公开(公告)号：CN102712997B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180005295.6

申请日：2011-07-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  渡边广幸

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明的分割溅镀靶及其制造方法，其提供如下技术：在将多个靶构件接合而得到的分割溅镀靶中，可通过溅镀而有效地防止支承板(backing plate)的构成材料混入成膜的薄膜中。本发明涉及一种分割溅镀靶，为在支承板上，将多个靶构件通过低熔点焊料接合而形成的分割溅镀靶，其特征为沿着接合的靶构件间所形成的间隙，在支承板上设置保护体。

公开(公告)号：CN103582953A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280006660.X

申请日：2012-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  石井林太郎 ,  附田龙马 ,  久保田高史 ,  高桥广己

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  C01G19/00

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。

公开(公告)号：CN102686766A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005296.0

申请日：2011-07-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 久保田高史

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种于接合多个靶构件所得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要成膜的薄膜中的技术。本发明为通过低熔点焊料将多个靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于接合的靶构件间所形成的间隙中充填有陶瓷材料或有机材料。此外，陶瓷材料较佳为与靶构件有相同组成的陶瓷粉或陶瓷纤维，有机材料优选为高电阻物质。

公开(公告)号：CN102084015A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126788.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  附田龙马 ,  矢野智泰 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02

CPC classification number: C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  H01B1/023

Abstract: 本发明的目的在于提供具备适合于有机EL的柔软性、可与ITO等的透明电极层直接接合、对于显影液的耐蚀性良好的Al-Ni类合金布线电极材料。本发明采用在铝中包含镍和硼的Al-Ni类合金布线电极材料，镍和硼的总含量为0.35原子％～1.2原子％，其余部分由铝形成。此外，本发明的Al-Ni类合金布线电极材料较好是镍为0.3原子％～0.7原子％，硼为0.05原子％～0.5原子％。