公开(公告)号：CN100495759C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200710021285.7

申请日：2007-04-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 邹志刚 ,  刘斌 ,  田汉民 ,  田志鹏 ,  于涛

IPC: H01L51/48 ,  H01L31/18 ,  H01M14/00 ,  H01G9/20 ,  H01G9/08

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明通过使用玻璃粉作封装材料，设计特殊的电池板结构，通过低温封装工艺对夹层式敏化电池进行封装，并通过对电池内部充入适量的惰性气体，维持电池内部无水、无氧和低压的条件，消除了染料和有机电解质组分在TiO2粒子表面发生降解的行为，也同时解决了因液态电解质热致膨胀和挥发泄漏导致的太阳电池性能衰减、效率降低的问题，从而，显著的延长了染料敏化纳米晶电池的工作寿命，大幅度降低了该类电池的生产成本，同时也消除了因电解液泄漏导致的环境污染问题。

公开(公告)号：CN101355127A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810124467.1

申请日：2008-07-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  刘斌 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5－10个周期且层厚分别为5－20nm/15－40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。

公开(公告)号：CN100433374C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200710019375.2

申请日：2007-01-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  姬小利 ,  周建军 ,  韩平 ,  张荣 ,  刘斌 ,  郑有炓

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: GaN基共振增强紫外探测器，正照射式探测器结构是在(0001)蓝宝石衬底上依次设有GaN缓冲层或者AlN、AlUGa1-UN(0.1＜U＜0.9)缓冲层；AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z＜0.8)分布布拉格反射镜(DBR)底镜；用于p-i-n型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN/p-AlYGa1-YN谐振腔或者用于肖特基M-S，M-S-M型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN谐振腔，其中0≤X＜0.8，0≤Y＜0.9；AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z＜0.8)分布布拉格反射镜顶镜；所述底镜和顶镜中的某一个反射镜可以用氧化物介质膜反射镜，谐振腔的两端设有电极，构成GaN基共振增强紫外探测器。

公开(公告)号：CN1761080A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510094747.9

申请日：2005-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  刘成祥 ,  周圣明 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。

公开(公告)号：CN120035346A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510201197.3

申请日：2025-02-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  童芸芳 ,  刘婷婷 ,  智婷 ,  窦蓉蓉 ,  严羽 ,  谢自力 ,  庄喆 ,  刘斌

IPC: H10K59/70 ,  H10K50/11 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  H10H20/812 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠的钙钛矿/GaN叠层器件，其包括自下而上设置的如下结构：n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层、ITO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层，在n型GaN层上设有阴极，在电子传输层上设有阴极。本发明提供了一种多色堆叠的钙钛矿/GaN叠层器件的制备方法，此Pe‑GaN串联LED可由两个独立电源驱动，相应地，该装置的亮度和颜色能够实现独立控制。通过对两层器件发光进行独立设计与控制，操作简单可控，避免了巨量转移技术，有利于实现低成本的新型全彩显示。

公开(公告)号：CN119170621A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411689923.2

申请日：2024-11-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  桑艺萌 ,  陶涛 ,  刘斌

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/18 ,  H01L21/8252 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。

公开(公告)号：CN117512512A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311672211.5

申请日：2023-12-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈鹏 ,  郭庄鹏 ,  谢自力 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  刘斌 ,  赵红 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法，以AlN陶瓷靶为溅射靶材，在蓝宝石衬底表面进行射频磁控溅射生长AlN薄膜，射频磁控溅射10min后，将电源和进气阀门均关闭，使功率和气体流量降为0，靶材和样品自然冷却10min后，再启动射频磁控溅射，如此溅射‑冷却循环进行，直至得到预定厚度的AlN薄膜。所制得的氮化铝薄膜具有光滑的表面，其表面均方根粗糙度小于1nm；依据本发明方法制备的氮化铝薄膜与半导体微电子技术相兼容，具有宽禁带，高击穿电压的优点，适用于与CMOS相关的高性能光电器件的工艺体系。

公开(公告)号：CN117331238A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311444308.0

申请日：2023-11-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  黄锦鹏 ,  智婷 ,  庄喆 ,  刘斌

IPC: G02B30/27 ,  G09F9/33 ,  G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置及其显示方法，该装置包括空间立体排布的micro‑LED阵列光源和与光源位置相匹配的立体排布的定向散射屏。所述立体排布的micro‑LED阵列光源包括在沿中心垂线轴对称的三维形状上均匀排布的micro‑LED像素。所述立体排布的定向散射屏用于定向投射由micro‑LED阵列显示的视差图像。本发明还提供了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置的显示方法。本发明提出了micro‑LED裸眼3D显示装置与方法，突破了现有裸眼3D显示离散视角的限制，在水平方向上具有360°连续视角，在垂直方向上具有180°连续视角，具有视角范围连续无跳变、清晰度高、亮度高、动态响应快的裸眼3D显示效果。

公开(公告)号：CN115155332B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202210796776.3

申请日：2022-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 高冠道 ,  刘斌

IPC: B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B01D71/34 ,  B01D71/30 ,  B01D71/26 ,  B01D71/42 ,  B01D71/68 ,  B01D71/16 ,  B01D69/02 ,  B01D61/14 ,  C02F1/44

Abstract: 在废水膜分离抗污染领域具有良好的普适性应本发明公开了一种低压电场耦合导电超滤 用前景。膜原位抗膜污染的方法，通过结合导电超滤膜和外加电势，诱使颗粒定向移动从而产生疏松多孔的滤饼层，极大减轻孔堵塞的发生，在增大通量的同时延长膜的使用寿命。本发明技术方案以预防膜污染为思路，不使用水处理药剂和反冲洗常规抗膜污染手段，仅依靠多孔膜作为电极在分离过程中，利用膜作为多孔电极而形成的不均匀电场所诱导的颗粒介电泳，不依赖颗粒表面电性，(56)对比文件CN 106139915 A,2016.11.23CN 109574159 A,2019.04.05CN 109574384 A,2019.04.05CN 113171688 A,2021.07.27US 2004011650 A1,2004.01.22US 2005006359 A1,2005.01.13Weiming Yu.A conductive PVDF-Ni membrane with superior rejection,permeance and antifouling ability viaelectric assisted in-situ aeration fordye separation.Journal of MembraneScience.2019,第581卷401-412.Mo Yinghui.A critical review onclassifications, characteristics, andapplications of electrically conductivemembranes for toxic pollutant removalfrom water: Comparison between compositeand inorganic electrically conductivemembranes.Journal of HazardousMaterials.2022,第436卷129162.刘斌.塑料表面不导电真空镀膜装饰工艺与质量分析.现代塑料加工应用.2011,第23卷(第3期),34-37.Ren, QL.Insulator-baseddielectrophoretic antifouling ofnanoporous membrane for high conductivewater desalination.DESALINATION.2020,第482卷114410.

公开(公告)号：CN117198209A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311240643.9

申请日：2023-09-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  郝志扬 ,  刘斌

IPC: G09G3/32 ,  H05B45/325

Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED像素驱动电路及驱动方法，属于显示技术领域，具体包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9、第十晶体管T10、第十一晶体管T11、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3以及第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管。本发明提出了不同Micro‑LED像素点共用同一驱动电路的像素电路，降低了驱动电路所占的面积，从而大幅提高了像素的开口率；通过第一电容C1和第二电容C2来控制电路的像素电流，通过第三电容C3来消除阈值电压漂移，提高像素的显示效果。