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公开(公告)号：CN109524468B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值
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公开(公告)号：CN109524468A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值电压控制图案的厚度。
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公开(公告)号：CN107731799A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710492555.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/58 , F21S8/00 , F21V19/00 , F21Y115/10 , F21Y103/10
CPC classification number: H01L25/13 , G02B6/0051 , G02B6/0055 , H01L33/483 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2933/0091 , H01L25/0753 , F21S8/00 , F21V19/002 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种光源模块和包括光源模块的背光单元以及一种制造光源模块的方法。所述光源模块包括衬底，其包括在第一方向上延伸的底板和沿着与第一方向正交的第二方向堆叠在底板的相对侧部上并且在第一方向上沿着底板延伸的一对坝结构，其中所述一对坝结构沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向彼此间隔开。多个发光装置在所述一对坝结构之间安装在底板上，并且在第一方向上彼此间隔开。包封层覆盖所述多个发光装置中的每一个的至少一个侧表面和顶表面。所述一对坝结构的高度大于包封层的高度。
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公开(公告)号：CN106908558A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610915550.5
申请日：2016-10-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 本发明提供电导率探测器和包括其的离子色谱系统。该电导率探测器包括流动通道、电极布置和探测器。流动通道具有管形状，该管形状具有包括离子组分的溶液流动通过其的通道直径。电极布置在流动通道上并且包括至少一阳极和至少一阴极。阳极和阴极间隔开小于或等于通道直径的电极间隙。探测器连接到电极布置以探测离子组分的电导率。
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公开(公告)号：CN103107283A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210447188.5
申请日：2012-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102982842A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210213817.8
申请日：2012-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0076 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2211/5625 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN102956822A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210211660.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。
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公开(公告)号：CN110491430B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201910140654.7
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
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公开(公告)号：CN107768358B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201710390780.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , G02F1/13357
Abstract: 根据一些示例实施例的光源模块包括第一基板和多个第二基板。第一基板包括构造为至少接收电力供应的多个连接件以及构造为电连接至所述多个连接件的多个第一连接焊盘。每个第二基板包括位于第二基板的上表面上的多个安装元件以及位于第二基板的下表面上且构造为电连接至所述多个安装元件的多个第二连接焊盘。每个安装元件可连接至单独的发光器件。多个连接构件可将第一基板的第一连接焊盘电连接至多个第二基板的多个第二连接焊盘。
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