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公开(公告)号：CN1941398B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610154248.9
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板及其制造方法，所述阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层、置于开口内并至少部分接触源电极和漏电极的有机半导体、形成于有机半导体上的栅绝缘体、形成于栅绝缘体上的终止层、形成于终止层上且交叉在数据线上并包含栅电极的栅线、以及经接触孔与漏电极连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN100573957C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610086691.7
申请日：2006-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅极布线，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘层，由无机材料制成，形成在栅极布线上并具有第一绝缘层接触孔，以露出至少部分栅极布线；第二栅极绝缘层，由有机材料制成，形成在第一栅极绝缘层上并具有与第一绝缘层接触孔相对应的第二绝缘层接触孔；源电极和漏电极，形成在第二栅极绝缘层上并彼此分离，以限定沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区上。因此，本发明提供了一种TFT特性被改进的有机TFT基板。
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公开(公告)号：CN100495718C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610168697.9
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L51/40 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136209 , G02F2202/02 , H01L27/3248 , H01L27/3262
Abstract: 一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN100485907C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610106394.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层；通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域；在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层，允许形成在沉积开口中的这些层保留。
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公开(公告)号：CN1905232A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419944B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810171022.9
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层；通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域；在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除所述金属层。
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公开(公告)号：CN102201367A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010512778.2
申请日：2010-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管阵列面板及一种容易地制造该薄膜晶体管阵列面板的方法，其中，该氧化物半导体层实现了优异的稳定性和电特性。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基底；氧化物半导体层，设置在基底上，并包括从由氧化锌、氧化锡和氧化铪组成的组中选择的金属氧化物；栅电极，与氧化物半导体层叠置；栅极绝缘膜，设置在氧化物半导体层和栅电极之间；源电极和漏电极，设置成彼此分开并且与氧化物半导体层至少部分地叠置。
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公开(公告)号：CN100459143C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610098771.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13458 , G02F2001/136295 , G02F2202/02 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种平板显示器，包括：绝缘基板；数据线，形成在绝缘基板上；层间绝缘膜，其形成在数据线上，具有露出数据线的第一接触孔；连接件，形成在第一接触孔的一部分中；层间绝缘膜，环绕第一接触孔；栅极绝缘膜，其形成在连接件上，具有露出连接件的第二接触孔；以及有机半导体层，形成在栅极绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN101009297A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610168697.9
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L51/40 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136209 , G02F2202/02 , H01L27/3248 , H01L27/3262
Abstract: 一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN1996610A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610166914.0
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L51/05 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L51/40 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该面板包括：基板；在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线；连接到第一信号线的源电极；连接到第二信号线的漏电极；连接到漏电极的像素电极；形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物，其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽；形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体；以及，连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。
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