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公开(公告)号：CN105102174B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201480015616.4
申请日：2014-03-15
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: B23K26/082 , B23K26/062 , B23K26/073 , B23K26/04
CPC classification number: B23K26/082 , B23K26/04 , B23K26/083 , B23K26/0853
Abstract: 本发明提供一种激光机械加工系统(20)采用了一快速定位器(68)，诸如一对电流计镜(70)，该快速定位器与按一恒定激光脉冲重复率自一激光(28)发射的多个激光脉冲中的一者一致地以一指定速度将一射束轴(24)引导至一切割路径(92)的一开始位置，该激光脉冲独立于该射束轴(24)相对于工件(26)的相对位置而行进。
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公开(公告)号：CN106030617A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009897.7
申请日：2015-02-24
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 贾斯汀·D·雷德
Abstract: 二维码内的各数据点可由点散布(32)表示。可使各点(32)足够小以对人眼不可见，使得该二维码在透明或非透明材料上或内可能不可见。这些点(32)可以较大距离间隔以增加光码读取器的信噪比。激光(50)可用于产生这些点(32)。
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公开(公告)号：CN104040359B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280063983.2
申请日：2012-11-01
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 席亚朗·约翰·派崔克·欧康纳 , 雪恩·希利雅德
CPC classification number: G01N1/22 , G01J3/0202 , G01J3/0286 , G01J3/0291 , G01J3/443 , G01N21/84 , H01J49/0463
Abstract: 本发明揭示一种可包括烧蚀腔室本体的设备，其具有一传输窗并界定经组态以容纳可相对于该传输窗移动的一目标的一容纳区域。一气溶胶传输导管经组态以沿着一基本上笔直的输送路径将该容纳区域内所产生的一气溶胶输送至一分析系统的一样本接收区域。
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公开(公告)号：CN105834583A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610090031.X
申请日：2011-10-24
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 马克·A·昂瑞斯 , 安德鲁·柏威克 , 亚历山大·A·麦亚钦
IPC: B23K26/08 , B23K26/364 , H01L21/48 , G06F17/50
CPC classification number: B23K26/364 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/0732 , B23K26/082 , B23K2101/40 , H01L21/4853 , B23K26/08 , G06F17/5068 , G06F2217/40
Abstract: 一种镭射加工系统包括用于赋予沿着相对于工件的光束轨迹的光束路径的第一相对运动的第一定位系统，用于确定沿着多个抖动行的光束路径的第二相对运动的处理器，用于赋予该第二相对运动的第二定位系统，和发出镭射光束脉冲的镭射源。该系统可补偿在加工速度中的变化从而以预定角度保留抖动行。例如，该抖动行可不顾加工速度而保持垂直于该光束轨迹。可将该加工速度调整以对整数抖动行加工来完成沟槽。可基于该沟槽宽度来选择每一行中的抖动点的数量。可通过对加工速度和沟槽宽度的变化的调整来归一化注量。
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公开(公告)号：CN103959042B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280057991.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: G01N21/25
CPC classification number: H01J49/0004 , H01J49/0036 , H01J49/0463 , H01J49/105
Abstract: 本发明会将光谱数据和一样本上的实体位置产生关联。一激光射束会沿着相对于放置在一样本腔室之中的样本的一射束轨道被扫描。该激光射束会沿着该射束轨道从该样本处分解材料，以在该样本腔室里面产生已分解的材料的浮质。一流体会通过该样本腔室，以便将该已分解的材料运送至一光谱仪，用以决定沿着该射束轨道的一选定元素的光谱数据数值。该光谱数据数值会和沿着该射束轨道的该样本的个别位置产生关联，而且包含沿着该射束轨道的个别位置(该材料已在该位置处被该激光射束分解)的样本的至少一部分的一影像会被显示。该影像在该等光谱数据数值的相关联位置处包含该等光谱数据数值的表示符。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104024824B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280063981.3
申请日：2012-11-01
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 席亚朗·约翰·派崔克·欧康纳 , 雪恩·希利雅德 , 蕾芙·萨墨菲尔德
CPC classification number: H01J49/164 , G02B5/005
Abstract: 本发明揭示一种设备，其可包括：一第一光束裁剪机，其经组态以裁剪具有一第一光点大小的一辐射脉冲的一部分以形成一中间经裁剪辐射脉冲，该中间经裁剪辐射脉冲具有一中间经裁剪光点，该中间经裁剪光点具有小于该第一光点大小的一中间经裁剪光点大小；及一第二光束裁剪机，其经组态以裁剪该中间经裁剪光点以形成一第二经裁剪辐射脉冲，该第二经裁剪辐射脉冲具有一第二经裁剪光点，该第二经裁剪光点具有小于该中间经裁剪光点大小的一第二经裁剪光点大小。
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公开(公告)号：CN101657292B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN200780049577.X
申请日：2007-11-27
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 卡利·邓恩 , 西利安·奥布赖恩法伦
IPC: B23K26/352 , B23K26/0622 , B23K26/38
CPC classification number: B23K26/0622 , B23K26/3576
Abstract: 一种在基片中激光加工出形迹的方法，该方法包括：用脉冲激光沿扫描线加工基片，使得连续脉冲81在基片上不重叠，而是或者连续的，或者分隔开的。沿扫描线进行的各次后续激光扫描中的脉冲82、83、84相对于先前扫描中的脉冲81、82、83的起始点偏移，使得多次连续的激光扫描提供到达所需深度的加工，同时随着每次激光扫描的进行，形迹的边缘91、92、93、94逐渐平滑。
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公开(公告)号：CN105229441A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480007996.7
申请日：2014-02-06
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
CPC classification number: H01J49/0459 , G01N1/2226 , G01N2001/2241 , G01N2001/383 , H01J49/04 , H01J49/0463
Abstract: 样品腔室是建构成容纳靶材，使得部分的靶材是可以移除而作为样品。载体气体注入系统是建构成从样品腔室里的第一位置和第二位置将载体气体引入样品区，使得至少部分的样品可以由样品区里的载体气体所夹带。部分的样品区位于第一位置和第二位置之间。样品运输导管是建构成将载体气体所夹带之至少部分的样品运输到样品腔室外的位置。
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公开(公告)号：CN102056705B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN200980121875.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 文陵 , 玛密特·伊茗·艾尔帕 , 杰夫·哈华顿
IPC: B23K26/70 , B23K26/382
CPC classification number: G05B19/4083 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , G05B2219/36503 , G05B2219/45165
Abstract: 为了更适当地解决相关问题，自一工件(28)量测一或多个特性。此量测信息被用以自一对照表选择一较佳的预定激光加工参数配置。该激光加工参数配置从而被用以加工该工件(28)。激光加工参数配置对照表的建立可以是基于理论上的计算、操作员的错误尝试、具有后处理测试的自动化系统参数配置变异流程、或是基于前述或其它方法的组合。自动化流程也可以降低操作员的错误，且可以储存量测数值以便于工件特性的追踪。
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公开(公告)号：CN102844844B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180017460.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56
Abstract: 本发明实施例提供一种用于电子基板60单一化成晶粒的改良方法，运用一镭射70先在该基板60形成切割62，而后借由改变镭射参数以对切割62之边缘63去角66、67。此去角66、67动作借由降低残留损伤而增加晶粒断裂强度，并在不需要额外制程步骤、额外设备或耗材供应下移除初始镭射切割62所造成的碎片。
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