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公开(公告)号：CN102956694B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201210305411.2
申请日：2012-08-24
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。
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公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
摘要： 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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公开(公告)号：CN102738237A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
摘要： 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN103715259B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310221610.X
申请日：2013-06-05
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
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公开(公告)号：CN101719510B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200910177796.7
申请日：2009-09-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
摘要： 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。
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公开(公告)号：CN103715259A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310221610.X
申请日：2013-06-05
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
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公开(公告)号：CN103022106A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210344858.0
申请日：2012-09-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/456 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。
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公开(公告)号：CN102569398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
申请人： 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN102285660A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110164676.0
申请日：2011-06-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C01B35/00 , H01L29/167
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
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公开(公告)号：CN103996681B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310351533.X
申请日：2013-08-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/792 , H01L29/47 , H01L29/788 , H01L29/16 , H01L21/28 , H01L51/05 , G11C11/40 , G11C16/04 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C11/40 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L29/1606 , H01L29/47 , H01L29/7781 , H01L29/788 , H01L51/0512 , Y10S977/734 , Y10S977/938
摘要： 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。
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