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公开(公告)号：CN108074910B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201711083442.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
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公开(公告)号：CN107887362B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201710911772.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
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公开(公告)号：CN108074910A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711083442.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76816 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/5222
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
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公开(公告)号：CN107887362A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710911772.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
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