搭载二次电池的电路芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN105264656B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201480011105.5

    申请日:2014-03-05

    Abstract: 提供一种搭载二次电池的电路芯片及其制造方法,其中二次电池被直接地装配在电路和二次电池的集成结构的所形成电路的相反的表面。搭载二次电池的电路芯片被配置为这样:二次电池被直接地装配在对应于电路和二次电池的集成结构的电路的区域中。芯片是搭载二次电池的电路芯片,其中二次电池形成与在晶片上所装配的电路区域相对的表面上。通过将具有多层布线的电路的最上部形成到被钝化的电路表面的上部上的二次电池结构中,形成通过制作要被共同使用的表面结构中的电路的多层布线部的最上的布线层所直接堆叠的二次电池,或者将二次电池形成在使其上形成电路的基板的后表面上,从而二次电池和电路形成到集成结构中。

    充放电装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104488163B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201380039134.8

    申请日:2013-07-23

    CPC classification number: H02J7/0024 H01M10/0525 H01M10/441

    Abstract: 本发明提供一种充放电装置,其不使用具有非常高的电流供给能力的电源,即可使多个二次电池同时并联充放电。本发明所涉及的充放电装置使多个充放电体同时并联进行充电动作和放电动作,其具有:充电用电力线,其将电源机构提供的电力供给各充放电体;放电用电力线,各充放电体通过该放电用电力线将放电电力供给电源机构;连接切换机构,其设有多个,配置在充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间,用于切换充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间的连接;切换控制机构,其对多个连接切换机构进行切换控制;电源机构施加各不相同的多个电压值。切换控制机构进行切换控制,以使各充放电体按照规定顺序与多个充电用电力线和多个放电用电力线循环连接。

    充放电装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104488163A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201380039134.8

    申请日:2013-07-23

    CPC classification number: H02J7/0024 H01M10/0525 H01M10/441

    Abstract: 本发明提供一种充放电装置,其不使用具有非常高的电流供给能力的电源,即可使多个二次电池同时并联充放电。本发明所涉及的充放电装置使多个充放电体同时并联进行充电动作和放电动作,其具有:充电用电力线,其将电源机构提供的电力供给各充放电体;放电用电力线,各充放电体通过该放电用电力线将放电电力供给电源机构;连接切换机构,其设有多个,配置在充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间,用于切换充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间的连接;切换控制机构,其对多个连接切换机构进行切换控制;电源机构施加各不相同的多个电压值。切换控制机构进行切换控制,以使各充放电体按照规定顺序与多个充电用电力线和多个放电用电力线循环连接。

    金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法

    公开(公告)号:CN102540606B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201210028488.X

    申请日:2006-11-02

    Inventor: 中泽明

    Abstract: 本发明提供一种金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法。电场感应元件(1)包括:光学功能层(5),该光学功能层包括金属氧化物和覆盖所述金属氧化物的绝缘体,并可见光透过率的值由于电场的施加而发生变化,所述金属氧化物是从由二氧化锡、二氧化钛、以及氧化锌组成的组中选出的;以及夹持所述光学功能层(5)的第一和第二电极层(7、9)。

    二次电池
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103140933A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201080069431.3

    申请日:2010-10-07

    Inventor: 中泽明

    CPC classification number: H01M14/005 H01M4/131 H01M10/00 H01M10/02 H01M14/00

    Abstract: 提供能够通过简单的构成实现低成本化以及稳定的动作、并大大超过锂离子电池的容量的二次电池。二次电池在基板上形成导电性的第一电极,并且层叠了n型金属氧化物半导体层、将能量充电的充电层、p型金属氧化物半导体层以及第二电极。向充电层填充被绝缘性的覆膜覆盖的微粒子的n型金属氧化物半导体,通过紫外线照射产生光激发结构变化现象,在n型金属氧化物半导体的能带隙内形成新的能级。在该新形成的能级上捕获电子而充入能量。通过将电源连接在第一电极与第二电极之间来向充电层充电。也可以使用透明电极通过光充入能量。

    金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法

    公开(公告)号:CN102540606A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210028488.X

    申请日:2006-11-02

    Inventor: 中泽明

    Abstract: 本发明提供一种金属氧化物以及金属氧化物的构造改变方法。电场感应元件(1)包括:光学功能层(5),该光学功能层包括金属氧化物和覆盖所述金属氧化物的绝缘体,并可见光透过率的值由于电场的施加而发生变化,所述金属氧化物是从由二氧化锡、二氧化钛、以及氧化锌组成的组中选出的;以及夹持所述光学功能层(5)的第一和第二电极层(7、9)。

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