公开(公告)号：CN104600070B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201410601952.9

申请日：2014-10-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。

公开(公告)号：CN108962754A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710355767.X

申请日：2017-05-19

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 赵猛

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，其包括：衬底和在衬底上的栅极结构；栅极结构包括：栅极电介质层、栅极和在栅极两侧的侧壁上的间隔物层；对衬底进行刻蚀以形成分别在栅极结构两侧的第一凹陷和第二凹陷；对间隔物层的在栅极至少一侧的侧壁上的部分进行刻蚀以露出衬底的至少一部分；形成填充第一凹陷的源极和填充第二凹陷的漏极；源极包括在第一凹陷中的第一源极部分和在第一源极部分上的第二源极部分，漏极包括在第二凹陷中的第一漏极部分和在第一漏极部分上的第二漏极部分；第二源极部分和第二漏极部分中的至少一个覆盖衬底的被露部分。本发明增大了源极或漏极与沟道区的接触电阻。

公开(公告)号：CN104900521B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410077191.1

申请日：2014-03-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7849 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干凹槽；在所述半导体衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层填充满凹槽并覆盖半导体衬底表面；刻蚀部分厚度的缓冲层，形成鳍部；在鳍部周围的缓冲层上形成绝缘层，所述绝缘层的表面低于鳍部的顶部表面；在鳍部表面形成沟道层；在部分绝缘层表面和部分沟道层表面形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道层内形成源漏区。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN105102695B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480019026.9

申请日：2014-12-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 岩井真 ,  今井克宏 ,  坂井正宏

IPC分类号： H01L21/208 ,  H01L33/32 ,  C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20

CPC分类号： H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中，在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时，抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。

公开(公告)号：CN103898601B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201310741406.0

申请日：2013-12-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大部智行 ,  宫原孝广 ,  永田朋幸

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备下述工序：（1）将基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成第一晶种层；以及（2）将基底加热，在加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有第一晶种层的基底表面上形成第二晶种层，将前述（1）工序中的处理温度设为不足400℃且前述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在前述基底表面上的温度以上，将前述（2）工序中的处理温度设为不足400℃且前述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有前述第一晶种层的前述基底表面上的温度以上。

公开(公告)号：CN107785238A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710074260.7

申请日：2017-02-10

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 蒋道福 ,  宋建军 ,  任远 ,  宣荣喜 ,  胡辉勇 ,  舒斌 ,  张鹤鸣

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/201

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66522

摘要： 本发明涉及一种InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法。该方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge籽晶层；生长第二Ge主体层；加热整个衬底，并利用激光工艺对整个衬底进行晶化，激光工艺参数：波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s；冷却后在Ge/Si虚衬底材料上生长InGaAs材料。本发明采用激光再晶化(Laser Re-Crystallization，简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度，提高后续生长的InGaAs材料质量。同时，激光再晶化工艺时间短、热预算低，可提升Si衬底上制备InGaAs材料整个工艺的效率。另外，InGaAs材料作为沟道的NMOS器件、InGaAs作为N沟道，Ge及应变GeSn作为P沟道的CMOS器件具有很高的电子和空穴迁移率，可显著提升晶体管的速度与频率特性，并降低电路整体的功耗。

公开(公告)号：CN107743656A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201580081034.0

申请日：2015-06-19

申请人： 英特尔公司

发明人： R.梅汉德鲁 ,  A.S.墨菲 ,  T.加尼 ,  G.A.格拉斯 ,  K.詹布纳坦 ,  S.T.马 ,  C.E.韦伯

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

摘要： 公开了用于具有外延生长的硼掺杂硅锗（SiGe:B）S/D区的p-MOS晶体管中的电阻减小的技术。该技术可以包含在晶体管的硅（Si）沟道区和SiGe:B替换S/D区之间生长一个或多个界面层。所述一个或多个界面层可以包含：单层硼掺杂Si（Si:B）；单层SiGe:B，其中界面层中的Ge含量小于所得到的SiGe:B S/D区中的Ge含量；SiGe:B的渐变层，其中合金中的Ge含量以低百分比（或0%）开始并且增加到更高的百分比；或SiGe:B的多个阶梯层，其中合金中的Ge含量以低百分比（或0%）开始并且在每个阶梯处增加到更高的百分比。（一个或多个）界面层的包含减小了对导通状态电流的电阻。

公开(公告)号：CN104205292B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380016899.X

申请日：2013-03-29

申请人： 圣戈班晶体及检测公司

发明人： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02016 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02664

摘要： 一种形成无支撑的半导体晶片的方法，包括：提供包括半导体层的半导体衬底，所述半导体层具有后表面和与后表面相对的上表面，其中半导体层包括在上表面与后表面之间的至少一个持久缺陷；从半导体层移除半导体层的后表面的一部分和持久缺陷；以及在移除后表面的一部分和持久缺陷之后形成上表面的一部分。

公开(公告)号：CN103898472B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201310741893.0

申请日：2013-12-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大部智行 ,  宫原孝广 ,  永田朋幸

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备：将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。

公开(公告)号：CN107112202A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580074163.7

申请日：2015-11-20

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： F.霍伊克 ,  S.纳格尔 ,  F.罗尔芬

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02639 ,  B81C1/00373 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及一种用于生成微机电或半导体结构的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供原始结构，所述原始结构的表面至少具有由二氧化硅组成的部分，‑提供一种原材料或者多种原材料的混合物，所述原材料在LPCVD工艺中是由碳、硅和氯构成的混合物，‑将所述原始结构以及所述一种原材料或者原材料的混合物引入到所述LPCVD工艺中，并且借此‑使碳层沉积在所述原始结构的由二氧化硅组成的部分上；以及本发明涉及一种微机电或半导体结构，所述微机电或半导体结构根据该方法来制造。