公开(公告)号：CN117373941A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311422622.9

申请日：2023-10-27

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  谢冬 ,  陈珍 ,  汪松

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了一种半导体结构中孔结构尺寸的量测方法，其中，半导体结构包括衬底，孔结构从衬底的上表面延伸至内部；量测方法包括：执行模塑溶液注入工艺，使模塑溶液完全填充孔结构并覆盖衬底的上表面；使模塑溶液固化以形成模塑结构，模塑结构包括位于孔结构内的柱状结构；执行剥离工艺，以使模塑结构和衬底分离；量测柱状结构的尺寸，并根据柱状结构的尺寸确定出孔结构的尺寸。

公开(公告)号：CN117210801A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311002994.6

申请日：2023-08-08

Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司

Inventor： 江仲开 ,  陈珍 ,  高标

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供第一晶圆；通过调节等离子体增强化学气相沉积过程中的工艺参数，在所述第一晶圆上形成具有第一固定厚度以及第一弯曲度调节能力的第一材料层，使得所述第一晶圆的第一弯曲度的绝对值小于等于第一预设值得到具有第一弯曲度的第一晶圆。

公开(公告)号：CN116199264A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310055494.2

申请日：2023-01-17

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 程俊岩 ,  万厚钊 ,  吕琳 ,  汪汉斌 ,  沈谅平 ,  张军 ,  王浩

IPC: C01G45/02 ,  H01M4/48 ,  H01M10/36

Abstract: 本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量的硼源加入到(1)均匀的溶液中，继续搅拌均匀；(3)将配置好的溶液倒入聚四氟乙烯内胆中，转移至不锈钢高压反应釜中进行水热反应；(4)反应完成后将生成物进行过滤、干燥、收集。本发明通过非金属B掺杂β相MnO2电极材料不仅具有高比容量而且电池循环稳定性在非金属B掺杂后得到了很大的提高，并且本发明一步到位，大大简化了实验程序，节省了人力物力，便于产业化实施和应用，市场前景广阔。

公开(公告)号：CN116110990A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211628020.4

申请日：2022-12-16

Applicant: 复旦大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 徐航 ,  杨雅芬 ,  朱颢 ,  张卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P‑区，在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在顶层硅的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖除源极和漏极外的顶层硅表面。通过在N+区附近增加了浅p阱区，消除了由曲率效应引起的边缘击穿现象，同时保证了侧向PN+结发生雪崩倍增，实现了吸收区和倍增区分离。

公开(公告)号：CN116072607A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310210873.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  王逸群 ,  谢冬 ,  汪松

IPC: H01L21/768 ,  H01L25/065

Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法、电子设备。所述形成方法，包括：提供第一晶圆，具有相对的第一面和第二面；在所述第一晶圆中形成第一导电盲孔结构，从所述第一面显露；在所述第一面键合包括第二晶圆在内的至少一个晶圆，所述第二晶圆具有朝向所述第一面的第三面和与所述第三面相对的第四面、且包括第二导电盲孔结构；对所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别进行刻蚀，以形成第一导电通孔结构、和第二导电通孔结构；所述第一导电通孔结构与所述第二导电通孔结构构成贯穿所述第一晶圆和所述第二晶圆的母通孔结构；在所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别形成导电走线层，用于电连接所述母通孔结构。

公开(公告)号：CN115867119A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211484488.0

申请日：2022-11-24

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 孙华军 ,  梁华南 ,  白娜 ,  邹岚清 ,  缪向水

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法，属于微电子器件技术领域，包括由下至上依次分布的下电极、阻变层、阻挡层和上电极；其中，阻变层为具有能级缺陷的阻变层，能够自发的捕获和释放载流子，且无需预先进行forming操作产生软击穿即可具有稳定的阻变特性，并不会对器件内部结构产生严重破坏，能够更加精确的模拟神经突触的功能。同时还可抑制神经信号之间的干扰，减小忆阻阵列中神经网络训练和推理运算过程中忆阻器件非理想因素的影响。

公开(公告)号：CN115621259A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211236273.7

申请日：2022-10-10

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 薛堪豪 ,  白娜 ,  孙华军 ,  缪向水

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种利用硬电极在低温退火条件下提高铁电器件性能方法，该方法针对的铁电器件自上而下包括上电极、铁电材料功能层、下电极和衬底，其中上电极所采用电极材料的硬度大于下电极所采用的电极材料的硬度；通过将该铁电器件在目标退火温度满足大于350℃且小于500℃的低温条件下进行低温退火，能够提高器件的铁电性能。本发明通过对铁电器件的电极材料进行改进，通过采用硬度较大的电极材料构建上电极、使上电极的硬度大于下电极，能够实现在较低的退火温度下提升铁电器件的铁电性能。

公开(公告)号：CN115411181A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210965999.8

申请日：2022-08-12

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 董文静 ,  袁幼红 ,  余章宏 ,  夏晨 ,  胡高 ,  王浚英 ,  汪宝元

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于锂镍氧化物材料的选通管及其制作方法，该选通管包括底层电极；中间层材料，位于所属底电极一侧表面；顶层电极，位于所述选通管材料层远离所述底层电极一侧表面。其中，所述底层电极的材料为泡沫镍(Ni form)、泡沫铜、金属镍片、金属铜片、金属镍薄膜和金属铜薄膜的一种；所述中间层材料为锂镍氧化物LixNiO2‑δ(0＜x≤1)；所述顶层电极为金属铂、金属金的一种。本发明的一种基于锂镍氧化物材料的选通管，具有Forming‑free的特性，不需要Forming过程就可以直接表现出双向阈值转变的性能，且有稳定的阈值电压和保持电压，将其作为整流器件,可有效抑制RRAM存储器阵列中的串扰电流。本发明选通管具有结构简单、工艺简单、价格低廉等的特点。

公开(公告)号：CN115295796A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210789380.6

申请日：2022-07-06

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 刘鑫 ,  陈鑫 ,  秦晨晨 ,  郭忠献 ,  万厚钊 ,  王浩 ,  张军

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/38 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04

Abstract: 本发明公开了Ni金属与MnO2离子交换制备电极材料的方法及其制备的电极材料和应用，属于电池技术领域。本发明方法具体如下：(1)将MnO2粉末与镍盐水溶液按一定比例混合，倒入聚四氟乙烯内衬中；(2)将步骤(1)所述聚四氟乙烯内衬放入衬有特氟隆的不锈钢反应釜中，然后放入干燥箱中，进行水热反应；其中，干燥箱的温度设置为150～200℃，反应时间设置为48h；水热反应结束后，冷却至室温；(3)将步骤(2)所得产物抽滤，干燥，得到所述的Ni‑MnO2电极材料。本发明在已制备好的二氧化锰的基础上，改善了锰基锌离子电池的整体电化学性能，实用性更为广泛。本发明制备的电极材料，其在1A/g电流密度下比容量由开始的92mAh/g，经过2000圈循环后，其容量保持率为81％左右。

公开(公告)号：CN115239546A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210841387.8

申请日：2022-07-18

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 李祎 ,  吴晨旭 ,  缪向水

IPC: G06T1/60 ,  G06T5/00 ,  G06F17/16 ,  G06F17/18 ,  G06V10/74 ,  G06V10/772 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66

Abstract: 本发明公开了一种基于非易失存储器的前向梯度回归加速器及操作方法，该前向梯度回归加速器包括控制模块、存内处理模块和运算模块；控制模块，包括DRAM存储器，用于保存运算数据，并向存内处理模块和运算模块传输相应指令和数据；存内处理模块，包括非易失存储器阵列，用于为前向梯度回归计算残差向量和回归变量之间的余弦相似度，并将运算结果传输给控制模块；运算模块用于接收控制模块的指令和数据，完成数据映射的运算并用于更新回归系数和残差向量。本发明采用非易失存储器阵列以0(1)的方式执行大规模矩阵向量乘法运算，配合DRAM存储器备份数据执行数值迭代算法，在实现加速求解前向梯度回归问题的同时，可确保计算精度。