公开(公告)号：CN115706169A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210397670.6

申请日：2022-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金亨俊 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  李公洙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：氧化物半导体层，在基底上并且包括第一部分和跨第一部分彼此间隔开的一对第二部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上；以及一对电极，在氧化物半导体层的对应的第二部分上。氧化物半导体层的第一部分的第一厚度小于氧化物半导体层的每个第二部分的第二厚度。氧化物半导体层的第一部分中的氧空位的数量小于氧化物半导体层的每个第二部分中的氧空位的数量。

公开(公告)号：CN110416061A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN118263300A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311610526.7

申请日：2023-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 李升姬 ,  郑在景 ,  徐承完 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  郑宙希

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物(IGTO)膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。

公开(公告)号：CN110416061B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金𡜧娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN117650123A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129011.5

申请日：2023-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  姜旻炅 ,  许埈宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域。内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。

公开(公告)号：CN116583105A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310045511.4

申请日：2023-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  尹智园 ,  金俞琳 ,  李柾汉 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/24

Abstract: 一种半导体设备包括：位线，其在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道层，其位于位线上，沟道层在竖直方向上延伸，包括包含铟的第一氧化物半导体材料，并且具有第一侧壁和第二侧壁；字线，其位于沟道层的第一侧壁上；接触形成区域，其位于沟道层的顶表面和第二侧壁的上部上，接触形成区域包括包含铟并且具有比沟道层的电阻率低的电阻率的第二氧化物半导体材料；接触层，其位于接触形成区域上；以及电容器结构，其位于接触层的顶表面上。

公开(公告)号：CN116096082A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211348797.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金俞琳 ,  林舒禧 ,  李公洙 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；导电线，在基板上在第一水平方向上延伸；隔离绝缘层，在基板和导电线上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并限定从隔离绝缘层的上表面延伸穿过隔离绝缘层到隔离绝缘层的下表面的沟道沟槽；结晶氧化物半导体层，沿着沟道沟槽的内侧表面的至少一部分和沟道沟槽的底表面的至少一部分延伸并电连接到导电线；以及栅电极，在沟道沟槽内在结晶氧化物半导体层上在第二水平方向上延伸。