-
公开(公告)号：CN116412914A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211036960.4
申请日：2022-08-26
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种红外传感器，包括：第一磁阻单元；第二磁阻单元；以及光吸收层，吸收光并发射热，其中，第一磁阻单元包括彼此电连接的第一磁阻元件和第二磁阻元件，第二磁阻单元包括彼此电连接的第三磁阻元件和第四磁阻元件，第一磁阻元件和第三磁阻元件各自具有磁化方向的反平行状态，第二磁阻元件和第四磁阻元件各自具有磁化方向的平行状态，并且第一磁阻元件通过第二磁阻元件电连接到第三磁阻元件。
-
公开(公告)号：CN102998726B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210206808.6
申请日：2012-06-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G02B1/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/0652 , C23C14/0694 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/087 , C23C14/10 , C23C14/34 , G02B5/0221 , G02B5/0284 , G02B5/0294 , G02B5/201 , G02B5/285
摘要： 本发明提供了光子晶体结构及其制造方法、反射滤色器和显示装置。该光子晶体结构包括：纳米结构层，包括具有随机尺寸的多个纳米颗粒，其中多个纳米颗粒彼此间隔开一距离；以及形成在纳米结构层上的光子晶体层，具有非平坦的表面并被设计为反射预定波长的光。
-
公开(公告)号：CN110556428B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H10K10/46 , H01L27/12 , H10K85/60 , H10K71/00
摘要： 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
-
公开(公告)号：CN111610668A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910846964.0
申请日：2019-09-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/133
摘要： 本发明提供一种光偏转器以及包括该光偏转器的光输出装置，该光偏转器包括：第一电极层和第二电极层，其彼此间隔开且彼此面对；以及偏转层，配置为基于施加到第一电极层和第二电极层的电压而使入射在其上的光偏转，其中第一电极层包括彼此间隔开的多个电极元件以及与所述多个电极元件中的至少部分接触并且在其中产生电压降的电阻器。
-
公开(公告)号：CN110854286A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910154652.3
申请日：2019-02-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种发光器件和包括相移镜的显示装置。发光器件包括第一电极、发光结构、第二电极和相移镜。相移镜具有以周期性方式布置的多个图案，相邻图案之间具有间隔。每个图案具有顶表面和在相应图案的顶表面与第一电极的顶表面之间的侧表面。与第一电极的顶表面直接相邻的相应图案的底部的第一宽度大于相应图案的顶表面的第二宽度，并且第一宽度和第二宽度小于在发光结构中产生的光的波长。
-
公开(公告)号：CN114527582A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111392641.2
申请日：2021-11-23
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种光束偏转装置以及包括其的全息显示装置。该光束偏转装置包括在第一方向上偏转光的第一光束偏转器和在垂直于第一方向的第二方向上偏转光的第二光束偏转器，其中第一光束偏转器和第二光束偏转器的每个包括用于偏转第一波长的光的第一区域和用于偏转第二波长的光的第二区域，并且施加到布置在第一光束偏转器的第一区域中的第一驱动电极的信号的空间周期与第一波长的比率与施加到布置在第一光束偏转器的第二区域中的第二驱动电极的信号的空间周期与第二波长的比率相同。
-
公开(公告)号：CN113448006A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011344569.1
申请日：2020-11-26
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种几何相位光学元件和包括其的三维显示装置。该几何相位光学元件包括：液晶层；在液晶层的一表面上的第一电极；以及在液晶层的另一表面上的第二电极，其中，当没有向第一电极和第二电极施加电压时，液晶层配置为使得取决于液晶的排列的相位差为π并且透过液晶层的光以第一偏转角衍射，当向第一电极和第二电极施加使取决于液晶的排列的相位差变为π/2的第一电压时，液晶层配置为使得透过液晶层的光以第二偏转角衍射。
-
公开(公告)号：CN110556428A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/12 , H01L27/28
摘要： 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
-
公开(公告)号：CN102998726A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210206808.6
申请日：2012-06-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G02B1/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/0652 , C23C14/0694 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/087 , C23C14/10 , C23C14/34 , G02B5/0221 , G02B5/0284 , G02B5/0294 , G02B5/201 , G02B5/285
摘要： 本发明提供了光子晶体结构及其制造方法、反射滤色器和显示装置。该光子晶体结构包括：纳米结构层，包括具有随机尺寸的多个纳米颗粒，其中多个纳米颗粒彼此间隔开一距离；以及形成在纳米结构层上的光子晶体层，具有非平坦的表面并被设计为反射预定波长的光。
-
公开(公告)号：CN102786825A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210157507.9
申请日：2012-05-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C09D4/06 , C08F283/04 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC分类号： C09D179/08 , C08L79/08 , H01L51/0036 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/107 , Y02E10/549
摘要： 提供有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件。所述有机钝化层组合物包括：包括由以下化学式1和2表示的结构单元的低聚物或聚合物，和交联剂。在化学式1和2中，各取代基与具体的说明书中定义的相同。[化学式1][化学式2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
19 条记录 (耗时 0.03 秒)
