金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法

    公开(公告)号:CN102540606B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201210028488.X

    申请日:2006-11-02

    Inventor: 中泽明

    Abstract: 本发明提供一种金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法。电场感应元件(1)包括:光学功能层(5),该光学功能层包括金属氧化物和覆盖所述金属氧化物的绝缘体,并可见光透过率的值由于电场的施加而发生变化,所述金属氧化物是从由二氧化锡、二氧化钛、以及氧化锌组成的组中选出的;以及夹持所述光学功能层(5)的第一和第二电极层(7、9)。

    二次电池
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103140933A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201080069431.3

    申请日:2010-10-07

    Inventor: 中泽明

    CPC classification number: H01M14/005 H01M4/131 H01M10/00 H01M10/02 H01M14/00

    Abstract: 提供能够通过简单的构成实现低成本化以及稳定的动作、并大大超过锂离子电池的容量的二次电池。二次电池在基板上形成导电性的第一电极,并且层叠了n型金属氧化物半导体层、将能量充电的充电层、p型金属氧化物半导体层以及第二电极。向充电层填充被绝缘性的覆膜覆盖的微粒子的n型金属氧化物半导体,通过紫外线照射产生光激发结构变化现象,在n型金属氧化物半导体的能带隙内形成新的能级。在该新形成的能级上捕获电子而充入能量。通过将电源连接在第一电极与第二电极之间来向充电层充电。也可以使用透明电极通过光充入能量。

    金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法

    公开(公告)号:CN102540606A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210028488.X

    申请日:2006-11-02

    Inventor: 中泽明

    Abstract: 本发明提供一种金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法。电场感应元件(1)包括:光学功能层(5),该光学功能层包括金属氧化物和覆盖所述金属氧化物的绝缘体,并可见光透过率的值由于电场的施加而发生变化,所述金属氧化物是从由二氧化锡、二氧化钛、以及氧化锌组成的组中选出的;以及夹持所述光学功能层(5)的第一和第二电极层(7、9)。

    二次电池
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104221200B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201380019149.8

    申请日:2013-04-05

    Abstract: 提供一种小型且能提升每单位容积的电流容量的二次电池。本发明为一种二次电池,其特征为:具备两个电池部,所述电池部在第一电极层与第二电极层之间具有充电层,使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第一电极层相邻连接,或使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第二电极层相邻连接,使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第二电极层配线连接,或使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第一电极层配线连接,使两个电池部并联连接。

    太阳能电池
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103155162B

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201080069428.1

    申请日:2010-10-07

    Inventor: 中泽明

    Abstract: 提供能够通过简单的构成实现低成本化和稳定的动作、并通过在能带隙中形成能级的新技术实现转换效率高的太阳能电池。太阳能电池通过层叠基板、导电性的第一电极、电动势层、p型半导体层、以及导电性的第二电极而构成,在所述电动势层,使被绝缘性物质覆盖的n型金属氧化物半导体发生光激发结构变化,由此在能带隙中形成能级而捕获电子,所述太阳能电池通过照射光来光激发电动势层的能带隙中的电子,从而产生电动势。电动势层被填充被绝缘性的覆膜覆盖的微粒子的n型金属氧化物半导体,通过照射紫外线发生光激发结构变化,由此在能带隙内形成新能级。通过在第一电极与所述电动势层之间设置n型金属氧化物半导体的层,由此能够进行效率高且稳定的动作。

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