公开(公告)号：CN115692375A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210865237.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  申定候 ,  张相信 ,  千正焕 ,  朴径范 ,  朴水贤

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。

公开(公告)号：CN117253855A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310521771.4

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白奉官 ,  张相信 ,  柳庚玟 ,  白宗玟 ,  申定候 ,  林俊赫 ,  千正焕

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN107887362A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710911772.4

申请日：2017-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白宗玟 ,  V.H.阮 ,  刘禹炅 ,  张相信 ,  金秉熙

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/522 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。