公开(公告)号：CN104425611A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410182596.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善载 ,  金兑相 ,  柳明官 ,  朴晙皙 ,  徐锡俊 ,  孙暻锡 ,  赵成豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。沟道层可包括第一层和第二层，该第一层和第二层包括具有各自浓度的多个元素中的至少一个，该第一层可以比第二层更靠近栅极设置。由于元素和元素各自的浓度的组合，所以第二层可具有比第一层的电阻高的电阻。第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌、氧和氮的半导体材料。替代地，第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌氟氮化物的半导体材料。第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。

公开(公告)号：CN103872138B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201310665394.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 朴晙皙 ,  金善载 ,  金兑相 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  徐锡俊 ,  宣钟白 ,  孙暻锡 ,  李相润

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。

公开(公告)号：CN102347368B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110115503.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  李相润 ,  李光熙 ,  金兑相 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  孟完柱 ,  朴晙皙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。

公开(公告)号：CN103872138A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310665394.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 朴晙皙 ,  金善载 ,  金兑相 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  徐锡俊 ,  宣钟白 ,  孙暻锡 ,  李相润

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742

Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。

公开(公告)号：CN102347368A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110115503.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  李相润 ,  李光熙 ,  金兑相 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  孟完柱 ,  朴晙皙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。