-
公开(公告)号：CN103608924A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
申请人： 三井金属矿业株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
-
公开(公告)号：CN107635923A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033008.5
申请日：2016-07-21
申请人： 三井金属矿业株式会社
CPC分类号： H01M4/925 , B01J23/648 , B01J32/00 , C01G33/00 , C01G33/006 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , H01M4/86 , H01M4/8657 , H01M8/10 , H01M8/1004 , H01M8/1023 , H01M8/1039 , H01M2008/1095
摘要： 本发明的氧化锡包含选自钽、钨、铌和铋中的至少一种元素A以及锑。选自钽、钨、铌和铋中的至少一种元素A以及锑优选以固溶在氧化锡中的状态存在。所述元素A的摩尔数与锑的摩尔数之比[所述元素A的摩尔数/锑的摩尔数]的值优选为0.1～10。
-
公开(公告)号：CN101258584A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032984.5
申请日：2006-12-22
申请人： 三井金属矿业株式会社
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022466 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供可以调整氧化锌系透明导电膜的蚀刻速率、提高图案化特性的氧化锌系透明导电膜的图案化的方法。通过蚀刻以氧化锌作为主成分、含有从周期表第IV族的元素中选择的至少1种的添加元素的氧化锌系透明导电膜图案化时，在上述蚀刻工序之前利用水处理上述氧化锌系透明导电膜。
-
公开(公告)号：CN103608924B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
申请人： 三井金属矿业株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
-
公开(公告)号：CN103582953B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
申请人： 三井金属矿业株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC分类号： C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
-
公开(公告)号：CN103582953A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
申请人： 三井金属矿业株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC分类号： C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
-
公开(公告)号：CN100543943C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200680032984.5
申请日：2006-12-22
申请人： 三井金属矿业株式会社
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022466 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供可以调整氧化锌系透明导电膜的蚀刻速率、提高图案化特性的氧化锌系透明导电膜的图案化的方法。通过蚀刻以氧化锌作为主成分、含有从周期表第IV族的元素中选择的至少1种的添加元素的氧化锌系透明导电膜图案化时，在上述蚀刻工序之前利用水处理上述氧化锌系透明导电膜。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.026 秒)
