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公开(公告)号：CN119479739A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410261196.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置、一种存储器系统和一种控制非易失性存储器装置的操作的方法。该非易失性存储器装置包括存储器块、页缓冲器电路和控制电路。页缓冲器电路通过位线连接到单元串。控制电路通过以下操作来控制读取操作：通过基于读取电压设定对由访问地址指定的选择的字线执行第一读取操作，将第一感测数据和第二感测数据锁存在页缓冲器电路中；通过基于至少一个相邻的读取电压对与选择的字线相邻的干扰字线执行第二读取操作，将第三感测数据锁存在页缓冲器电路中；基于第三感测数据的编程状态来选择第一感测数据和第二感测数据之一作为硬判决数据；以及通过使用第一感测数据和第二感测数据来生成软判决数据。
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公开(公告)号：CN116129974A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211096242.6
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
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公开(公告)号：CN108122582B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201711223276.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。
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公开(公告)号：CN106653073B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201610645104.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有存储单元阵列和页缓冲器电路的非易失性存储设备，所述存储单元阵列包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元(M>2，N>2)，所述页缓冲器电路包括分别耦合至第一位线至第N位线、并分别生成第一输出数据至第N输出数据的第一页缓冲器至第N页缓冲器。第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线进行放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据(K≤N，L>1，P≤M)。如果第一锁存器的读数据中的误差可校正，则第K页缓冲器输出第一输出数据。
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公开(公告)号：CN114446366A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111274226.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置的读取方法、非易失性存储器装置和存储装置。该方法包括：响应于第一读命令使用默认读电平执行正常读操作；以及当正常读操作中读取的读取数据不可纠正时，响应于第二读命令使用多芯片上谷搜索(OVS)感测操作执行读操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110136764A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910057925.2
申请日：2019-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。
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公开(公告)号：CN107871522A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710872278.1
申请日：2017-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C11/5671 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C2211/563 , H01L27/11582 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/3404
Abstract: 在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和所述非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整被在所述第一字线的读取操作期间施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，而执行对所述第一字线的读取操作。
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公开(公告)号：CN119479716A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410623022.7
申请日：2024-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储器单元阵列、控制读取操作以从每个页读取硬判决数据和软判决数据的控制逻辑、以及包括与硬判决数据的感测有关的第一锁存器和与软判决数据的感测有关的第二锁存器的页缓冲器。控制逻辑控制执行在第一感测时序将基于第一偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第一感测操作、以及在第二感测时序将基于第二偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第二感测操作，并且执行控制操作以在第一感测操作中将设定信号SET提供到第二锁存器，并且在第二感测操作中将重置信号RST提供到第二锁存器。
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公开(公告)号：CN118298882A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311778646.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法、一种存储器装置和一种存储器系统。存储器单元阵列包括多个存储器单元和连接到多个存储器单元的多条字线。该方法包括：通过调整施加到与用于改善存储器单元读出特性而要被额外读取的存储器单元连接的选择的字线WLN的电压电平以及施加到多条未选择的字线WLUnselect的电压电平，对多个存储器单元执行额外的读操作；以及通过将施加到多条未选择的字线WLUnselect之中的至少一条第一字线的电压电平调整为与在额外的读操作中施加到所述至少一条第一字线的电压电平不同，对多个存储器单元执行主读操作。
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公开(公告)号：CN108288488B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810018862.5
申请日：2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李知尚
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器装置和存储器系统，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接至多条字线和多条位线的多个存储器单元；行解码器，其构造为选择性地控制所述多条字线；页缓冲器，其包括分别对应于所述多条位线的多个锁存器；以及控制电路，其构造为响应于在编程循环的运行操作期间产生的挂起请求，在所述多个存储器单元的编程操作的编程循环的验证操作终止之后，控制非易失性存储器装置进入挂起状态。
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