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公开(公告)号：CN104552638A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510021387.3
申请日：2015-01-15
申请人： 无锡隆基硅材料有限公司
CPC分类号： B28D5/0076 , B28D5/045
摘要： 本发明公布了一种冷却喷淋自动启停机构，用包括设置在两个主辊上方的平衡框架，分别设置在两个主辊外侧的两块触发挡板，设置在冷却液喷管前方截流挡板；所述平衡框架在主辊轴向设置有枢轴，可绕枢轴左右摆动；所述触发挡板一端与平衡框架的一侧相连接，用于感受冷却液的冲击，并带动平衡框架绕枢轴倾斜；所述截流挡板固定在平衡框架的一侧，平衡框架向一侧倾斜时，同侧的截流挡板封住冷却液喷管的下沿，将冷却液导向非工作区。本发明结构简单可靠，在原有设备基础上进行简单改造加装即可使用，且不会对原有设备的电子、动力设备产生任何干扰，同时达到了消除未使用侧冷却液甩出飞溅的情况，减弱了冷却液富泡化的缺陷，使得切割加工稳定。
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公开(公告)号：CN102586863B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210059312.0
申请日：2012-03-08
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨坩埚单瓣块体再生利用的切割模具，在底板上固定设置有内模与外模，所述外模与内模圆心重合，内模上安装有多个微调销钉紧固坩埚块体。本发明还公开了利用上述装置进行石墨坩埚单瓣块体再生利用的方法，将单晶硅生产过程中因R部位腐蚀减薄报废的石墨坩埚单瓣块体的两个连接断面，沿圆心向内壁旋转10°～30°角，从断面平行方向将R部位减薄的竖直断面切除，重新拼合组成一套360°角的石墨坩埚，实现石墨坩埚的再生利用。本发明的切割模具及方法，实现了减薄需要报废的石墨坩埚单瓣块体的再生利用。
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公开(公告)号：CN102921616B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210187730.8
申请日：2012-06-07
申请人： 无锡隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B05D3/02
摘要： 本发明公布了一种加速硅棒胶水硬化的方法，包括下述步骤：（1）将晶托冶具、玻璃基板、硅棒依次定位在粘棒推车上，用胶水将各部件粘结在一起；（2）将粘结好的各个部件连同粘棒推车推入硅棒加热器，对粘结好的各个部件进行加热；（3）设定烘箱温度50-60度，加热20-40分钟后，将粘棒推车拉出，更换另外的粘棒推车，进行加热硬化；（4）将加热后拉出的粘棒推车上的硅棒自然冷却至室温，完成胶水的硬化。本发明方法，大大缩短的胶水硬化的时间，含加热时间只需2.5小时，提高了工作效率，加快的硅棒粘结场地硅棒的周转速度。同时通过合理的温度和时间的控制，利用特制的加热器，使得加热所需电能消耗也较少，达到了能源消耗和工作效率提高的平衡点。
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公开(公告)号：CN102794281B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210232539.0
申请日：2012-07-06
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法，按照以下具体的操作步骤实施：安装石墨件；分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统；抽真空；加热，包括预热及升温过程，在1000℃之前升温过程中，按照每小时100℃的升温幅度进行，在1000-2000℃升温过程中，按照每小时50℃的升温幅度进行，在2000-2400℃升温过程中，按照每小时30℃的升温幅度进行；将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80-100℃的出炉温度；石墨件出炉。本发明的方法，通过将SiC在高温下发生反应，延长石墨件的使用寿命15-30炉，适用于单晶炉中的各个石墨件的清洗。
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公开(公告)号：CN102242396B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110170912.X
申请日：2011-06-23
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶炉副室提升操作的自动保护方法，在副室提升开关的行程开关上串联一个电接点压力表，该电接点压力表的测量值为单晶炉副室的压力值；电接点压力表上设置一个低于大气压值的阈值，使得在实测炉压小于这个阈值时，控制副室提升的线路一直处于断开状态，大于或等于这个阈值时，提升副室的操作才能被执行。本发明的方法，在副室提升开关线路上串联一个电接点压力表，使在副室炉压未达到大气压的状态下，无法提升副室，从而杜绝了由于误提起副室而引发的生产事故，提高了生产设备的自动化程度和智能化程度，保证了一线员工的人身安全和设备安全。
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公开(公告)号：CN102896706A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210385171.1
申请日：2012-10-11
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B28D5/04
摘要： 本发明公开了一种多线切割用导轮，包括支撑轴、第一定子、第二定子和动圈，第一定子和第二定子均套设于支撑轴，动圈套设于第一定子与第二定子的外侧，支撑轴开设有一个进气口和与进气口相连通的多个出气口，第一定子与第二定子共同形成多个导气流道，第一定子具有与多个导气流道相连通的第一均流结构，第二定子具有与多个导气流道相连通的第二均流结构，多个导气流道与多个出气口一一对应连通，来自进气口、并依次经历多个出气口及多个导气流道的气体经第一均流结构吹向动圈与第一定子之间，经第二均流结构吹向动圈与第二定子之间。本发明结构简单、密封良好，实现了无磨损运动，提高了转动精度。
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公开(公告)号：CN102139270B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010602443.X
申请日：2010-12-23
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开的硅片清洗烘干器，包括水箱内部设置有锥形过滤器，锥形过滤器出口依次通过阀门F2、管道泵与电动三通阀F4连通；电动三通阀F4另一个入口端与空气加热器连通，空气加热器的进气管上安装有阀门F6；喷淋槽内部设置有喷淋管，电动三通阀F4的出口端与喷淋管连通，电动三通阀F4与喷淋管之间的管路上安装有压力表和热电偶温度探头；管道泵、热电偶温度探头、空气加热器均与电气控制柜连接。本发明还公开了利用上述装置对多线切割中的断线硅片清洗烘干方法，依次进行对正定位、遮盖密封、喷淋清洗、加热烘干。本发明装置及方法提高了断线处理过程中的硅片清洗烘干的工作效率，提高了最终的成品率。
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公开(公告)号：CN102828242A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210327124.1
申请日：2012-09-06
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L31/0288
摘要： 本发明公开了一种含有下转换发光量子点的晶体硅制备方法，按照以下步骤实施：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中掺入8ppbw~120ppmw一种稀土元素，利用常规CZ法制得单晶硅，或利用铸锭法制得多晶硅；所述单晶硅或多晶硅中稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3；步骤2.将步骤1得到的单晶硅或多晶硅，进行退火处理，获得含有下转换发光量子点的单晶硅或多晶硅，即成。本发明还公开了上述方法制备得到的含有下转换发光量子点的晶体硅，在单晶硅或多晶硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。本发明方法制得的太阳电池具有更高转换效率。
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公开(公告)号：CN102671885A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210154685.6
申请日：2012-05-18
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括在保温筒内外壁分别设有加热器及温控显示器；在保温筒的内底面上的底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒装有上盖板，反应釜装有反应釜盖板。本发明还公开了一种采用恒温水浴法去除单晶硅埚底料中石英的方法，利用前述的装置，向保温筒内加注自来水，后向已放置好反应釜内装入待去除石英的硅原料，再向反应釜内加入氢氟酸，盖合好反应釜盖板及上盖板，通过温控显示器启动及设置相关工作参数，直至实现反应要求即成。本发明保证了氢氟酸与埚底料在室温下显著加快反应速度、周期缩短、效率提高。
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公开(公告)号：CN102010797B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010602413.9
申请日：2010-12-23
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C11D1/825 , C11D3/20 , C11D3/24 , C11D1/83 , C11D3/30 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D7/26 , B08B3/08 , B08B3/12
摘要： 本发明公开了清洗剂SEH-1、清洗剂SEH-2、清洗剂SEH-3的组方，所述的清洗剂SEH-1由以下组分按质量份组成：脂肪醇聚氧乙烯醚为5-25；烷基酚聚氧乙烯醚为3-15；烷基醇酰胺为2-8；乙二醇烷基醚为0.5-7；螯合剂为0.1-5；含氯酸为5-10；H2O2为0.5-5；去离子水为余量，总份数为100；所述的清洗剂SEH-2由以下组分按质量份组成：椰子油烷基酰胺磷酸酯为4-15；三乙醇胺油酸皂为3-15；三乙醇胺为1-5；氨基三乙酸为0.1-5；氢氧化钾为1-5；去离子水为余量，总份数为100；所述的清洗剂SEH-3由以下组分按质量份组成：醋酸为5-10；柠檬酸为0.5-10；山梨醇为0.1-5；去离子水为余量，总份数为100。本发明还公开了利用上述三种清洗剂对硅料的清洗方法。本发明的方法完全符合制作太阳能级单晶硅的清洁要求，不污染环境。
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