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公开(公告)号：CN112882339A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110073642.4
申请日：2021-01-19
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F1/38
摘要： 一种掩模版及其制备方法，涉及集成电路制造技术领域。该掩模版的制备方法包括以下步骤：在透光衬底的主图形结构上形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光和显影，以在第二光刻胶层上形成第一遮挡结构，第一遮挡结构覆盖主图形结构，且第一遮挡结构具有至少一个位于主图形结构的相邻两个子结构之间的通孔；在第一遮挡结构上形成氧化物层；对氧化物层和第一遮挡结构进行刻蚀，并保留填充于通孔内的氧化物层以作为散射条，主图形结构和散射条共同在透光衬底上形成掩模图形。该掩模版由上述的掩模版的制备方法制成。该掩模版的制备方法能够改善掩模版上散射条易倒塌的问题，进而提高掩模版的制备良率。
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公开(公告)号：CN112838050A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110167903.9
申请日：2021-02-05
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。半导体器件包括衬底结构以及依次覆盖在衬底结构上的新型金属层、绝缘层和传统金属层，新型金属层的材料与传统金属层的材料不同，绝缘层上设有新型通孔，新型金属层和传统金属层通过新型通孔电连接。上述半导体器件在衬底结构和传统金属层之间增加了新型金属层，并通过新型通孔实现新型金属层和传统金属层之间的连接，结构更加多样化，性能更高，且在制造过程中能够避免不必要的成本损失。
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公开(公告)号：CN112813482A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011615619.5
申请日：2020-12-30
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 林英乔
摘要： 本申请提供一种芯片电镀系统及芯片电镀控制方法，涉及集成电路制造技术领域。本申请通过盛液装置的容置槽盛放电镀液，并在容置槽内设置板面与槽底表面平行的推板，安装在盛液装置上的气压缸通过传动杆与推板连接，由气压缸带动推板在电镀液内移动以调节电镀液面高度。本申请通过芯片夹持设备夹持着待镀芯片朝向容置槽的槽底移动，而后由与气压缸及芯片夹持设备分别电性连接的控制设备，对气压缸及芯片夹持设备各自的工作状态进行控制，使气压缸与芯片夹持设备相互配合地将待镀芯片浸入电镀液中，并针对芯片表面附着的气泡施加相向的两股压力，增强气泡排挤力度，从而尽可能地降低电镀浸液过程中芯片表面的空气残留，改善电镀铜坑缺陷。
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公开(公告)号：CN112799325A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011626202.9
申请日：2020-12-31
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本申请提供了一种机械臂运动状态监方法、装置及相关设备，涉及机械臂技术领域。该方法应用于机械臂运动监控系统中的服务器，机械臂运动监控系统还包括机械臂与监测传感器，监测传感器与服务器通信连接，且监测传感器安装于机械臂；首先获取监测传感器反馈的数据信息，其中，数据信息包括加速度信息，然后依据加速度信息生成加速度波形，最后当加速度波形与预设的目标加速度波形不匹配时，确定机械臂运动异常。本申请提供的机械臂运动状态监方法、装置及相关设备具有判判断机械臂运行是否顺畅的误差小，且减小了工作人员的工作量的优点。
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公开(公告)号：CN112786704A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011622882.7
申请日：2020-12-31
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种鳍式场效应管制程中变容二极管(Varactor)及其制作方法，可以设置多个阱区，每个阱区上方对应设置鳍形结构、浅沟道隔离层以及栅极，且设置各个阱区所对应的栅极的金属功函数不完全相同，不同金属功函数的栅极与其所对应的阱区以及栅极介电层形成不同的变容二极管；还可以设置P型金属功函数层作为栅极，该栅极与P型掺杂的阱区和栅极介电层形成变容二极管，相对于传统的N型金属功函数层制备的栅极与阱区以及栅极介电层形成单一变容二极管的方案，本发明技术方案在同一器件中形成了多种的变容二极管，可以基于电路设计的需求选择所需的变容二极管。
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公开(公告)号：CN112782943A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110017592.8
申请日：2021-01-07
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本申请提供了一种目标图形获取方法、装置及相关设备，涉及光刻技术领域。首先获取原始图形的参数，其中，原始图形中包括多个图形条，原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距，再依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域，最后在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，目标图形与原始图形相同。本申请提供的目标图形获取方法、装置及相关设备具有光学临近效应的修正效果更好的优点。
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公开(公告)号：CN112749424A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110049978.7
申请日：2021-01-14
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质，涉及半导体技术领域。光刻胶的轮廓三维建模方法包括：多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；将光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；获取复数轮廓的白边宽度和差异量；根据白边宽度和差异量，建立光刻胶三维模型。这样，可以从复数轮廓的灰阶图像中获取白边宽度和差异量，根据白边宽度和差异量，即可得出光刻胶侧墙的三维尺寸信息，从而建立光刻胶三维模型，不需要再单独调整系统参数来收集光刻胶侧墙的三维尺寸信息，能够显著提高建模效率和精度。而且，建立的光刻胶三维模型能够用于预测其它图型中光刻胶的三维尺寸。
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公开(公告)号：CN112685987A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011538554.9
申请日：2020-12-23
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种参数化单元及其实现方法，包括：提供参数化单元，所述参数化单元包括至少一个器件，所述器件包括多个膜层结构；根据预设的器件结构确定任一膜层结构待剪切的区域，所述预设的器件结构满足所述参数化单元的最小设计规则；根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定，以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切，从而可以在符合最小设计规则的情况下，有限度开放定义剪切层的设计，进而可以根据需求调整器件的特性，使得器件能够应用于更多不同的应用场景中。
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公开(公告)号：CN112382589A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011257581.9
申请日：2020-11-10
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种去除芯片表面氧化硅的装置及方法，涉及半导体技术领域。去除芯片表面氧化硅的装置包括加热机构，加热机构包括上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的加热面平行且相对设置，用于分别对芯片的上表面和下表面加热。上述去除芯片表面氧化硅的装置通过上加热器和下加热器同时对芯片的上下表面进行加热，可以提高加热速度，使芯片尽快升温并保证上下表面温度均匀，达到精确的温度控制，减少了产品缺陷，提高了良品率。同时，还可以避免上加热器和下加热器长时间在高功率条件下工作，有效提高了上加热器和下加热器的寿命，节省了电能。
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公开(公告)号：CN112117184A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011012230.1
申请日：2020-09-23
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 一种残胶清除方法，涉及半导体制备技术领域。该残胶清除方法，用于清洗基板上的残胶，该残胶清除方法包括以下步骤：对基板进行冷冻处理，使附着在基板上的残胶脆化；去除脆化的残胶。该残胶清除方法通过冷冻处理可使得残胶脆化并断裂，从而使得残胶的特性改变而与基板表面解除黏附，这样便能利于残胶的去除，进而能够有效改善基板上的残胶不易去除的缺陷，同时在一定程度上也保障半导体器件的品质。
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