一种尖晶石型高熵透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117986004A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410076786.9

    申请日:2024-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种尖晶石型高熵透明陶瓷及其制备方法和应用,所述尖晶石型高熵透明陶瓷的化学计量式为(LiaMgbZncAldGae)O4,其中,0.3≤b+c≤0.9、0.05≤a≤0.35、2.05≤d+e≤2.35,b>0、c>0、d>0、e>0,且a+b+c+d+e=3;五种金属离子无序占据尖晶石结构中的阳离子等效位点。本发明制备的尖晶石型高熵透明陶瓷在230~7800nm的宽波段有较高的透光性能,尤其在0.5~6μm波段具有>70%的光学直线透过率。同时具有良好的机械性能和稳定性,适用于医学仪器、光源、激光、红外或防护窗口等领域;且涉及的制备方法较简单,操作方便,适合推广应用。

    一种连续纤维包芯织物增强可瓷化酚醛树脂基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117511122A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311456883.2

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明属于复合材料技术领域,公开了一种连续纤维包芯织物增强可瓷化酚醛树脂基复合材料及其制备方法。该复合材料包括由连续纤维包芯纱织造的连续纤维包芯织物,以及浸渍于连续纤维包芯织物上的可瓷化酚醛树脂;其中,连续纤维包芯纱以连续碳纤维为芯层纤维,以连续高硅氧纤维、连续石英纤维、连续氮化硅纤维、连续碳化硅纤维中的一种或几种为皮层纤维,芯层纤维完全包覆在皮层纤维内形成皮芯结构。本发明兼具芯层纤维和皮层纤维的优异性能,包芯结构界面稳定,可瓷化酚醛树脂在高温下协同皮层纤维对芯层纤维进行保护,从而提高复合材料高温环境下的综合防护性能。

    一种PID控制器增益参数设计方法、装置、电子设备及介质

    公开(公告)号:CN117389133A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311511525.7

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明涉及一种PID控制器增益参数设计方法、装置、电子设备及介质,其方法包括:确定目标PID控制器控制变量的约束条件,控制变量为目标PID控制器的增益参数;基于模糊PID控制算法对控制变量进行计算,得到目标PID控制器的近优增益参数;获取粒子群算法的参数,基于粒子群算法的参数和近优增益参数得到种群初始位置;基于种群初始位置迭代确定所述种群当前的速度与位置,基于种群当前的速度与位置在约束条件内更新种群速度与位置;当确定迭代更新满足终止条件时,确定种群的全局最佳位置,全局最佳位置为目标PID控制器的最优增益参数。本发明解决了种群初始位置选择不确定性问题。

    一种钛合金环形焊缝焊接保护工装

    公开(公告)号:CN117139927A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311017865.4

    申请日:2023-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种钛合金环形焊缝焊接保护工装,其技术方案要点是:包括底座,底座的顶面固定安装有两个安装板,安装板的一侧开设有推动槽;移动块,移动块设置在推动槽的一侧,移动块的一侧设置有夹持板,夹持板的一侧设置有两个固定块,固定块的顶面固定安装有橡胶垫;顶板,顶板固定安装在安装板的顶面,顶板的底面设置有焊接枪;冷却组件,冷却组件设置在底座的内部一侧,用于冷却焊接部位,通过设置气泵,通过气泵向充气腔的内部鼓动气体,使得气体通过出气孔向上喷出,对固定块上的钛合金零件焊接位置进行冷却,加快钛合金焊接位置的冷却速度,方便工作人员安全快速的拿取焊接,提升工作效率。

    用于废液处理的电解装置及电解方法

    公开(公告)号:CN117023728A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311133241.9

    申请日:2023-09-01

    Abstract: 本发明提供了一种用于废液处理的电解装置及电解方法。电解装置包括储液系统、电解系统、冷却系统、排风系统以及控制系统;其中,储液系统包括中空的箱体;电解系统包括第一泵体和电解组件,电解组件包括电解堆,电解堆包括多个相互串联的电解单元,每个电解单元包括第一端板、阳极板、第一密封垫、腔室、第二密封垫、阴极板和第二端板;冷却系统包括第二泵体和控温组件。本申请实施例可根据废液水质灵活调整电解单元的数量以实现扩容;采用循环电解提高了电解效率;采用冷却系统可以保证合适温度,排风系统将气体及时排出,控制系统使自动化程度更高,减少人工操作,具有模块化、操作简单、结构紧凑、占地面积小、安全稳定和电解效率高的优点。

    一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法

    公开(公告)号:CN116815157A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310520672.4

    申请日:2023-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法,通过精确调控前驱体的传质过程,最终获得了厚度≤10nm,横向尺寸≥500μm的单晶铋基钙钛矿材料,解决了现有方法制得的二维铋基钙钛矿材料单晶尺寸较小且厚度不可控的问题。所述方法包括以下步骤:将两种前驱体物质分别放置于双温区管式炉的两个温区,采用云母基体作为衬底,向管式炉内通入氩气和氢气,分别将管式炉的两个温区升温至预定温度,反应,即可得到大尺寸二维铋基钙钛矿材料。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好,通过改变管式炉两个温区的温度和载气流量,即可控制二维铋基钙钛矿材料的厚度和形貌结构。

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