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公开(公告)号：CN106175763A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510382986.8
申请日：2015-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B5/053
CPC classification number: A61B5/0537 , A61B5/4872 , A61B5/681 , A61B5/7278 , A61B2560/0468
Abstract: 提供一种测量用户的体脂的方法，该方法包括：通过使用4点测量方法来测量第一阻抗；通过使用2点测量方法来测量第二阻抗；通过使用第一阻抗和第二阻抗来确定生物阻抗；以及通过使用该生物阻抗和该用户的身体信息来确定体脂百分比。
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公开(公告)号：CN104425611A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410182596.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1033 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。沟道层可包括第一层和第二层，该第一层和第二层包括具有各自浓度的多个元素中的至少一个，该第一层可以比第二层更靠近栅极设置。由于元素和元素各自的浓度的组合，所以第二层可具有比第一层的电阻高的电阻。第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌、氧和氮的半导体材料。替代地，第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌氟氮化物的半导体材料。第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。
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公开(公告)号：CN104022134A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410044819.8
申请日：2014-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵成豪
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L24/18 , H01L27/14618 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种光电集成电路。光电集成电路可以包括形成在基板的密封空间中的光子元件和形成在基板上的电子元件。基板可以包括接合到彼此的第一基板和第二基板。第一基板具有对应于形成在其中的密封空间的第一沟槽，第二基板的第一表面具有形成在其上的光子元件，密封空间由形成在第一沟槽内并由第二基板的第一表面密封的空间限定。
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公开(公告)号：CN102931146A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210060462.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵成豪
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/76243 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电集成电路基板及其制造方法，所述光电集成电路基板包括光学装置区和电子装置区，光学装置区和电子装置区的每个包括掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层具有彼此不同的厚度。与电子装置区的掩埋绝缘层相比，光学装置区的掩埋绝缘层形成在较大的深度处并具有较大的厚度。微机电系统(MEMS)结构可以形成在没有掩埋绝缘层的区域中。
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公开(公告)号：CN101852795A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910258447.8
申请日：2009-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵成豪
CPC classification number: G01N33/54366 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00608 , B01J2219/00619 , B01J2219/00662 , B01J2219/00722 , B01L3/5085 , Y10T428/268
Abstract: 一种用于生物芯片的基板和制备该基板的方法。所述用于生物芯片的基板具有在基底上形成的纳米结构点，探针生物分子附着到所述基底，提高了基板与点间的结合效率，并提高了生物分子检测的效率。
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公开(公告)号：CN104600070B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410601952.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02645 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。
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公开(公告)号：CN104347520B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
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公开(公告)号：CN103064200B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210397252.3
申请日：2012-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0156 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种包括石墨烯的光学调制器，该光学调制器包括：第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上；第一电极，在第一石墨烯上；以及第二电极，在第二石墨烯上。第一石墨烯和第二石墨烯各自的侧表面彼此分离。半导体层的第一脊部和第二石墨烯上的第二脊部构成光波导，且第一和第二石墨烯在垂直于半导体层的方向上位于光波导的中心部分。
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