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公开(公告)号：CN104377299B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410414568.8
申请日：2014-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于约瑟夫森结的绝缘层厚度。在SQUID的核心结构约瑟夫森结周围制作了一圈基于超导薄膜材料的超导壁，这圈超导壁可以有效的屏蔽外界磁场进入到约瑟夫森结中，从而有效的防止了外界磁场对约瑟夫森结的影响，提高SQUID参数的稳定性。
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公开(公告)号：CN105137374A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410242678.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/326 , A61B5/055 , A61B2560/0223 , G01N24/08 , G01R33/385 , G01R33/445
Abstract: 本发明提供一种超高分辨率的磁共振成像方法及装置，所述方法至少包括以下步骤：将被检样品放置于磁场梯度源与纳米超导量子干涉器件的作用范围内；采用静磁场源对被检样品施加静磁场，采用射频源对所述被检样品施加核磁共振射频脉冲以激发所述被检样品使其发生核磁共振；采用所述纳米超导量子干涉器件与被检样品直接耦合以探测所述被检样品产生的核磁共振波谱信号；根据探测得到的核磁共振波谱信号与磁场梯度源的空间分布信息建立被检样品的图像。本发明利用纳米超导量子干涉器件作为探测器，可实现纳米级别分辨率的磁共振成像，测量不会受到振动和电场信号的干扰，样品可与探测器直接近距离耦合，成像范围加大，且可以在强磁场条件下工作。
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公开(公告)号：CN104377299A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410414568.8
申请日：2014-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于约瑟夫森结的绝缘层厚度。在SQUID的核心结构约瑟夫森结周围制作了一圈基于超导薄膜材料的超导壁，这圈超导壁可以有效的屏蔽外界磁场进入到约瑟夫森结中，从而有效的防止了外界磁场对约瑟夫森结的影响，提高SQUID参数的稳定性。
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公开(公告)号：CN104064631A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410334717.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02165 , H01L31/035227 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成短波通多层薄膜滤波器；其中，所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。本发明操作简单，仅需在衬底上集成短波通多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率，另外，只需要过滤波长范围大于1550nm的光波，降低了设计要求，有利于滤波器的实现。
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公开(公告)号：CN114814423B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210420508.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种超导逻辑器件时序参数的测量电路，包括第一输入接口单元、输出接口单元、分路器单元、至少两个第一缓冲器单元、至少一个第二缓冲器单元、至少一个第三缓冲器单元及至少两个第四缓冲器单元；分路器单元的输入端通过级联的至少两个第一缓冲器单元连接至第一输入接口单元，第一输出端通过至少一个第二缓冲器单元连接至待测逻辑器件的数据端，第二输出端通过至少一个第三缓冲器单元连接至待测逻辑器件的时钟端；待测逻辑器件的输出端通过级联的至少两个第四缓冲器单元连接至输出接口单元；其中，第二缓冲器单元和第三缓冲器单元的数量相同。通过本发明提供的测量电路，解决了现有技术中无此种测量电路的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118510375A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310117475.8
申请日：2023-02-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结制备方法及超导电子器件制备方法，先形成呈条状的上电极超导线条，然后将上电极超导线条刻蚀形成块状的上超导电极，相对直接形成块状的超导电极能够更加精确的控制约瑟夫森结的尺寸，提高制备得到的超导电子器件的工作性能及稳定性；同时，由于上电极超导线条的材料与第一绝缘层的材料相比，刻蚀选择比更高，刻蚀形成上超导电极时，不会对第一绝缘层产生影响，而且，控制刻蚀形成上超导电极的刻蚀方向及刻蚀时间，通过过刻可以使形成的上超导电极的下表面表面积做到更小，也即使得形成的约瑟夫森结尺寸做到更小，提高制备得到的超导电子器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN113987993B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111249698.7
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/392 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种超导集成电路的功耗分析方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括：获取原理图数据和版图数据，基于原理图数据对待分析电路中的耗能器件进行仿真获取耗能器件的功耗数据，并获取所有耗能器件与对应时间功耗的映射关系；基于版图数据对版图进行重建获取重建版图，基于所属单元门的源点坐标和旋转方向分别获取所有耗能器件的绝对坐标；将所有耗能器件与对应时间功耗的映射关系和所有所述耗能器件的绝对坐标进行匹配，获取待分析电路的功耗等高线数据，并对功耗等高线数据进行渲染获取所述待分析电路的功耗分析结果。即本发明方法可用于辅助超导集成原理图、版图设计，优化超导集成电路的功耗设计，提高超导集成电路设计的可靠性。
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公开(公告)号：CN115994579B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310134815.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC: G06N10/20
Abstract: 本发明提供一种两比特门电路、超导芯片、量子计算系统及控制方法，包括：脉冲信号发生模块，第一量子比特、第二量子比特以及耦合模块；脉冲信号发生模块输入端分别连接微波信号和直流信号，输出端连接第一量子比特；耦合模块分别连接第一量子比特以及第二量子比特的控制端；其中，第一量子比特为第三激发态且第二量子比特为第零激发态的系统能级与第一量子比特为第二激发态且第二量子比特为第一激发态的系统能级对准；脉冲信号频率设置为第一跃迁频率与第二跃迁频率之间。本发明通过使用特定的脉冲序列激活两比特门，与单比特门共用XY控制线，节约了室温下的微波器件和4K到mK温区的布线数量，完善了基于超导数字电路的普适门操作。
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公开(公告)号：CN114583038B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210226252.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于NbN约瑟夫森结的超导量子比特结构及其制备方法，该超导量子比特结构包括衬底、缓冲层、功能层、隔离层、第一配线部及第二配线部，其中，缓冲层位于衬底的上表面，功能层位于缓冲层的上表面且包括间隔设置的电容器、第一约瑟夫森结、第二约瑟夫森结及谐振器，隔离层填充功能层中的间隙并覆盖功能层的显露表面及衬底的上表面，且隔离层中设有第一接触孔及第二接触孔，第一配线部填充于第一接触孔并与第一约瑟夫森结的上表面接触，第二配线部填充于第二接触孔并与第二约瑟夫森结的上表面接触。本发明通过采用高阻率的硅作为衬底、绝缘性的TaN膜作为约瑟夫森结的结区，减少了衬底中电荷涨落，增强了超导量子比特的相干性。
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公开(公告)号：CN113098435B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110367341.2
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/72 , G01R31/3181
Abstract: 本发明提供一种超导高频降频模块和方法，接收高频时钟信号，将所述高频时钟信号转换成降频时钟子信号和二倍时钟信号，基于二倍时钟信号进行复位，对测试信号进行周期性选择抽样，从而将所述测试信号转换为降频测试信号；本发明还提供一种超导高频测试系统和方法基于线性反馈移位寄存器进行实现；本发明的电路结构相对比较简单；可以实现持续性的高频测试，更符合待测电路的实际工作情况；数据降频系统通过对输出的GHz级别的高频信号进行降频处理，将频率降低到KHz级别，可以直接输出，简化了整个测试系统。
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