又，必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明，能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此种组合物的光阻图案的形成方法、以及空白光掩模的制造方法。

公开(公告)号：CN101625523A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140186.X

申请日：2009-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 武田隆信 ,  渡边聪 ,  渡边保 ,  田中启顺 ,  增永惠一 ,  小板桥龙二

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/039 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F7/0392

Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。

公开(公告)号：CN1821879A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008521.7

申请日：2006-02-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 武田隆信 ,  福田英次 ,  前田和规 ,  渡边聪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392

Abstract: 本发明提供与既有的正型光阻组合物相同或具有此数量以上的高敏感度、高分辨率、特别是高反射性基板上的图样形状良好的状态下，减少驻波的发生、降低线边缘粗糙度等特性的正型光阻材料。具有上述特征的正型光阻组合物中的基础树脂所包含的聚合物具有一重复单元，该重复单元含有在248nm波长的光线下会进行吸收的酸不稳定基，而且，该重复单元是以聚合物所有重复单元的1％～10％的比例被包括在该基础树脂内。