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公开(公告)号：CN117080754A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311131863.8
申请日：2023-09-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于吸透一体材料技术领域，涉及频率选择表面雷达吸波体(Frequency Selective Rasorber，FSR)，具体提供一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体。本发明由上方的三维吸收结构与底部的二维频率选择表面(FSS)两部分构成，在三维吸收结构中采用导电油墨阻抗薄膜代替集总电阻对入射电磁波进行吸收；同时，底部通过二维频率选择表面结构以在工作频带实现低插入损耗的透波带；本发明提供的频率选择吸波体的吸波带在X波段和Ku波段，兼具较宽的吸波带宽和较小的插入损耗，并且具有尺寸小、易于灵活装配等优点，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN116947097A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311011447.4
申请日：2023-08-11
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 一种铜插层硫化硒/钒酸铋紫外‑蓝光吸收剂及其制备方法，属于紫外‑蓝光吸收材料技术领域。所述吸收剂为钒酸铋通过化学反应法生长在铜插层硫化硒上，具体过程：1）利用水热法制得铜插层硫化硒；2）通过化学反应法生长制备铜插层硫化硒/钒酸铋。本发明中的铜插层硫化硒/钒酸铋紫外‑蓝光吸收剂能作为紫外和蓝光吸收剂，制备方法简单，成本低廉，毒性低，紫外‑蓝光吸收范围宽，应用前景广阔，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113813970B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111176776.5
申请日：2021-10-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： B01J27/135 , B01J23/22 , C01B32/40
摘要： 一种2D/2D结构的钒酸铋/溴铅铯光催化材料，属于纳米复合材料领域。所述光催化材料为二维钒酸铋纳米片和二维溴铅铯纳米片形成的异质结构；其中，所述二维钒酸铋纳米片为四角带锯齿状结构的正方形，边长为600～1000nm，厚度为50～60nm；所述二维溴铅铯纳米片为矩形，长为200～1300nm，宽为180～1200nm，厚度为35～45nm；所述溴铅铯和钒酸铋的质量比为(3.2～9.5)：1。本发明钒酸铋/溴铅铯光催化材料应用于光催化二氧化碳还原中时，在可见光的照射下，其CO生成速率高达16.9μmol g‑1h‑1，对CO还原产物的选择性超过94％，在光催化二氧化碳还原领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN114985013A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210685283.2
申请日：2022-06-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种应变调制的铋基金属有机骨架/溴氧化铋复合功能材料，本发明属于纳米功能材料领域。所述复合功能材料为锚定在溴氧化铋表面的具有压缩应变的铋基金属有机骨架:其中，溴氧化铋为二维结构，所锚定的铋基金属有机骨架为薄层结构，且具有较高的压缩应变，应变程度高达7.85％。所述的复合材料实现了功能的级联且应变的引入改善了材料对二氧化碳分子的吸附和活化过程。溴氧化铋和铋基金属有机骨架的理论质量比为(2.0～4.9):1。本发明的复合功能材料在光催化CO2还原中，在可见光的照射下，其CO生成速率高达21.96μmol g‑1h‑1并且具有96.4％的CO选择性。
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公开(公告)号：CN114843563A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210174895.5
申请日：2022-02-24
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC分类号： H01M8/0606 , H01M8/04858 , C01B3/04
摘要： 本发明涉及一种光催化产出的氢气转化为电能的装置及其应用，包括主体反应器，其由光发生器，三颈烧瓶型反应器，进、出气导流管及磁力搅拌装置组成，是光催化制氢的主要场所，本发明在其光催化制氢技术的基础上改进反应器内反应液用量，将装载1/3容量改为3/4；装置上，出气导流管上引入气体流量调节阀以及氢氧燃料电池和负载，前者改善反应器内氢气浓度不纯、产量少的缺点；后者则有效控制氢气进入氢氧燃料电池防止氢气因为过量而从正极流失，并通过调节阀门的大小对其连接负载的功率进行调整。本发明具有装置简便、成本低、产氢浓度高、产出氢气转化为电能等优点，特别适用于光催化分解水所产出氢气有效的转化为电能进行运用的过程。
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公开(公告)号：CN113769761B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111106043.4
申请日：2021-09-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种硫化镉表面锚定铜原子簇的制备方法，属于半导体光催化材料制备技术领域。首先通过水热合成法制备硫化镉纳米棒，然后对硫化镉纳米棒进行质子化处理以降低镉‑硫成键稳定性，最后采用一步煅烧法在硫化镉表面形成缺陷并在缺陷中锚定固态前驱体铜盐，最终形成无配体包裹的硫化镉‑铜原子簇催化剂。本发明通过在硫化镉纳米棒表面构建镉缺陷作为捕获位点的方法，直接将铜原子簇锚定在载体硫化镉表面，锚定于硫化镉上的铜原子簇表面无需任何配体包裹；通过构建硫化镉与铜原子簇界面的原子直接接触，促进体系的载流子传输，降低了铜原子簇的高表面自由能，实现了硫化镉‑铜原子簇的高活性和高稳定性。
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公开(公告)号：CN113680361B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110907190.5
申请日：2021-08-09
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种钴钌双金属单原子光催化剂及其制备方法，属于半导体光催化材料制备技术领域。所述光催化剂为二维多孔网状结构，孔径为2～10nm；由碳氮聚合物载体和锚定于碳氮聚合物载体上的钴钌双金属单原子组成，碳氮聚合物的化学式为g‑C4N3，碳氮聚合物、钴和钌的质量比为(100～150)：(2～3)：1。本发明钴钌双金属单原子光催化剂的制备方法，通过溶剂热法将固态前驱体钴盐和钌盐在甲酰胺脱水缩合形成g‑C4N3的过程中原位自生长形成金属单原子，制备过程中无需加入任何其他有机或无机试剂，无需高温高压环境，制备条件温和，操作简便，适合大规模工业化生产，且得到的双金属钴钌单原子的光催化还原CO2活性有显著提高。
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公开(公告)号：CN111121835B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911147559.6
申请日：2019-11-21
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件，由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成，该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成，该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成，该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层，该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制，还可以通过热释电效应的电势来进行调节。
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公开(公告)号：CN109686807B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811579271.1
申请日：2018-12-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控。
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公开(公告)号：CN110373713A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910638571.0
申请日：2019-07-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用，属于新材料技术领域。所述非互易自旋波波导材料包括GGG单晶基片，以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜，其中，所述稀土薄膜为Dy、Tm、Lu、Nd等。本发明YIG/稀土异质结薄膜相对于单一YIG薄膜，其上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著变化。另一方面，本发明自旋波波导材料的厚度与单层YIG薄膜相比，并未发生明显改变，仅在YIG表面覆盖一层纳米厚度的稀土薄膜，为非互易性自旋波波导材料的研究和制备提供了一种新方案，在自旋电子学、自旋波波导、自旋波逻辑器件、量子计算等众多领域有广泛的应用前景。
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