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公开(公告)号：CN110556428B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K10/46 , H01L27/12 , H10K85/60 , H10K71/00
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
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公开(公告)号：CN117714906A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310645008.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括布置有多个像素的像素阵列，其中，所述多个像素中的每个像素包括光电二极管、传输晶体管、第一浮置扩散节点至第三浮置扩散节点、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第一开关晶体管、第二开关晶体管和复位晶体管。第二开关晶体管被配置为在第一时段中截止并在光电二极管的曝光时段的第二时段中导通，并且复位晶体管被配置为在第一时段中导通并在光电二极管的曝光时段的第二时段中截止。
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公开(公告)号：CN108428795B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810126979.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN113218814A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110006200.8
申请日：2021-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N9/00 , G01N9/24 , G03F7/20 , C08J3/24 , C08J3/28 , C08J5/18 , C08L53/02 , C08K5/28 , H01L27/146 , H01L27/32
Abstract: 公开了测量原位交联密度的装置和方法、曝光设备、交联产物、其制法、聚合物膜和电子器件，所述测量原位交联密度的装置包括配置成固定或支撑能交联的结构的支撑板、配置成将用于交联的光照射到所述能交联的结构的光源、和配置成向所述能交联的结构提供原位微变形的探针，其中由通过所述原位微变形的所述能交联的结构的应力‑应变相位滞后测量所述能交联的结构的原位交联密度。
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公开(公告)号：CN1825651A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1407062A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02126973.4
申请日：2002-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G73/0611 , G02F1/133788 , Y10T428/1005 , Y10T428/1018 , Y10T428/1023
Abstract: 本发明公开了一种液晶对准膜用的光对准材料，该材料含有由通式1表示的重复单元，或者含有由通式1表示的重复单元和至少一种选自由通式2表示的结构的重复单元，其中具有至少一个光反应性基团的重复单元与不具有光反应性基团的重复单元的当量比为2∶8～10∶0，其中通式1和通式2如权利要求1中所定义。
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公开(公告)号：CN102786825B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210157507.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/44 , C08F283/04 , H01L51/30 , H01L51/46 , C09D4/06
CPC classification number: C09D179/08 , C08L79/08 , H01L51/0036 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/107 , Y02E10/549
Abstract: 提供有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件。所述有机钝化层组合物包括：包括由以下化学式1和2表示的结构单元的低聚物或聚合物，和交联剂。在化学式1和2中，各取代基与具体的说明书中定义的相同。[化学式1]；[化学式2]。
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公开(公告)号：CN1891754B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开-关比。
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公开(公告)号：CN100514696C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101245123A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810002087.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F222/40 , C08F212/04 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: C08F212/32 , C08F212/14 , H01L51/0036 , H01L51/052 , C08F222/36 , C08F2222/404
Abstract: 本发明公开了一种共聚物，其可包括能够降低绝缘层表面能从而改善半导体材料的校准的侧链、和包含具有提高的交联度的光反应性官能团从而改善使用其制得的有机薄膜晶体管的特性的侧链，还公开了包括该共聚物的有机绝缘层组合物、包括其的有机绝缘层、有机薄膜晶体管、电子器件及其制造方法。根据示例性实施方案的共聚物，可降低绝缘层的表面能，使得可改善半导体材料的校准，由此改善阈电压和电荷迁移率并减少在驱动该晶体管时滞后现象的产生。
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