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公开(公告)号：CN114267388A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111362286.4
申请日：2021-11-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/15
Abstract: 本发明属于新型自旋量子磁存储器术领域，具体为一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路。该MRAM芯片电路的存储单元是PtBi/BiTmIG自旋异质结构建的四端口霍尔棒器件，利用反常霍尔检测电流发生模块提供的0.1mA检测电流和反常霍尔脉冲发生模块提供的10mA脉冲电流，来实现数据的读写。在读取过程中，利用反常霍尔效应，无需外加磁场且误码率低、响应速度快；在写入过程中，利用自旋轨道矩效应，实现极小电流密度驱动自旋磁矩翻转再带动薄膜磁矩翻转的数据写入新方法，极大地降低了数据写入电流密度和功耗。本发明的MRAM芯片电路具有单元器件制备工艺简单、读写电流密度低、功耗低、工作频率范围宽的特点。
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公开(公告)号：CN112216507B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011060968.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种无支撑铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用，属于新材料技术领域。采用铜箔或镍箔作为牺牲层，通过生长致密耐高温氧化保护层，防止铁氧体薄膜生长过程中的铜箔或镍箔的高温氧化，在防氧化晶体择优取向的铜箔或镍箔上生长铁氧体磁性薄膜，最后通过化学法将铜箔或镍箔牺牲层去掉，获得了无支撑铁氧体磁性薄膜。本发明方法可以生长超大面积的高品质铁氧体薄膜，薄膜厚度可以实现纳米级到微米级变化，并且无需昂贵的提拉法生长单晶衬底，具有较高的经济效能；制得的无支撑铁氧体磁性薄膜可以转移至任意柔性衬底或半导体衬底上，得到铁氧体微波器件、磁光器件和自旋波器件。
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公开(公告)号：CN111293392B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010105836.3
申请日：2020-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/02
Abstract: 一种基于磁偶极作用的高波速自旋波波导，属于磁振子器件技术领域。所述自旋波波导包括亚铁磁矩形条带和位于亚铁磁矩形条带一侧的铁磁矩形条带，所述亚铁磁矩形条带的长度与宽度的比值大于25，厚度为10～50nm，所述铁磁矩形条带的宽度为亚铁磁矩形条带的宽度的1/4～1/2，厚度与亚铁磁矩形条带的厚度相同，所述亚铁磁矩形条带的长度与铁磁矩形条带的长度之差为100nm以上。本发明高波速自旋波波导，其自旋波的相速度相较于现有的一般亚铁磁波导更高，且自旋波传播时的损耗与现有的一般亚铁磁波导一致，不会产生额外的损耗，同时具有低损耗和高相速度的特点。
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公开(公告)号：CN112462536B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110072344.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，属于太赫兹波相位调控领域。包括：1）将有机溶剂注入比色皿中；2）将装有有机溶剂的比色皿放入太赫兹波的光路上；3）在20~70℃的温度范围内调节有机溶剂的温度，即可实现太赫兹波的相位调控。本发明基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，采用苯、甲苯等有机溶剂，价格低廉，容易获得；方法简单，易于操作，重复性好，使用范围广，通过温度或光即可实现太赫兹波的相位调控。
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公开(公告)号：CN111111695B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201911274094.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为CdxZn1‑xS，x＝0.2～0.8，形貌为三维分等级花状结构，单个花体大小为2～3μm，花瓣厚度为2.5～3.5nm。本发明锌硫镉光催化材料从三方面提高光催化活性：首先，三维分等级花状结构的锌硫镉具有较大的比表面积，能提供大量的光催化还原反应活性位点；其次，花瓣较薄的锌硫镉具有较高的捕光效率，能吸收和利用更多的可见光；最后，三维分等级花状结构的锌硫镉禁带宽度在2.4eV左右，导带位置较二氧化碳还原电位更负，有利于促进光生电子在体系中的迁移，延长光生载流子的寿命，提高体系的光催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109714015B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811618035.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
IPC: H03H7/01 , G06F30/367 , G06F113/26
Abstract: 一种基于磁介复合材料的叠层低通滤波器，属于材料与器件技术领域。包括电感，以及位于电感正上方和正下方的电容，所述电感为由多层带线圈的基体材料组成的螺旋线圈，相邻层线圈采用金属通孔连接，所述电容由多层带“十”字形金属层的基体材料组成，其特征在于，所述基体材料为磁介复合材料。本发明通过将磁性与介电材料复合，得到一种介电常数和磁导率接近、同时具有低损耗的新型磁介复合陶瓷材料；并基于此提供了叠层低通滤波器，为LTCC元器件的小型化、集成化提供了一种有效解决方案。
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公开(公告)号：CN113380945A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110558170.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法，属于磁电耦合材料及器件制备领域。所述磁性异质结构包括基片，形成于基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的异质结，以及形成于异质结之上的顶电极层；所述异质结为磁性薄膜/MXene异质结，所述磁性薄膜与MXene薄膜上下层叠设置。本发明异质结构通过底电极层和顶电极层在垂直方向上施加电压，实现氢离子在磁性薄膜/MXene异质结中的定向移动，并转换成氢原子存储在MXene薄膜中。由于磁性薄膜的磁各向异性对表面吸附氢原子浓度非常敏感，因此可以受到外加电压的调控，而当撤去偏压后氢原子将迅速扩散至大气中，薄膜磁性恢复至原有状态。
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公开(公告)号：CN109883986B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910239413.8
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , G01V8/10
Abstract: 本发明提供一种基于激光振镜的太赫兹单像素成像系统及成像方法，分成光学系统和太赫兹系统，光学系统沿激光光路方向依次设有半导体激光器、激光缩束系统，X轴激光振镜、Y轴激光振镜；太赫兹系统沿太赫兹波的传播方向依次包括太赫兹连续波源、第一太赫兹透镜、硅基空间型太赫兹调制器、第二太赫兹透镜、太赫兹探测器。相较于太赫兹相干脉冲源，本系统采用的太赫兹连续波波源在操作上更加简便，成本更低，采用这两步法的太赫兹成像方法，分别采集了背景信息，和对待成像物体的成像信息，通过去除背景操作，对最终的成像效果进行优化，减弱了因太赫兹波的高斯分布特性而对太赫兹最终成像造成的影响。
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公开(公告)号：CN112987344A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110320046.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器，属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底，以及形成于衬底之上的超材料结构层；所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元，所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成，其中，任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料，其中，半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”，可呈现出双谐振的效果；同时进一步，通过加热或者光泵浦的外部激励方式，即可实现对太赫兹波的主动调控，结构简单，稳定性好。
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公开(公告)号：CN112968058A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155537.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。所述离子调控型自旋波晶体管包括衬底基片，形成于衬底基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的磁性薄膜，形成于磁性薄膜之上的离子层‑顶电极层异质结，以及位于离子层‑顶电极层异质结两侧的微波天线。本发明离子调控型自旋波晶体管，磁性薄膜中的磁性原子与离子层中储存的离子，在电场的作用下发生氧化还原反应，使磁性薄膜的磁性能发生改变，进而实现自旋波传输幅度和相位的电场调控具有低功耗和长距离传输等技术优势。
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