公开(公告)号：CN1949523A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610136129.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳镕 ,  李忠浩 ,  朴东健

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：在半导体衬底的预设或给定区域上顺序层叠的单元隔离图形和半导体图形；单元栅极线，在半导体图形上，并在单元隔离图形的一侧上的半导体衬底的顶表面上；多层阱绝缘层，在单元栅极线和半导体衬底以及单元栅极线和半导体图形之间；第一杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体衬底中；以及第二杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体图形中。

公开(公告)号：CN1925119A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126323.0

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  朴东健 ,  赵恩锡 ,  成锡江 ,  崔炳镕 ,  金泰瑢 ,  李忠浩

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，所述半导体器件所包括的鳍型FET结构提供主体偏压控制，表现出与SOI结构相关的某些特征优点，提供增大的工作电流和/或降低的接触电阻。所述的制造半导体器件的方法包括：在第一绝缘膜的突出部分的侧壁上形成绝缘分隔体；通过以绝缘分隔体作为蚀刻掩模去除半导体衬底的暴露区域而形成第二沟槽，并由此形成与第一绝缘膜接触并由其支撑的鳍。在形成鳍之后，形成填充第二沟槽并支撑所述鳍的第三绝缘膜。之后，去除第一绝缘膜的一部分，以开放鳍之间的空间，在所述空间内可以形成包括栅极电介质、栅电极和额外接触、绝缘和存储节点结构的额外结构。