公开(公告)号：CN103094346B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210425342.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑佑仁 ,  金奇南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/772 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/518 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。

公开(公告)号：CN1108805A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN1028817C

公开(公告)日：1995-06-07

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸沸液及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基底上沉积含有高浓度的硼元素及磷元素的绝缘膜，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理，以及在低温下进行回流处理。

公开(公告)号：CN103515533A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310256116.7

申请日：2013-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  李明宰 ,  郑佑仁

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明涉及开关元件和器件、存储器件、及其制造方法。开关元件，包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含硅的硫属元素氮化物层。开关器件包括：在第一电极和第二电极之间的阈值开关材料层。所述阈值开关材料层包括金属元素、硫属元素、硅元素和氮元素。存储器件包括：彼此平行布置的多条第一布线；与所述第一布线交叉并且彼此平行布置的多条第二布线；和在所述多条第一布线和所述多条第二布线的各交叉点处形成的存储单元。所述存储单元包括具有含硅的硫属元素氮化物层、中间电极和存储层的叠层物。

公开(公告)号：CN103368548A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210460112.6

申请日：2012-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤植 ,  金镐正 ,  申在光 ,  郑佑仁

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K3/00 ,  G05F3/02 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/06 ,  H01L2924/00

Abstract: 分别包含保护设备的高边栅极驱动器、开关芯片、以及供电设备被提供。所述高边栅极驱动器包括：第一低电平驱动电源，被提供以切断高边常开开关；以及保护设备和第一开关设备，被串联连接在第一低电平驱动电源和高边常开开关的栅极之间。所述供电设备包含高边栅极驱动器。另外，所述开关芯片包括通过使用相同结构实现的高边常开开关、附加常开开关、以及低边常开开关。

公开(公告)号：CN103311901A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210567006.8

申请日：2012-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  郑佑仁 ,  崔贤植

IPC: H02H7/20

CPC classification number: H02H9/02 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/165 ,  H03K17/56 ,  H03K2217/0036 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括漏电流保护电路的功率模块，其中所述功率模块包括功率器件及其外围部件，其中所述外围部件包括控制块、栅极驱动器、CMOS和漏电流保护电路，所述漏电流保护电路的输入端子连接到所述功率部件，输出端子连接到所述控制块，其中所述漏电流保护电路包括多个NMOS晶体管、连接到所述多个NMOS晶体管的多个PMOS晶体管以及比较器，所述比较器的两个输入端子分别连接到将所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管相连的两个导线，输出端子连接到所述控制块。

公开(公告)号：CN103094346A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210425342.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑佑仁 ,  金奇南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/772 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/518 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。

公开(公告)号：CN103000220A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210324904.0

申请日：2012-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  郑佑仁 ,  申在光

IPC: G11C11/40

CPC classification number: H01L29/78684 ,  G11C29/12005

Abstract: 半导体器件和操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：电压产生器，被配置为产生测试电压；石墨烯晶体管，被配置为基于测试电压接收栅极-源极电压；以及检测器，被配置为检测栅极-源极电压是否是石墨烯晶体管的狄拉克电压，并输出施加于电压产生器的反馈信号，其指示栅极-源极电压是否是狄拉克电压。

公开(公告)号：CN1051400C

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00 ,  B44C1/22 ,  B05D3/06 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN1073551A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸蒸汽及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基板上沉积含有高浓度的硼素及亚磷的绝缘膜的步骤，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理的步骤，以及在低温下进行回流处理的步骤。